【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
技術介紹
技術實現思路
【技術保護點】
1.一種用于制造環境阻隔涂層(EBC)系統到基材上的制造方法，其包括沉積硅結合涂層的步驟，和沉積含氧阻隔涂層的至少一個步驟，其特征在于所述制造方法在真空環境中進行。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述制造方法包括至少一個基材預處理步驟，所述步驟在沉積硅結合涂層的步驟之前在真空環境中進行。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于所述至少一個基材預處理步驟和所述沉積硅結合涂層的步驟，以及所述沉積含氧阻隔涂層的至少一個步驟是真空工藝的一部分，其在所述工藝步驟期間或之間無真空的中斷。
4.根據權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于所述真空環境包括等離子體。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于所述等離子體環境通過至少一次電弧放電產生，其優選在至少一種稀有氣體中，最優選在氬氣中。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述至少一次電弧放電在20A至1000A的范圍中的放電電流和15V至100V的范圍中的放電電壓操作。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述至少一次電弧放電用于離解至少一種含硅前體。<...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種用于制造環境阻隔涂層(ebc)系統到基材上的制造方法，其包括沉積硅結合涂層的步驟，和沉積含氧阻隔涂層的至少一個步驟，其特征在于所述制造方法在真空環境中進行。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述制造方法包括至少一個基材預處理步驟，所述步驟在沉積硅結合涂層的步驟之前在真空環境中進行。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于所述至少一個基材預處理步驟和所述沉積硅結合涂層的步驟，以及所述沉積含氧阻隔涂層的至少一個步驟是真空工藝的一部分，其在所述工藝步驟期間或之間無真空的中斷。
4.根據權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于所述真空環境包括等離子體。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于所述等離子體環境通過至少一次電弧放電產生，其優選在至少一種稀有氣體中，最優選在氬氣中。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述至少一次電弧放電在20a至1000a的范圍中的放電電流和15v至100v的范圍中的放電電壓操作。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述至少一次電弧放電用于離解至少一種含硅前體。
8.根據權利要求1或權利要求4所述的方法，其特征在于所述方法在低于600℃的所述基材的溫度進行。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述硅結合涂層沉積至在0.01μm和500μm之間的范圍中的厚度。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于所述硅結合涂層在沉積后氧化。
11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于所述硅結合涂層通過濺射來自至少一個濺射來源的至少一種摻雜元素來摻雜。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述至少一種摻雜元素是選自al、b、...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳殿營，B·韋德里格，J·拉姆，
申請(專利權)人：歐瑞康表面解決方案股份公司，普費菲孔，
類型：發明
國別省市：
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