【技術實現步驟摘要】
本公開涉及一種半導體存儲器件，并且更具體地涉及一種具有改進的電特性和集成度的半導體存儲器件。
技術介紹
1、近來，為了獲得針對用戶需求的改進的性能和/或低價格，對于半導體器件更高集成度的要求有所增加。在半導體存儲器件中，可能特別需要更高的集成度，因為集成度是決定價格的重要因素。在二維或平面半導體器件中，由于集成程度主要取決于單位存儲單元所占據的面積，因此集成度受到用于形成精細圖案的技術的影響。然而，為了實現微小的圖案，二維半導體器件的集成度的增加可能受到限制，因為可能需要安裝昂貴的設備。因此，已經提出了用于增加半導體器件的集成度、電阻和電流驅動能力的半導體存儲器件。
技術實現思路
1、根據示例實施例，一種半導體存儲器件可以包括：位線，所述位線在第一方向上延伸；有源圖案，所述有源圖案位于所述位線上，所述有源圖案包括在所述第一方向上彼此面對的第一垂直部分和第二垂直部分以及連接所述第一垂直部分和所述第二垂直部分的水平部分；第一字線和第二字線，所述第一字線和所述第二字線設置在所述第一垂直部分與所述第二垂直部分之間的所述水平部分上并且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；柵極絕緣圖案，所述柵極絕緣圖案位于所述第一字線和所述第二字線與所述有源圖案之間；以及電容器，所述電容器連接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的每一者，并且所述電容器可以包括第一電極圖案、位于所述第一電極圖案上的第二電極圖案和位于所述第一電極圖案與所述第二電極圖案之間的鐵電圖案，所述第一電極圖案連接到所述第一垂直部分和所述
2、根據示例實施例，一種半導體存儲器件可以包括：多條位線，所述多條位線在第一方向上延伸；有源圖案，所述有源圖案在所述第一方向上布置在每一條所述位線上，每一個所述有源圖案包括平行于所述位線的水平部分和從所述水平部分垂直突出的垂直部分；多條字線，所述多條字線與所述位線交叉并且在第二方向上延伸，所述字線分別設置在沿所述第二方向布置的所述有源圖案上；第一電極圖案，所述第一電極圖案分別連接到所述有源圖案的所述垂直部分；第二電極圖案，所述第二電極圖案設置在沿所述第二方向上布置的第一電極圖案的行上，每一個所述第二電極圖案在所述第二方向上延伸并且平行于字線；以及介電圖案，該介電圖案位于所述第一電極圖案與每一個所述第二電極圖案之間。
3、根據示例實施例，一種半導體存儲器件可以包括：外圍電路結構，所述外圍電路結構包括半導體襯底上的外圍電路和覆蓋所述外圍電路的下絕緣層；多條位線，所述多條位線在所述外圍電路結構上在第一方向上延伸；有源圖案，所述有源圖案在所述第一方向上布置在每一條所述位線上，每一個所述有源圖案包括平行于所述位線的水平部分和從所述水平部分垂直突出的垂直部分；多條字線，所述多條字線與所述位線交叉并且在第二方向上延伸，每一條所述字線設置在沿所述第二方向布置的所述有源圖案上；第一電極圖案，所述第一電極圖案連接到所述有源圖案的所述垂直部分，每一個所述第一電極圖案包括連接到第一垂直部分或第二垂直部分的底部部分和從所述底部部分延伸的側壁部分；第二電極圖案，所述第二電極圖案設置在沿第二方向布置的所述第一電極圖案的行上，每一個所述第二電極圖案包括在所述第二方向上延伸的線部分和填充由所述第一電極圖案的底部部分和側壁部分限定的空間的填充部分；以及鐵電圖案，所述鐵電圖案位于所述第一電極圖案與每一個所述第二電極圖案之間。
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1.一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第一電極圖案包括連接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的所述一者的底部部分和從所述底部部分延伸的側壁部分。
3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述第二電極圖案包括：
4.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述鐵電圖案以均勻的厚度覆蓋所述第一電極圖案的所述底部部分和所述側壁部分。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述鐵電圖案包括HfO2、HfSiO2、HfAlO2、HfSiON、HfZnO、HfZrO2、ZrO2、ZrSiO2、HfZrSiO2、ZrSiON、LaAlO、HfDyO2或HfScO2。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述有源圖案包括多晶硅或金屬氧化物。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括位于所述第一電極圖案與所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的一者之間的著陸焊盤，所述著陸焊盤的底表面處于比所述柵極絕緣圖案的上表面低
8.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述有源圖案的底表面處于比所述位線的上表面低的水平高度。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：
10.一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括：
11.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述介電圖案包括鐵電材料、反鐵電材料、順電材料或其組合。
12.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述有源圖案包括多晶硅或金屬氧化物。
13.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括分別位于所述第一電極圖案與所述垂直部分之間的著陸焊盤。
14.根據權利要求13所述的半導體存儲器件，其中，所述第一電極圖案穿透模制絕緣層以分別連接到所述著陸焊盤。
15.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括屏蔽線，所述屏蔽線在沿所述第二方向彼此相鄰的所述位線之間在所述第一方向上延伸。
16.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，每一個所述第一電極圖案包括連接到所述垂直部分中的相應垂直部分的底部部分和從所述底部部分延伸的側壁部分。
17.一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括：
18.根據權利要求17所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括分別位于所述第一電極圖案與所述有源圖案的所述垂直部分之間的著陸焊盤。
19.根據權利要求17所述的半導體存儲器件，其中，所述垂直部分包括每一個所述有源圖案上的第一垂直部分和第二垂直部分，所述第一垂直部分和所述第二垂直部分在所述第一方向上彼此面對并且共同連接到所述水平部分。
20.根據權利要求17所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括跨越所述位線在所述第二方向上延伸的第一絕緣圖案，每一個所述第一絕緣圖案位于沿所述第一方向上彼此相鄰的所述有源圖案之間。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括：
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第一電極圖案包括連接到所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的所述一者的底部部分和從所述底部部分延伸的側壁部分。
3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述第二電極圖案包括：
4.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述鐵電圖案以均勻的厚度覆蓋所述第一電極圖案的所述底部部分和所述側壁部分。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述鐵電圖案包括hfo2、hfsio2、hfalo2、hfsion、hfzno、hfzro2、zro2、zrsio2、hfzrsio2、zrsion、laalo、hfdyo2或hfsco2。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述有源圖案包括多晶硅或金屬氧化物。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件還包括位于所述第一電極圖案與所述第一垂直部分和所述第二垂直部分中的一者之間的著陸焊盤，所述著陸焊盤的底表面處于比所述柵極絕緣圖案的上表面低的水平高度。
8.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述有源圖案的底表面處于比所述位線的上表面低的水平高度。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：
10.一種半導體存儲器件，所述半導體存儲器件包括：
11.根據權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述介電圖案包括鐵電材料、反鐵...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林漢鎮，韓珍優，李基碩，金根楠，樸碩韓，鄭文泳，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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