【技術實現步驟摘要】
本文討論的實施方式涉及光調制器元件、光發射器和光收發器。
技術介紹
1、近年來，隨著數據中心和5g前端和回程的通信容量的增加，例如，對大容量光纖通信的需求在增加，并且使用將電信號調制成光信號的光調制器元件的光收發器因此被廣泛使用。在光收發器中使用的光調制器元件實現高速通信，同時減少光損耗。
2、專利文獻1：美國專利申請公開no.2022/0187635
3、專利文獻2：美國專利申請公開no.2022/0026747
4、專利文獻3：美國專利申請公開no.2022/0252911
5、在光調制器元件中，當導模的電場擴展時，產生高階模式，并且高階模之間的干涉降低光調制信號的消光比和光調制強度，增加比特誤差，從而降低光信號的質量。而且，當產生高階模時，光能從基模轉換到高階模，并產生光損耗。
6、因此，本專利技術實施方式的一方面的目的是提供一種光調制器元件，其能夠減少光信號質量的劣化并減少光損耗，同時減少高階模的產生。
技術實現思路
1、根據實施方式的一方面，光調制器元件包括肋光波導、第一薄膜、第一高濃度摻雜區和第一金屬電極。該肋光波導包括具有pn結的肋部、連接到該肋部的p型區的p型平板區、以及連接到該肋部的n型區的n型平板區。第一薄膜形成在p型平板區上，并且第一薄膜的電子親和能不同于用于p型平板區的材料的電子親和能。p型平板區中的第一高濃度摻雜區位于與肋部分離的位置處。第一金屬電極電連接到第一高濃度摻雜區，第一高濃度摻雜區位于在
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種光調制器元件，所述光調制器元件包括：
2.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述P型平板區上，在所述第一薄膜和所述第一金屬電極之間具有間隙。
3.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜包括電子親和能小于用于所述P型平板區的材料的電子親和能的材料。
4.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜處于未被有意摻雜的未摻雜狀態。
5.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述P型平板區上，在所述第一薄膜和所述肋部的側壁之間具有間隙。
6.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜的至少一部分形成在所述第一高濃度摻雜區上。
7.根據權利要求1所述的光調制器元件，所述光調制器元件還包括：
8.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜形成在所述N型平板區上，在所述第二薄膜和所述第二金屬電極之間具有間隙。
9.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜包括電子親和能小于用于所述N型平板區的所述
10.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜處于未被有意摻雜的未摻雜狀態。
11.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜形成在所述N型平板區上，在所述第二薄膜和所述肋部的側壁之間具有間隙。
12.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜的至少一部分形成在所述第二高濃度摻雜區上。
13.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述肋光波導包括硅，并且所述第一薄膜和所述第二薄膜包括鍺。
14.根據權利要求13所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜和所述第二薄膜包括硅和鍺，并且所述鍺的組成比為至少0.2至0.4。
15.根據權利要求13所述的光調制器元件，其中，包括硅的覆蓋層覆蓋所述第一薄膜和所述第二薄膜的表面。
16.一種光發射器，所述光發射器包括光調制器元件，所述光調制器元件通過使用所發射的信號執行光的光調制并且發射所發射的光，其中，所述光調制器元件包括：
17.根據權利要求16所述的光發射器，其中，所述光調制器元件還包括：
18.一種光收發器，所述光收發器包括：
19.根據權利要求18所述的光收發器，其中，所述光調制器元件還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種光調制器元件，所述光調制器元件包括：
2.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述p型平板區上，在所述第一薄膜和所述第一金屬電極之間具有間隙。
3.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜包括電子親和能小于用于所述p型平板區的材料的電子親和能的材料。
4.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜處于未被有意摻雜的未摻雜狀態。
5.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜形成在所述p型平板區上，在所述第一薄膜和所述肋部的側壁之間具有間隙。
6.根據權利要求1所述的光調制器元件，其中，所述第一薄膜的至少一部分形成在所述第一高濃度摻雜區上。
7.根據權利要求1所述的光調制器元件，所述光調制器元件還包括：
8.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜形成在所述n型平板區上，在所述第二薄膜和所述第二金屬電極之間具有間隙。
9.根據權利要求7所述的光調制器元件，其中，所述第二薄膜包括電子親和能小于用于所述n型平板區的所述材料的電子親和能的材料。
10.根據權利要求7所述的光調...
【專利技術屬性】
技術研發人員：小川憲介，
申請(專利權)人：富士通光器件株式會社，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。