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    用于多層電容器的內電極材料以及包括其的多層電容器制造技術

    技術編號:43038888 閱讀:11 留言:0更新日期:2024-10-22 14:26
    本公開提供了一種用于多層電容器的內電極材料以及包括其的多層電容器。所述多層電容器包括:電容器主體,包括介電層和內電極;以及外電極,設置在所述電容器主體的外部,其中,所述內電極包括由以下化學式1表示的化合物,并且所述化合物具有1.0m<supgt;2</supgt;/g至2.2m<supgt;2</supgt;/g的Brunauer?Emmett?Teller(BET)比表面積:[化學式1]M1<subgt;a+1</subgt;M2M3<subgt;a</subgt;在化學式1中,M1是Ti、V、Sc、Zr或Mo,M2是Al、Si、Sn、Cd、In、Ga、Ge、Pb、As、S或P,M3是C或N,a是1至3。

    【技術實現步驟摘要】

    本公開涉及一種用于多層電容器的內電極材料和包括該內電極材料的多層電容器。


    技術介紹

    1、多層陶瓷電容器(mlcc,一種電容器組件)是安裝在各種電子產品(諸如顯示裝置(例如,液晶顯示器(lcd)、等離子體顯示面板(pdp)等)、計算機、智能電話、移動電話等)的印刷電路板上的片狀電容器,以用于在其中充電和放電。

    2、由于這樣的多層陶瓷電容器具有諸如小尺寸、高電容、易于安裝的優點,因此這樣的多層陶瓷電容器可用作各種電子裝置中的組件。

    3、多層陶瓷電容器包括位于介電陶瓷中的內電極。另外,多層陶瓷電容器可通過如下方式來制造:使用片材法或印刷法堆疊包括內電極材料的導電膏層和包括陶瓷粉末的陶瓷生片,并且對它們同時進行燒制。

    4、此時,鎳(ni)粉末通常用作內電極材料,并且batio3主要用作介電陶瓷粉末。然而,為了形成介電層,可在約1100℃或更高的高溫下燒制陶瓷生片,而導電膏可在較低溫度下燒結并收縮。因此,在燒制陶瓷生片的同時,內電極層可能被過度燒制。因此,在多層陶瓷電容器中可能出現諸如裂紋或分層的問題。這使多層陶瓷電容器的性能劣化。

    5、為了解決上述問題,嘗試通過如下方式控制高溫燒結收縮:將二氧化硅(sio2)或納米級鈦酸鋇(batio3)添加到常規內電極導電膏中,或者使用諸如鎢(w)的金屬。然而,由于二氧化硅或鈦酸鋇是非導體,因此內電極的電導率會劣化,并且存在由于添加劑而出現的額外工藝和額外成本的問題。

    6、另外,當燒制鎳粉末以制造電容器時,必須將燒制氣氛調節到還原氣氛,但是當在還原氣氛中執行燒制時存在工藝成本增加的問題。

    7、在
    技術介紹
    部分中公開的信息是為了幫助理解本公開的
    技術介紹
    ,并且不應被視為現有技術。


    技術實現思路

    1、本公開旨在提供一種用于多層電容器的新型內電極材料以及包括該新型內電極材料的多層電容器,該新型內電極材料能夠在用于制造電容器的燒制工藝期間在沒有單獨的添加劑的情況下抑制燒結收縮,并且即使在氧化氣氛中也能夠進行燒制。

    2、本公開的實施例提供了一種用于多層電容器的內電極材料,所述內電極材料包括:由以下化學式1表示并且具有1.0m2/g至2.2m2/g的brunauer-emmett-teller(bet)比表面積的化合物:

    3、[化學式1]

    4、m1a+1m2m3a

    5、在化學式1中,m1是ti、v、sc、zr或mo,m2是al、si、sn、cd、in、ga、ge、pb、as、s或p,m3是c或n,a是1至3。

    6、在化學式1中,m1可以是ti或v,m2可以是al、si或sn,并且m3可以是c。

    7、所述化合物可以是ti3alc2、ti2alc、v2alc、ti3sic2或ti3snc2。

    8、所述化合物可具有400nm至700nm的平均粒徑d50。

    9、與在800℃的溫度下的體積減小率相比,所述化合物在1100℃的溫度下可具有5%或更小的體積減小率。

    10、所述化合物可具有1.05×106s/m或更大的電導率。

    11、本公開的另一實施例提供了一種多層電容器,所述多層電容器包括:電容器主體,包括介電層和內電極;以及外電極,設置在所述電容器主體的外部,其中,所述內電極包括如上所述的用于多層電容器的內電極材料。

    12、所述內電極可不包括鎳(ni)、鈦酸鋇(batio3)、二氧化硅(sio2)和鎢(w)。

    13、所述介電層可包括多個介電晶粒,并且所述介電晶粒可包括作為主要組分的bamtio3(0.995≤m≤1.010),以及作為輔助組分的鉿(hf)、錳(mn)、鉻(cr)、硅(si)、鋁(al)、鎂(mg)、錫(sn)、銻(sb)、鍺(ge)、鎵(ga)和銦(in)中的至少一種。

    14、本公開的又一實施例提供了一種制造多層電容器的方法,所述制造多層電容器的方法包括:使用介電粉末形成介電生片;在所述介電生片的表面上形成導電膏層,所述導電膏層包括如上所述的用于多層電容器的內電極材料;通過堆疊其上形成有所述導電膏層的所述介電生片來形成介電生片層疊體;通過在氧化氣氛中燒制所述介電生片層疊體來形成包括介電層和內電極的電容器主體;以及在所述電容器主體的表面上形成外電極。

    15、所述氧化氣氛可以是空氣氣氛或氧氣(o2)氣氛。

    16、可使用熱壓法執行所述介電生片層疊體的燒制。

    17、所述導電膏層可不包括鎳(ni)、鈦酸鋇(batio3)、二氧化硅(sio2)和鎢(w)。

    18、用于多層電容器的內電極材料能夠在用于制造電容器的燒制工藝期間在沒有單獨的添加劑的情況下抑制燒結收縮,并且即使在氧化氣氛中也能夠進行燒制。另外,可實現類似于鎳的電導率或比鎳更高的電導率,鎳通常用作常規的內電極材料。

    19、因此,可降低電容器的制造成本,同時改善電容器的性能。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種用于多層電容器的內電極材料,包括:

    2.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    3.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    4.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    5.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    6.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    7.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    8.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    9.一種多層電容器,包括:

    10.根據權利要求9所述的多層電容器,其中:

    11.根據權利要求9所述的多層電容器,其中:

    12.一種制造多層電容器的方法,包括:

    13.根據權利要求12所述的制造多層電容器的方法,其中:

    14.根據權利要求12所述的制造多層電容器的方法,其中:

    15.根據權利要求12所述的制造多層電容器的方法,其中:

    【技術特征摘要】

    1.一種用于多層電容器的內電極材料,包括:

    2.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    3.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    4.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    5.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    6.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    7.根據權利要求1所述的用于多層電容器的內電極材料,其中:

    ...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:吳泳俊羅炫雄樸榮圭閔景基樸性珉樸璱雅
    申請(專利權)人:三星電機株式會社
    類型:發明
    國別省市:

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