【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件領域，具體地，涉及一種半導體發光元件及發光裝置。
技術介紹
1、半導體發光元件，即發光二極管廣泛用于大型背光單元、普通照明及電氣組件等各種產品中。隨著顯示屏對像素要求的不斷提升，要求像素間距越來越小，倒裝led芯片及其封裝器件的尺寸越來越小，其制作過程面臨的困難與挑戰越來越多。現有小尺寸的倒裝led芯片通常包括透明基板，位于該透明基板的表面上的發光外延疊層，覆蓋在該發光外延疊層的表面及側壁的絕緣層以及形成在絕緣層上方的電極焊盤。在倒裝led芯片中，其中電極焊盤大小有限是固晶過程遇到的一大難題。倒裝led芯片因電極焊盤內縮導致電極焊盤面積較小，尤其是mini-led，現有產量的mini-led尺寸已達到3mil×5mil，未來還將進一步縮小尺寸，而兩個焊盤電極之間又必須具有一定的間隙，因此電極焊盤的尺寸受限。
2、電極焊盤面積受限會帶來一系列的問題，例如，導致焊盤電極的推力低，從而造成led芯片結合力差，易脫落，影響器件良率；進一步地，還會產生散熱差、高溫高濕特性差等問題。在固晶過程中，還會引起固晶不良，也會出現焊盤電極斷裂的隱患，影響器件的可靠性。
3、為了解決上述問題，有必要提供一種能夠改善焊盤電極推力的結構。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術中led芯片的缺陷及不足，本專利技術的目的在于提供一種半導體發光元件及發光裝置。在半導體發光元件的設計上，自發光外延層向襯底方向投影，使得焊盤電極的投影邊界線位于發光臺面的投影邊界線和切
2、為實現上述目的及其它相關目的，本專利技術提供了一種半導體發光元件，其包括：
3、襯底，具有相對的第一表面和第二表面；
4、發光外延層，形成于所述襯底的第一表面上，并且包括自所述第一表面依次堆疊的第一導電類型半導體層、有源層以及第二導電類型半導體層；
5、絕緣層，至少覆蓋所述發光外延層的上表面及側壁；
6、電極結構，包括位于所述絕緣層上方的焊盤電極，所述焊盤電極包括與所述第一導電類型半導體層電連接的第一焊盤電極，以及與所述第二導電類型半導體層電連接的第二焊盤電極，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極在第一方向上相互間隔設置；
7、定義自所述發光外延層向所述第一表面為第二方向，沿所述第二方向投影，所述第一導電類型半導體層的下邊緣具有第一投影線，所述第二導電類型半導體層的上邊緣具有第二投影線，所述第一投影線位于所述第二投影線的外圍，并且所述焊盤電極靠近所述發光外延層的邊緣的投影邊界線位于所述第一投影線和所述第二投影線之間。
8、本專利技術的第二方面提供一種發光裝置，其包括基板，以及固定至所述基板上的若干半導體發光元件，所述半導體發光元件為本申請提供的所述半導體發光元件，所述基板包括固晶區，所述半導體發光元件通過第一焊盤電極和第二焊盤電極固定至所述固晶區。
9、如上所述，本專利技術提供的本專利技術提供的半導體發光元件及發光裝置，至少具備如下有益技術效果：
10、本專利技術的半導體發光元件包括襯底以及形成在襯底第一表面上的發光外延層，形成在所述發光外延層表面及側壁上的絕緣層，以及位于所述絕緣層上方的焊盤電極。自發光外延層向第一表面投影，所述第一半導體層的下邊緣具有第一投影線，所述第二導電類型半導體層的上邊緣具有第二投影線，所述第一投影線位于所述第二投影線的外圍，并且所述焊盤電極靠近所述發光外延層的邊緣的投影邊界線位于所述第一投影線和所述第二投影線之間。上述第一投影線與所述第二投影線之間暴露的所述第一導電類型半導體層形成第一臺面，所述第二投影線范圍內的所述發光外延層形成第二臺面，所述發光外延層的外圍的襯底邊緣區域形成第三臺面，因此，在發光外延層向第一表面的投影中，焊盤電極蓋過第一臺面的邊緣，進一步地，相比于第一臺面的邊緣，使得焊盤電極的邊緣更加靠近第三臺面的邊緣(即襯底邊緣)。由此可以增加焊盤電極的表面積，例如可以使得焊盤電極的表面積增加11％左右，由此，可以大大提高后續固晶過程中電極焊盤的推力，即，增加焊盤電極與固晶的基板之間的結合力。防止并避免發光元件自基板脫落，提高可靠性。
11、另外，本申請焊盤電極的設置，使其不會完全覆蓋到第三臺面，因此在發光元件的切割過程中，第三臺面處出現絕緣層崩裂的區域不會被焊盤電極遮擋，這樣就便于在后續的aoi檢測中識別該崩裂區域，提高發光元件的良率，避免發生崩裂的發光元件進入固晶階段，也就避免了品固晶后錫膏會進入崩裂的區域，導致芯粒漏電，由此提高器件的可靠性。
12、當第一電極結構包括第一擴展條時，在發光外延層向第一表面的投影中，在第二焊盤電極與第一擴展條在第一方向上存在重疊區域，在該重疊區域第二焊盤電極和第一擴展條在第二方向上不重疊，進一步地，該區域第二焊盤電極的邊界與更加靠近第二臺面的邊界，或者與第二臺面的邊界重合。由此，可以避免第二焊盤電極與第一擴展條之間發生不期望的漏電現象，提高發光元件的良率及可靠性。
13、另外，在發光外延層向第一表面的投影中，在發光元件的邊角、焊盤電極的邊角以及發光臺面的邊角對應設置，并且焊盤電極的邊角投影邊緣與切割臺面的邊角投影邊緣之間具有一距離，該距離使得切割臺面的邊角在投影中形成為類似月牙狀的結構。該月牙狀結構不被焊盤電極覆蓋，因此，可以在后續檢測中作為檢測標記，便于對發光元件進行切割后崩邊崩角的檢測。
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1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一投影線和所述第二投影線之間具有第一距離D1，所述焊盤電極的邊界線與所述第二投影線之間具有第二距離D2，其中
3.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一距離D1介于5μm～20μm，所述第二距離D2介于2μm～10μm。
4.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一距離D1與所述第二距離D2的差值大于等于1μm。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述半導體發光元件形成有第一臺面、第二臺面及第三臺面，所述第一投影線與所述第二投影線之間暴露的所述第一導電類型半導體層形成所述第一臺面，所述第二投影線范圍內的所述發光外延層形成所述第二臺面，所述第二臺面包括依次疊置的上述第一導電類型的半導體層、所述有源層及所述第二導電類型的半導體層，所述第三臺面為所述發光外延層的外圍的襯底邊緣區域。
6.根據權利要求5所述的半導體發光元件，其特征在于，所述電極結構還包括接觸電極，所述接觸電極包
7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述重疊區域以外的非重疊區域，所述焊盤電極的邊界線與所述第二投影線之間具有第二距離D2，其中D3＜D2。
8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一臺面包括用于形成所述電極結構的第一接觸電極的接觸臺面區，所述接觸臺面區位于所述半導體發光元件的一側，在所述接觸臺面所在的一側之外的所述半導體發光元件的其他側，所述焊盤電極的邊緣的投影邊界線位于所述第一投影線和所述第二投影線之間。
9.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，在所述第一臺面包括用于形成所述電極結構的第一接觸電極的接觸臺面區，所述接觸臺面區位于所述半導體發光元件的一側，在所述接觸臺面所在的一側，所述第一焊盤電極的投影邊界線位于所述第一接觸電極靠近所述第一投影線的投影邊界與所述第一投影線之間。
10.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，沿所述第二方向投影，所述第二導電類型半導體層的上邊緣、所述第一導電類型半導體層的下邊緣及所述電極焊盤的邊角位置對應設置，并且投影邊界均形成為倒角結構，所述第二導電類型半導體層的上邊緣的倒角結構的倒角弧線的中點與所述焊盤電極的倒角結構的倒角弧線的中點之間具有第五距離D5，所述焊盤電極的倒角結構的倒角弧線的中點與所述第一導電類型半導體層的下邊緣的倒角結構的倒角弧線的中點之間具有第六距離D6，其中D5≤D6。
11.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，沿所述第二方向投影，所述第二導電類型半導體層的上邊緣、所述第一導電類型半導體層的下邊緣及所述電極焊盤的邊角位置對應設置，并且投影邊界均形成為倒角結構，所述焊盤電極的倒角結構的倒角弧線的中點與所述第一導電類型半導體層的下邊緣的倒角結構的倒角弧線的中點之間的距離為D6，所述焊盤電極沿直線延伸的邊的投影邊界與所述第一導電類型半導體層的下邊緣的邊界線之間具有第七距離D7，D6＞D7。
12.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，沿所述第二方向投影，所述焊盤電極的投影面積占所述發光外延層的投影面積的60％～90％。
13.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述絕緣層具有第一開口和第二開口，所述第一焊盤電極經所述第一開口與所述第一接觸電極形成電連接，所述第二焊盤電極經所述第二開口與所述第二接觸電極形成電連接。
14.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極在所述第一方向上的間隔距離介于50μm～200μm。
15.一種發光裝置，其特征在于，包括電路基板，以及固定至所述電路基板上的若干半導體發光元件，所述半導體發光元件為權利要求1～14中任一項所述的半導體發光元件，所述電路基板包括固晶區，所述半導體發光元件通過第一焊盤電極和第二焊盤電極固定至所述固晶區。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一投影線和所述第二投影線之間具有第一距離d1，所述焊盤電極的邊界線與所述第二投影線之間具有第二距離d2，其中
3.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一距離d1介于5μm～20μm，所述第二距離d2介于2μm～10μm。
4.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一距離d1與所述第二距離d2的差值大于等于1μm。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述半導體發光元件形成有第一臺面、第二臺面及第三臺面，所述第一投影線與所述第二投影線之間暴露的所述第一導電類型半導體層形成所述第一臺面，所述第二投影線范圍內的所述發光外延層形成所述第二臺面，所述第二臺面包括依次疊置的上述第一導電類型的半導體層、所述有源層及所述第二導電類型的半導體層，所述第三臺面為所述發光外延層的外圍的襯底邊緣區域。
6.根據權利要求5所述的半導體發光元件，其特征在于，所述電極結構還包括接觸電極，所述接觸電極包括位于所述第一臺面上方并且與所述第一導電類型半導體層接觸的第一接觸電極，以及位于所述第二臺面上方并且與所述第二導電類型半導體層接觸的第二接觸電極，所述電極結構還包括自所述第一接觸電極沿所述第一方向延伸的第一擴展條；
7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述重疊區域以外的非重疊區域，所述焊盤電極的邊界線與所述第二投影線之間具有第二距離d2，其中d3＜d2。
8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一臺面包括用于形成所述電極結構的第一接觸電極的接觸臺面區，所述接觸臺面區位于所述半導體發光元件的一側，在所述接觸臺面所在的一側之外的所述半導體發光元件的其他側，所述焊盤電極的邊緣的投影邊界線位于所述第一投影線和所述第二投影線之間。
9.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，在所述第一臺面包括用于形成所述電極結構的第一接觸電極的接觸臺面區，所述接觸臺面區位于所述半導體發光元...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧超，林晨，李暢暢，徐瑾，洪靈愿，王慶，曾江斌，
申請(專利權)人：湖北三安光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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