【技術實現步驟摘要】
本申請涉及太陽能電池，特別是涉及一種太陽能電池、光伏組件和光伏系統。
技術介紹
1、在太陽能電池中，硅太陽能電池是目前光伏發電領域的主流之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時有著優異的電學性能和機械性能。在未來光伏技術的發展中，進一步提高硅太陽能電池的光電轉換效率，降低太陽能電池生產成本，使得太陽能電池能夠更廣泛的利用成為了硅太陽能電池的研究重點。
2、目前，為了增大硅太陽能電池的光線利用效率，在硅太陽能電池的正面設置有減反射膜，減反射膜顧名思義即是減少光線反射，提高光線透過率的薄膜。
3、然而，目前的硅太陽能電池仍然具有太陽光利用率低等的問題，不利于硅太陽能電池光電轉換效率的提高。
技術實現思路
1、基于此，有必要提供一種太陽能電池、光伏組件和光伏系統。以提高太陽能電池的光利用效率。
2、第一方面，提供一種太陽能電池，包括：硅基底，設置于所述硅基底的正面的減反射層和第一光子晶體層；
3、其中，所述第一光子晶體層用于允許波長大于或等于480nm的光通過而阻止波長小于480nm的光通過。
4、可選地，所述第一光子晶體層設置于所述減反射層遠離所述硅基底的一側。
5、可選地，所述第一光子晶體層的厚度為225～265nm。
6、可選地，所述硅基底為p型硅基底，所述第一光子晶體層為氧化鈦光子晶體層；
7、或者，
8、所述硅基底為n型硅基底，所述第一光子晶體層為氧化鎳光子晶
9、可選地，太陽能電池還包括：設置于所述硅基底的背面的背面鈍化層和第二光子晶體層；
10、其中，所述第二光子晶體層用于允許波長大于或等于600nm的光通過而阻止波長小于600nm的光通過。
11、可選地，所述第二光子晶體層設置于所述背面鈍化層遠離所述硅基底的一側，且所述太陽能電池的背面電極部分覆蓋在所述硅基底上。
12、可選地，所述第二光子晶體層的厚度為280～330nm。
13、可選地，所述硅基底為p型硅基底，所述第二光子晶體層為氧化鎳光子晶體層；
14、或者，
15、所述硅基底為n型硅基底，所述第二光子晶體層為氧化鈦光子晶體層。
16、第二方面，提供一種光伏組件，包括：多個串聯和/或并聯連接的太陽能電池；
17、至少一個所述太陽能電池為如第一方面所述的太陽能電池。
18、第三方面，提供一種光伏系統，包括如第二方面所述的光伏組件。
19、上述的太陽能電池、光伏組件和光伏系統的有益效果如下：
20、通過設置第一光子晶體層，第一光子晶體層可以允許波長大于或等于480nm的光通過而阻止波長小于480nm的光通過，因此，該第一光子晶體層可以選擇性地使可見光和紅外光通過，而阻止紫外光通過，從而可以有效減少紫外干擾，同時，利用光子帶隙可以提高太陽能電池正面對可見光和紅外光的捕獲，進而可以提升電池效率，同時，第一光子晶體層與太陽能電池結合還表現出一定的色彩，可以賦予該太陽能電池較豐富的色彩，提高外觀美觀效果。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：硅基底，層疊設置于所述硅基底的正面的減反射層和第一光子晶體層；
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一光子晶體層的厚度為225～265nm。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
5.根據權利要求1～4任一項所述的太陽能電池，其特征在于，還包括：設置于所述硅基底的背面的背面鈍化層和第二光子晶體層；
6.根據權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二光子晶體層設置于所述背面鈍化層遠離所述硅基底的一側，且所述太陽能電池的背面電極部分覆蓋在所述硅基底上。
7.根據權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，
8.根據權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，
9.一種光伏組件，其特征在于，包括：多個串聯和/或并聯連接的太陽能電池；
10.一種光伏系統，其特征在于，包括如權利要求9所述的光伏組件。
【技術特征摘要】
1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：硅基底，層疊設置于所述硅基底的正面的減反射層和第一光子晶體層；
2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一光子晶體層的厚度為225～265nm。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，
5.根據權利要求1～4任一項所述的太陽能電池，其特征在于，還包括：設置于所述硅基底的背面的背面鈍化層和第二光子晶體層...
【專利技術屬性】
技術研發人員：潘聞景，陳紅，簡磊，辛體偉，夏斯陽，郭超，李松江，王榕，董龍輝，孟承啟，
申請(專利權)人：鹽城天合國能光伏科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。