【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)構(gòu)思的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲器件，并且更具體地，涉及包括垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體存儲器件的設(shè)計規(guī)則正在減少，制造技術(shù)正在升級以提高半導(dǎo)體存儲器件的集成度、操作速度和良率。相應(yīng)地，具有垂直溝道的晶體管正在被用于提高它們的集成度、電阻、電流驅(qū)動能力等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了具有增加的電氣性質(zhì)和提高的可靠性的半導(dǎo)體存儲器件。
2、根據(jù)本專利技術(shù)構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括：位線，所述位線在第一方向上延伸；多個半導(dǎo)體圖案，所述多個半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述位線上并且在所述第一方向上彼此間隔開，其中，每個半導(dǎo)體圖案包括第一垂直部、在所述第一方向上與所述第一垂直部相對的第二垂直部以及將所述第一垂直部與所述第二垂直部彼此連接的水平部；第一字線和第二字線，所述第一字線和所述第二字線設(shè)置在所述水平部上并且分別與所述第一垂直部和所述第二垂直部相鄰；和半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案，所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案設(shè)置在所述位線上并且介于所述半導(dǎo)體圖案之間。所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案包括：下覆蓋圖案；多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案設(shè)置在所述下覆蓋圖案上并且在所述第一方向上彼此間隔開；氣隙，所述氣隙介于所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案之間；和上覆蓋圖案，所述上覆蓋圖案設(shè)置在所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案上。所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案的頂表面的高度處于與所述第一垂直部和所述第二垂直部的頂表面的高度相同。
3、根據(jù)本專利技術(shù)構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)
4、根據(jù)本專利技術(shù)構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括：多條位線，所述多條位線在第一方向上延伸，其中，所述位線在與所述第一方向正交的第二方向上彼此間隔開；半導(dǎo)體圖案，所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置在每條位線上并且在所述第一方向上彼此間隔開，其中，每個半導(dǎo)體圖案包括第一垂直部、在所述第一方向上與所述第一垂直部相對的第二垂直部以及將所述第一垂直部與所述第二垂直部彼此連接的水平部；第一字線和第二字線，所述第一字線和所述第二字線設(shè)置在所述水平部上并且分別與所述第一垂直部和所述第二垂直部相鄰；柵極電介質(zhì)圖案，所述柵極電介質(zhì)圖案介于所述第一垂直部與所述第一字線之間以及所述第二垂直部與所述第二字線之間；多個半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案，所述多個半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案分別設(shè)置在每條位線上并且介于所述半導(dǎo)體圖案之間，其中，所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案與所述位線直接接觸；多個著陸焊盤，所述多個著陸焊盤設(shè)置在所述第一垂直部和所述第二垂直部上；和多個數(shù)據(jù)存儲圖案，所述多個數(shù)據(jù)存儲圖案分別設(shè)置在對應(yīng)的著陸焊盤上。所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案包括：下覆蓋圖案，所述下覆蓋圖案設(shè)置在每條位線上；多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案設(shè)置在所述下覆蓋圖案上；氣隙，所述氣隙形成在所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案之間；和上覆蓋圖案，所述上覆蓋圖案設(shè)置在所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案上。所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案的頂表面處于與所述半導(dǎo)體圖案的所述第一垂直部和所述第二垂直部的頂表面相同的高度處。所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案包括金屬氧化物。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，所述半導(dǎo)體存儲器件包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案對應(yīng)地介于所述氣隙與所述多個半導(dǎo)體圖案之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包括金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包括氧化鉿、氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋇、氧化鍶、氧化釔和氧化釕中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案與所述多個半導(dǎo)體圖案中的對應(yīng)的半導(dǎo)體圖案直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述氣隙被所述下覆蓋圖案、所述上覆蓋圖案和所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述上覆蓋圖案與所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案的頂表面直接接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述下覆蓋圖案與所述位線的頂表面直接接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，所述器件還包括柵極電介質(zhì)圖案，所述柵極電介質(zhì)圖案介于所述第一垂直部與所述第
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述柵極電介質(zhì)圖案與所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案間隔開。
11.一種半導(dǎo)體存儲器件，所述半導(dǎo)體存儲器件包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，所述阻擋圖案包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，所述金屬氧化物包括氧化鉿、氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋇、氧化鍶、氧化釔和氧化釕中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，所述阻擋圖案與所述多個半導(dǎo)體圖案直接接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中，所述氣隙的頂表面處于與所述半導(dǎo)體圖案的所述第一垂直部的頂表面和所述第二垂直部的頂表面相同的高度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述上覆蓋圖案與所述著陸焊盤直接接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，所述器件還包括柵極電介質(zhì)圖案，所述柵極電介質(zhì)圖案介于所述第一垂直部與所述第一字線之間以及所述第二垂直部與所述第二字線之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中，所述柵極電介質(zhì)圖案與所述半導(dǎo)體電介質(zhì)圖案間隔開。
19.一種半導(dǎo)體存儲器件，所述半導(dǎo)體存儲器件包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述側(cè)壁電介質(zhì)圖案與所述半導(dǎo)體圖案直接接觸。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，所述半導(dǎo)體存儲器件包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案對應(yīng)地介于所述氣隙與所述多個半導(dǎo)體圖案之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包括金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包括氧化鉿、氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋇、氧化鍶、氧化釔和氧化釕中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案與所述多個半導(dǎo)體圖案中的對應(yīng)的半導(dǎo)體圖案直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述氣隙被所述下覆蓋圖案、所述上覆蓋圖案和所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案包圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述上覆蓋圖案與所述多個側(cè)壁電介質(zhì)圖案的頂表面直接接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述下覆蓋圖案與所述位線的頂表面直接接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，所述器件還包括柵極電介質(zhì)圖案，所述柵極電介質(zhì)圖案介于所述第一垂直部與所述第一字線之間以及所述第二垂直部與所述第二字線之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述柵極電介質(zhì)圖案與所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：柳喜齊，趙炯紀(jì)，
申請(專利權(quán))人：三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。