【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及芯片測試領域，具體涉及一種芯片高溫老化測試方法、裝置、電子設備及介質。
技術介紹
1、芯片高溫老化測試(hightemperatureaging?test,htat)是一項重要的質量保證措施，用于評估半導體器件在極端溫度條件下的可靠性和性能穩定性。這項測試對于確保電子產品的長期可靠性和耐用性至關重要。例如，在遵循汽車電子元件aec-q100(automotive?electronics?council’s?stress?test?qualification?for?integratedcircuits"，汽車電子委員會集成電路應力測試資格認證)質量檢驗標準的框架內，對車載規格集成電路進行高溫工作壽命(high-temperature?operating?life,htol)測試時，要求芯片在結溫達到125℃的嚴苛條件下歷經1000小時的連續運行，以加速老化過程并評估其長期可靠性。特別是針對功率消耗超過5瓦的片上系統(system-on-chip,soc)芯片，為了精確控制老化期間的結溫，普遍利用了具備獨立溫控功能的測試插座(socket)。這些插座內置加熱與散熱設備，確保芯片在高負荷運行狀態下維持恒定的125℃結溫。鑒于soc芯片常態下的高能耗特性，實施htol測試時，采用獨立溫控裝置進行精確溫度管理成為必要措施。
2、然而，現有獨立溫控裝置不僅成本昂貴，技術實現復雜，還存在局限性，尤其是在處理高速信號傳輸時。由于溫控裝置可能對信號完整性造成干擾，難以確保高速信號接口的測試準確性，影響對其功能狀態的有效
3、因此，提供一種新的soc芯片高溫老化測試方法及其配套工裝設計方案，以顯著降低芯片研發企業的測試成本，并且能夠促使芯片模塊及接口信號在老化測試中得到更全面的激活與監測，是亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、鑒于soc芯片常態下的高能耗特性，實施htol測試時，采用獨立溫控裝置進行精確溫度管理成為必要措施。然而，現有獨立溫控裝置不僅成本昂貴，技術實現復雜，還存在局限性，尤其是在處理高速信號傳輸時。由于溫控裝置可能對信號完整性造成干擾，難以確保高速信號接口的測試準確性，影響對其功能狀態的有效判斷。
2、有鑒于此，本公開實施例提供一種芯片高溫老化測試方法、裝置、電子設備及介質，至少部分解決現有技術中存在的問題。
3、第一方面，本公開實施例提供了一種芯片高溫老化測試方法，其包括：啟動待測試芯片；執行所述芯片算法，啟動所述芯片接口和內部模塊；檢測所述芯片結溫；調整所述芯片所在溫箱的環境溫度；使用所述芯片內部的控制器將所述芯片的結溫調至預設溫度。
4、根據本公開實施例的一種具體實現方式，所述使用所述芯片內部的控制器將所述芯片的結溫調至預設溫度，包括：判斷所述芯片結溫是否為所述預設溫度；當所述芯片結溫為所述預設溫度時，執行測試；當所述芯片結溫不是所述預設溫度時，通過所述芯片內部的控制器調節所述芯片結溫至所述預設溫度。
5、根據本公開實施例的一種具體實現方式，所述通過所述芯片內部的控制器調節所述芯片結溫至所述預設溫度，包括：所述控制器根據所述芯片的當前溫度與所述預設溫度之間的差值計算出調整量，并根據所述調整量調整所述芯片溫度至所述預設溫度。
6、根據本公開實施例的一種具體實現方式，通過控制算力幀率和/或接口功能組合和/或內部模塊組合調整所述芯片的溫度。
7、第二方面，本公開實施例提供了一種芯片高溫老化測試裝置，使用如第一方面任一所述的芯片高溫老化測試方法進行測試，所述芯片高溫老化測試裝置，包括：測試底板和子卡；所述測試底板包括，供電模塊、溫度采集模塊以及接口回環電路；
8、所述子卡包括：所述芯片工作的最小系統以及芯片接口；所述子卡通過連接器與所述測試底板連接；所述測試底板上的電源接口和串口接口分別通過線纜與溫箱外的電源和計算機連接。
9、根據本公開實施例的一種具體實現方式，所述電源為所述測試底板和所述子卡同時供電。
10、根據本公開實施例的一種具體實現方式，所述溫度采集模塊，包括：熱敏電阻，用于感知環境溫度變化；激勵源，用于提供激勵電流；所述激勵電流，通過感測電阻流向目標組件，并最終返回到電阻溫度檢測器；
11、溫控模塊，用于調整溫度；信號處理模塊，用于處理所述溫度采集模塊的電信號，所述信號處理模塊通過引腳與所述溫控模塊連接；電阻，所述溫控模塊通過調整所述電阻的阻值以調整溫度，所述電阻通過所述熱敏電阻與所述電阻溫度檢測器連接。
12、根據本公開實施例的一種具體實現方式，所述子卡被供電時，所述芯片正常工作，運行所述芯片的算法、接口功能以及內部模塊功能。
13、第三方面，本公開實施例提供了一種電子設備，該電子設備包括：
14、至少一個處理器；以及，
15、與該至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，
16、該存儲器存儲有可被該至少一個處理器執行的指令，該指令被該至少一個處理器執行，以使該至少一個處理器能夠執行上述的芯片高溫老化測試方法。
17、第四方面，本公開實施例提供了一種非暫態計算機可讀存儲介質，該非暫態計算機可讀存儲介質存儲計算機指令，該計算機指令用于使該計算機執行上述的芯片高溫老化測試方法。
18、綜上所述，相較于現有技術，本實施例具有如下優點：
19、能夠顯著降低芯片設計企業的測試成本。通過所述芯片高溫老化測試方法，可以高效地激活芯片內部的眾多模塊及接口信號，特別有利于細致監測高速信號接口在老化過程中的功能穩定性，確保其持續正常運作。此外，所述芯片高溫老化測試方法還具備高度靈活性，因為它允許使用標準溫箱與通用電源組合完成測試任務，不僅簡化了測試配置，還進一步削減了額外的設備投入，實現了經濟性和實用性的完美結合。
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1.一種芯片高溫老化測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，所述使用所述芯片內部的控制器將所述芯片的結溫調至預設溫度，包括：
3.根據權利要求2所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，通過控制算力幀率和/或接口功能組合和/或內部模塊組合調整所述芯片的溫度。
5.一種芯片高溫老化測試裝置，其特征在于，使用如權利要求1-4任一所述的芯片高溫老化測試方法進行測試，所述芯片高溫老化測試裝置，包括：
6.根據權利要求5所述的芯片高溫老化測試裝置，其特征在于，所述電源為所述測試底板和所述子卡同時供電。
7.根據權利要求5所述的芯片高溫老化測試裝置，其特征在于，所述溫度采集模塊，包括：熱敏電阻，用于感知環境溫度變化；
8.根據權利要求6所述的芯片高溫老化測試裝置，其特征在于，所述子卡被供電時，所述芯片正常工作，運行所述芯片的算法、接口功能以及內部模塊功能。
9.一種電子設備，其特征在于，該電子
10.一種非暫態計算機可讀存儲介質，其特征在于，該非暫態計算機可讀存儲介質存儲計算機指令，該計算機指令用于使該計算機執行權利要求1至4任意一項所述的芯片高溫老化測試方法。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片高溫老化測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，所述使用所述芯片內部的控制器將所述芯片的結溫調至預設溫度，包括：
3.根據權利要求2所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的芯片高溫老化測試方法，其特征在于，通過控制算力幀率和/或接口功能組合和/或內部模塊組合調整所述芯片的溫度。
5.一種芯片高溫老化測試裝置，其特征在于，使用如權利要求1-4任一所述的芯片高溫老化測試方法進行測試，所述芯片高溫老化測試裝置，包括：
6.根據權利要求5所述的芯片高溫...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙國棟，梁爽，蘇琛，
申請(專利權)人：北京超星未來科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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