【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種離子注入氣體利用率的偵測方法及裝置。
技術介紹
1、離子注入法是一種用于將改變材料導電性的離子引入工件中的標準技術，是現代半導體制造技術的一個重要組成部分，使用離子注入機將電離的可控制數量的雜質離子經靜電場加速引入到晶圓表面，實現對襯底硅晶圓的摻雜，以改變其電學性能，并最終形成各種晶體管結構。
2、然而，離子注入機中的氣體源提供的氣體分子在注入晶圓的過程中，存在部分氣體浪費的情況，現有技術中通常通過調整氣體源的氣體流量來控制氣體量，對于浪費情況僅能在更換氣體源時通過對比使用時長來判斷，然而這樣的方法存在判斷滯后、氣體利用率低，工作效率低下等問題。
3、因此，現有技術中仍存在對離子注入氣體利用率的偵測方法改進的需求。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術實施例的目的在于提出一種離子注入氣體利用率的偵測方法及裝置，快速計算出注入一組晶圓過程中的氣體利用率，并且方便不同程式不同機臺間快速對比，工程師基于氣體利用率的大小即可在注入程序完成后快速判斷是否存在氣體浪費。
2、基于上述目的，本專利技術實施例的提供了一種離子注入氣體利用率的偵測方法，包括以下步驟：
3、離子注入機臺對第一批次晶圓啟動注入程序；
4、獲取離子源端的氣體流量設定值，在注入過程中獲取注入時的運行時間、注入劑量；
5、注入程序結束后，基于氣體流量設定值、運行時間以及注入劑量計算注入第一批次晶圓的氣體利用率；
<...【技術保護點】
1.一種離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，依據以下公式計算所述氣體利用率：
3.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述運行時間為：
4.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，基于每批次晶圓的氣體利用率實時計算平均氣體利用率，響應于某一批次晶圓的氣體利用率大于平均氣體利用率，所述離子注入機臺發出警報。
5.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述氣體利用率異常包括由注入時間異常、傳片時間異常、程序中斷導致的運行時間異常。
6.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述離子源端的氣體流量設定值的范圍為0～10sccm。
7.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述運行時間的范圍為0～10000秒。
8.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述注入劑量為1×1010～1×
9.一種離子注入氣體利用率的偵測裝置，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，依據以下公式計算所述氣體利用率：
3.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，所述運行時間為：
4.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征在于，基于每批次晶圓的氣體利用率實時計算平均氣體利用率，響應于某一批次晶圓的氣體利用率大于平均氣體利用率，所述離子注入機臺發出警報。
5.根據權利要求1所述的離子注入氣體利用率的偵測方法，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王智權，
申請(專利權)人：和艦芯片制造蘇州股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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