【技術實現步驟摘要】
本技術涉及溴化氫合成，具體涉及一種溴化氫合成爐。
技術介紹
1、溴化氫，又名氫溴酸，hbr的二元化合物，具有較強的腐蝕性，能與一些活性金屬粉末發生反應，是制造各種無機溴化物和某些烷基溴化物的基本原料。因其具備的強腐蝕性使其能夠應用于半導體行業中的蝕刻工藝中。現有技術中，等離子溴化氫蝕刻技術可以精確控制蝕刻深度及垂直度，同時不破壞臭氧層，不產生溫室氣體，是氟碳類蝕刻氣體的良好替代品。隨著半導體行業的發展，其對制程的主要工藝蝕刻用到的電子級溴化氫純度提出了更高的要求，在制程過程中，如果雜質的污染，很容易導致晶片內電路功能的損壞，使得集成電路的失效及影響幾何特征的形成，因此需要具有高純度的溴化氫氣體。
2、目前溴化氫的合成主要是通過氫氣與溴直接燃燒合成，但燃燒反應要求苛刻，燃燒設備的噴嘴設計要求高且復雜，還需在燃燒設備內安裝點火用的燈頭，使燃燒設備的結構更復雜并且在點燃時伴隨著爆炸風險，為降低風險系數，可加入催化劑降低燃燒溫度，促進反應過程，但燃燒過程會導致催化劑失活，導致生產過程中需要頻繁更換催化劑，導致生產過程繁瑣，生產成本增加；此外，除采用氫氣與溴燃燒制取溴化氫的方法外，也有采用溴與氨氣反應生成溴化氫和氮氣，再從中分離除溴化氫的方法，該方法產物含雜質較多，提高了溴化氫提純的難度，不利于溴化氫在高純度需求的行業中的應用。
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種溴化氫合成爐，用以解決燃燒設備結構復雜且風險較高，避免頻繁更換催化劑，以及反應產物含雜質較多的問題。
<...【技術保護點】
1.一種溴化氫合成爐，包括爐體，其特征在于，所述爐體包括筒體(1)和變徑段(2)，所述筒體(1)外層設置有冷卻水夾套(3)，所述筒體(1)的頂端設置有進氣口(11)，所述筒體(1)的下部設置有若干個換熱塊(12)，所述變徑段(2)連接在所述筒體(1)的底部，所述變徑段(2)的底部開設有出酸口(21)，所述變徑段(2)的側壁上設置有出氣口(22)和防爆口(23)。
2.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述筒體(1)的頂部設置有若干個火檢口(13)，所述火檢口(13)中插設有火焰檢測器。
3.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述換熱塊(12)內設置有若干橫向和縱向設置的流道。
4.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述筒體(1)與所述換熱塊(12)均采用碳化硅復合材料。
5.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述冷卻水夾套(3)的頂部側壁上開設有出水口(15)和放空口(14)，底部側壁上開設有進水口(16)和排污口(17)。
6.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，
7.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述冷卻水夾套(3)的底部設置有法蘭二(31)，所述法蘭二(31)連接有法蘭三(32)，所述法蘭二(31)與所述法蘭三(32)之間設置有橡膠墊，所述法蘭二(31)與所述法蘭三(32)用于封堵所述冷卻水夾套(3)，所述變徑段(2)上部設置有法蘭一(24)，所述法蘭一(24)與所述法蘭二(31)和法蘭三(32)連接，用于連接所述筒體(1)與所述變徑段(2)。
...【技術特征摘要】
1.一種溴化氫合成爐，包括爐體，其特征在于，所述爐體包括筒體(1)和變徑段(2)，所述筒體(1)外層設置有冷卻水夾套(3)，所述筒體(1)的頂端設置有進氣口(11)，所述筒體(1)的下部設置有若干個換熱塊(12)，所述變徑段(2)連接在所述筒體(1)的底部，所述變徑段(2)的底部開設有出酸口(21)，所述變徑段(2)的側壁上設置有出氣口(22)和防爆口(23)。
2.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述筒體(1)的頂部設置有若干個火檢口(13)，所述火檢口(13)中插設有火焰檢測器。
3.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述換熱塊(12)內設置有若干橫向和縱向設置的流道。
4.根據權利要求1所述一種溴化氫合成爐，其特征在于，所述筒體(1)與所述換熱塊(12...
【專利技術屬性】
技術研發人員：繆世陽，陳鈞，吳春暉，費天成，
申請(專利權)人：南通星球石墨股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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