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    一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):43072838 閱讀:12 留言:0更新日期:2024-10-22 14:47
    本發(fā)明專利技術(shù)屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法。所述驅(qū)動(dòng)電路包括:電源模塊、電流限制模塊、控制模塊以及柵極驅(qū)動(dòng)模塊;電源模塊用于對(duì)功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路提供電流信號(hào),并將提供的電流信號(hào)發(fā)送至電流限制模塊;電流限制模塊用于限制功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊;控制模塊用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值產(chǎn)生開關(guān)信號(hào),并將產(chǎn)生的開關(guān)信號(hào)發(fā)送至柵極驅(qū)動(dòng)模塊;柵極驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)接收到的開關(guān)信號(hào)控制半導(dǎo)體功率器件的開通和關(guān)斷。本發(fā)明專利技術(shù)所提供的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,可有效的抑制了功率半導(dǎo)體器件開通時(shí)產(chǎn)生的噪音。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于半導(dǎo)體,具體涉及一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法


    技術(shù)介紹

    1、現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路配置中,功率半導(dǎo)體器件的柵極和發(fā)射極電容在導(dǎo)通期間通過電阻器持續(xù)充電至固定電壓。然而,當(dāng)基極電壓超過基極閾值電壓時(shí),基極電壓會(huì)出現(xiàn)明顯變化,當(dāng)集電極電流開始流動(dòng)時(shí),也會(huì)出現(xiàn)類似的急劇變化。這導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電壓的顯著波動(dòng),從而產(chǎn)生大量的噪聲。

    2、因此,如何降低半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)通時(shí)會(huì)產(chǎn)生的高頻噪音,是一個(gè)亟待解決的技術(shù)問題。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、為了解決上述半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)通時(shí)會(huì)產(chǎn)生的高頻噪音的技術(shù)問題,本專利技術(shù)提供了一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路及驅(qū)動(dòng)方法。

    2、第一方面,本專利技術(shù)提供了一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,包括:

    3、電源模塊、電流限制模塊、控制模塊以及柵極驅(qū)動(dòng)模塊;

    4、所述電源模塊與所述電流限制模塊連接,所述電源模塊用于對(duì)所述功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路提供電流信號(hào),并將提供的電流信號(hào)發(fā)送至電流限制模塊;

    5、所述電流限制模塊與控制模塊連接,所述電流限制模塊用于限制所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊;

    6、所述控制模塊與柵極驅(qū)動(dòng)模塊連接,所述控制模塊用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值產(chǎn)生開關(guān)信號(hào),并將產(chǎn)生的開關(guān)信號(hào)發(fā)送至柵極驅(qū)動(dòng)模塊;

    7、所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)接收到的開關(guān)信號(hào)控制半導(dǎo)體功率器件的開通和關(guān)斷。

    8、優(yōu)選的,所述電源模塊包括第一電壓源,所述電流限制模塊包括第一晶體管、第二晶體管、第一電阻器;

    9、所述第一晶體管的發(fā)射極與所述第一電壓源連接,所述第一晶體管的基極分別與第一電阻器和第二晶體管的發(fā)射極連接,所述第一晶體管的集電極與所述第二晶體管的基極連接;

    10、所述第二晶體管的發(fā)射極分別與第一晶體管的基極和第一電阻器連接。

    11、優(yōu)選的,所述電流限制模塊還包括第一二極管,所述第一二極管與所述第二晶體管并聯(lián)連接。

    12、優(yōu)選的,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊包括功率半導(dǎo)體器件、第二二極管、第二電阻器和第三電阻器;

    13、所述功率半導(dǎo)體器件與所述第二二極管并聯(lián),且所述功率半導(dǎo)體器件的柵極分別與所述第二電阻器和第三電阻器連接,所述功率半導(dǎo)體器件的發(fā)射極接地。

    14、優(yōu)選的,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊還包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管,所述第一開關(guān)管與所述第二電阻器連接,所述第二開關(guān)管與所述第三電阻器連接。

    15、優(yōu)選的,所述第一開關(guān)管和所述第二開關(guān)管為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

    16、優(yōu)選的,所述功率半導(dǎo)體器件為igct功率半導(dǎo)體器件。

    17、優(yōu)選的,所述第一晶體管和所述第二晶體管為pnp雙極性晶體管。

    18、第二方面,本專利技術(shù)還提供了一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)方法,包括:

    19、獲取功率半導(dǎo)體器件開通時(shí)的柵極電流的電流值,并將獲取到的柵極電流的電流值發(fā)送至電流限制模塊;

    20、所述電流限制模塊限制所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊;

    21、所述控制模塊根據(jù)接收到的導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值產(chǎn)生開關(guān)信號(hào),并將產(chǎn)生的開關(guān)信號(hào)發(fā)送至柵極驅(qū)動(dòng)模塊;

    22、所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)接收到的開關(guān)信號(hào)控制半導(dǎo)體功率器件的開通和關(guān)斷。

    23、優(yōu)選的,所述電流限制模塊限制所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊,包括:

    24、預(yù)設(shè)所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)的柵極電流的上限值,并根據(jù)預(yù)設(shè)的柵極電流的上限值控制所述功率半導(dǎo)體器件的集電極電流的增大或減小。

    25、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)提供的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,通過設(shè)置電流限制模塊,所述電流限制模塊用于限制所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊;所述控制模塊用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值產(chǎn)生開關(guān)信號(hào)。有效的抑制了功率半導(dǎo)體器件開通時(shí)產(chǎn)生的噪音。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括:電源模塊、電流限制模塊、控制模塊以及柵極驅(qū)動(dòng)模塊;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電源模塊包括第一電壓源,所述電流限制模塊包括第一晶體管、第二晶體管、第一電阻器;

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電流限制模塊還包括第一二極管,所述第一二極管與所述第二晶體管并聯(lián)連接。

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊包括功率半導(dǎo)體器件、第二二極管、第二電阻器和第三電阻器;

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊還包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管,所述第一開關(guān)管與所述第二電阻器連接,所述第二開關(guān)管與所述第三電阻器連接。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一開關(guān)管和所述第二開關(guān)管為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述功率半導(dǎo)體器件為IGCT功率半導(dǎo)體器件。

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一晶體管和所述第二晶體管為PNP雙極性晶體管。

    9.一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,包括:

    10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,所述電流限制模塊限制所述功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通時(shí)電流信號(hào)的電流值,并將限制后的電流信號(hào)的電流值發(fā)送至控制模塊,包括:

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括:電源模塊、電流限制模塊、控制模塊以及柵極驅(qū)動(dòng)模塊;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電源模塊包括第一電壓源,所述電流限制模塊包括第一晶體管、第二晶體管、第一電阻器;

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電流限制模塊還包括第一二極管,所述第一二極管與所述第二晶體管并聯(lián)連接。

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊包括功率半導(dǎo)體器件、第二二極管、第二電阻器和第三電阻器;

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)模塊還包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管,所述第一開關(guān)管與所...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:黃輝傅俊寅汪之涵
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:深圳青銅劍技術(shù)有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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