【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及芯片測(cè)試，尤其涉及一種存儲(chǔ)芯片的篩選方法及裝置、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。
技術(shù)介紹
1、擦寫能力是衡量存儲(chǔ)芯片質(zhì)量的重要指標(biāo)，隨著存儲(chǔ)芯片在物聯(lián)網(wǎng)、5g通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)擦寫能力的要求也越來越高。因此，如何準(zhǔn)確篩除擦寫能力不佳的芯片對(duì)提升產(chǎn)品良率十分重要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┐鎯?chǔ)芯片的篩選方法及裝置、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，以準(zhǔn)確篩除擦鞋能力不足的存儲(chǔ)芯片，從而提升產(chǎn)品良率。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)芯片的篩選方法，包括：
3、調(diào)整所述存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)；
4、基于調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行重復(fù)擦寫操作；
5、當(dāng)所述擦寫操作達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)，獲取所述存儲(chǔ)芯片的寫入深度參數(shù)；
6、當(dāng)所述寫入深度參數(shù)位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，將所述存儲(chǔ)芯片作為良品保留。
7、本申請(qǐng)實(shí)施例通過調(diào)整存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)實(shí)現(xiàn)加嚴(yán)篩選，將容易在擦寫次數(shù)增加時(shí)發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的存儲(chǔ)芯片篩除，從而提升產(chǎn)品良率。
8、在一種實(shí)現(xiàn)中，所述的調(diào)整所述存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)，包括：提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述柵極電壓的絕對(duì)值；和/或，提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述位線電壓。本申請(qǐng)實(shí)施例通過以上方式增加目標(biāo)存儲(chǔ)單元的位線電壓和柵極電壓之間的電壓差的絕對(duì)值，該電壓差的絕對(duì)值增強(qiáng)時(shí)會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片在擦寫時(shí)抗干擾的能力下降，即擦除或?qū)懭霐?shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤，隨著擦寫次數(shù)的增加，這種抗干擾能力的下降會(huì)不斷累積，最
9、在一種實(shí)現(xiàn)中，所述的基于調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行擦寫操作，包括：根據(jù)調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述第一存儲(chǔ)單元施加測(cè)試電壓；擦除所述存儲(chǔ)芯片中的第一數(shù)據(jù)；并反復(fù)向所述存儲(chǔ)芯片寫入第二數(shù)據(jù)，直到寫入所述第二數(shù)據(jù)的次數(shù)達(dá)到所述預(yù)設(shè)次數(shù)。本申請(qǐng)實(shí)施例在擦除存儲(chǔ)芯片中的數(shù)據(jù)后，通過反復(fù)向存儲(chǔ)芯片全片寫入相同數(shù)據(jù)來對(duì)存儲(chǔ)芯片施加干擾，以篩選出擦寫能力較佳的存儲(chǔ)芯片。
10、在一種實(shí)現(xiàn)中，所述第二數(shù)據(jù)為0xff。
11、在一種實(shí)現(xiàn)中，所述存儲(chǔ)芯片包括非易失閃存芯片。
12、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)芯片的篩選裝置，包括：
13、電壓調(diào)整單元，用于調(diào)整所述存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)；
14、數(shù)據(jù)擦寫單元，用于基于調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行重復(fù)擦寫操作；
15、寫入深度獲取單元，用于當(dāng)所述擦寫操作達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)，獲取所述存儲(chǔ)芯片的寫入深度參數(shù)；
16、篩選單元，用于當(dāng)所述寫入深度參數(shù)位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，將所述存儲(chǔ)芯片作為良品保留。
17、在一種實(shí)現(xiàn)中，調(diào)整單元用于提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述柵極電壓的絕對(duì)值；和/或，提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述位線電壓。
18、在一種實(shí)現(xiàn)中，所述數(shù)據(jù)擦寫單元用于根據(jù)調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述第一存儲(chǔ)單元施加測(cè)試電壓；還用于擦除所述存儲(chǔ)芯片；并反復(fù)向所述存儲(chǔ)芯片寫入全1數(shù)據(jù)，直到寫入所述全1數(shù)據(jù)的次數(shù)達(dá)到所述預(yù)設(shè)次數(shù)。
19、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)芯片的篩選裝置，包括處理器，用于調(diào)用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的指令，所述指令被所述處理器調(diào)用時(shí)，使得所述處理器執(zhí)行以上第一方面提供的任一項(xiàng)所述的篩選方法。
20、第四方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括指令，其中，所述指令在被處理器執(zhí)行時(shí)，以上第一方面中任一項(xiàng)所述的篩選方法被執(zhí)行。
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1.一種存儲(chǔ)芯片的篩選方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，所述的調(diào)整所述存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的篩選方法，其特征在于，所述的基于調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行擦寫操作，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的篩選方法，其特征在于，所述第二數(shù)據(jù)為0xFF。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的篩選方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片包括非易失閃存芯片。
6.一種存儲(chǔ)芯片的篩選裝置，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的篩選裝置，其特征在于，調(diào)整單元用于提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述柵極電壓的絕對(duì)值；和/或，提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元的所述位線電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6-7任一所述的篩選裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)擦寫單元用于根據(jù)調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述第一存儲(chǔ)單元施加測(cè)試電壓；還用于擦除所述存儲(chǔ)芯片；并反復(fù)向所述存儲(chǔ)芯片寫入全1數(shù)據(jù)，直到寫入所述全1數(shù)據(jù)的次數(shù)達(dá)到所述預(yù)設(shè)次數(shù)。
9.一種存儲(chǔ)芯片的篩選裝置，其特征在
10.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，包括指令，其中，所述指令在被處理器執(zhí)行時(shí)，如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的篩選方法被執(zhí)行。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲(chǔ)芯片的篩選方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，所述的調(diào)整所述存儲(chǔ)芯片中目標(biāo)存儲(chǔ)單元的電壓參數(shù)，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的篩選方法，其特征在于，所述的基于調(diào)整后的所述電壓參數(shù)對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行擦寫操作，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的篩選方法，其特征在于，所述第二數(shù)據(jù)為0xff。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的篩選方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片包括非易失閃存芯片。
6.一種存儲(chǔ)芯片的篩選裝置，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的篩選裝置，其特征在于，調(diào)整單元用于提高所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙凱，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：普冉半導(dǎo)體上海股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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