【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體裝置，尤其是其恢復損耗的降低。
技術介紹
1、在半導體裝置中，利用使用pn結來控制電流的技術。二極管具有pn結，允許從p側的陽極向n側的陰極流通的電流，阻斷相反方向的電流。而且，導通時，從陽極注入大量被稱為電洞的載子，從陰極注入大量被稱為電子的載子，從而降低導通時的順向電壓降vf。
2、另一方面，恢復時，將所注入的電洞與電子(載子)分別向陽極與陰極排出，因此若存在大量載子，則恢復損耗err會變大。
3、專利文獻1中揭示了設置壽命抑制因數(lifetime?killer)，使內部的載子消亡，由此加快載子排出的內容。
4、[
技術介紹
文獻]
5、[專利文獻]
6、[專利文獻1]國際公開wo2017/146148號公報
技術實現思路
1、[專利技術要解決的問題]
2、在這里，壽命抑制因數是通過使半導體形成晶體缺陷而設置的，實施該處理需要大規模的裝置及作業工序。進而，設置壽命抑制因數還會造成溫度特性變差及漏電流變大的問題。
3、[解決問題的技術手段]
4、本專利技術的半導體裝置包含：
5、半導體基材；
6、陽極電極，形成在所述半導體基材的一側的表面上；
7、陰極電極，形成在所述半導體基材的另一側的表面上；
8、p層，形成在所述半導體基材內的所述陽極電極側；
9、n層，形成在所述半導體基材內的所述p層的所述陰極電極側
10、n+層，配置在所述p層與所述n層之間，載子濃度比所述n層高；及
11、陽極溝槽，從所述半導體基材的一側的表面向另一側的表面延伸，貫通所述p層，延伸到所述n+層，在周邊的所述n+層之間形成有絕緣膜，并且內部配置的導電材連接于所述陽極電極。
12、[專利技術的效果]
13、根據本專利技術的半導體裝置，通過具有n+層，能使斷路時殘留的載子為相對較低的濃度，從而在斷路時能降低損耗。另外，通過陽極溝槽所帶來的電場，能提高耐壓。
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1.一種半導體裝置，包含：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中
【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，包含：
2.根據權利要求1所述的半導體...
【專利技術屬性】
技術研發人員：岡田哲也，岡田喜久雄，新井寬己，
申請(專利權)人：上海韋爾半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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