【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別涉及一種半導體結構的制造方法及半導體結構。
技術介紹
1、常見的半導體封裝技術中，比如將芯片和電氣元件進行封裝的技術，通常將電氣元件設置于芯片背面，電氣元件通過位于芯片側面的導電結構與芯片正面的焊墊電連接。通過這種封裝技術得到的半導體產品的厚度較大，不利于實現半導體產品的輕薄化。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種半導體結構的制造方法及半導體結構。
2、本申請實施例的第一方面提供了一種半導體結構的制造方法。所述半導體結構的制造方法包括：
3、提供第一芯片及待封裝結構；所述第一芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與所述芯片背面的多個芯片側面，所述芯片正面設有多個焊墊；所述待封裝結構包括至少一個電氣元件及位于所述電氣元件一側的導電柱，所述導電柱與所述電氣元件電連接；
4、將所述第一芯片及所述待封裝結構貼裝在載板上，所述芯片正面與所述導電柱朝向所述載板；
5、形成第一塑封層，所述第一塑封層至少包封所述芯片側面及所述待封裝結構的側面；
6、剝離所述載板，形成再布線層，所述再布線層位于所述芯片正面及所述待封裝結構背離所述電氣元件的表面，所述焊墊通過所述再布線層與所述導電柱電連接。
7、在一個實施例中，所述待封裝結構還包括至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；所述第二塑封層的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
8、在一個實施
9、提供基板，所述基板上設有多個通孔；所述基板的材料為塑封料；
10、形成位于各通孔內的導電柱；
11、將所述電氣元件設置在所述基板上，使所述電氣元件朝向所述導電柱，并將所述電氣元件焊接至所述導電柱電；
12、形成至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；
13、對所述第二塑封層及所述基板進行切割，得到第一待封裝結構，所述第一待封結構中的至少一個電氣元件為無源器件。
14、在一個實施例中，所述待封裝結構包括第二待封裝結構，所述第二待封裝結構的電氣元件包括至少一個第一電氣元件和至少一個第二電氣元件，所述第二塑封層包括第一子塑封層和第二子塑封層；所述第二待封裝結構的制備過程包括：
15、提供基板，所述基板上設有多個通孔；所述基板的材料為塑封料；
16、形成位于各通孔內的導電柱；
17、將所述第一電氣元件設置在所述基板上，所述第一電氣元件朝向所述導電柱，并將所述第一電氣元件焊接至所述導電柱；
18、形成第一子塑封層，所述第一子塑封層包封所述第一電氣元件的側面及背離所述導電柱的表面；
19、形成貫穿所述第一子塑封層的開孔，所述開孔暴露所述導電柱的表面，并在所述開孔內設置導電部，所述導電部與所述導電柱電連接；
20、在所述第一子塑封層背離所述導電柱的一側設置第二電氣元件，所述第二電氣元件朝向所述導電部，并將所述第二電氣元件焊接至所述導電部電；所述第二電氣元件在所述基板上的正投影與至少與一個所述第一電氣元件在所述基板上的正投影存在部分交疊；
21、形成至少包封所述第二電氣元件的側面的第二子塑封層；
22、對所述第二塑封層及所述基板進行切割，得到第二待封裝結構，所述第二待封結構中的至少一個電氣元件為無源器件。
23、在一個實施例中，所述對所述第二塑封層及所述基板進行切割之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
24、對所述導電柱及所述基板背離所述電氣元件的一側進行減薄處理，使所述基板的厚度范圍及所述導電柱的厚度范圍均為40μm～60μm。
25、在一個實施例中，所述基板的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃；和/或，所述基板的熱膨脹系數與所述第二塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
26、在一個實施例中，所述電氣元件包括第二芯片及無源器件中的至少一種，所述無源器件包括電感、電阻及電容中的至少一種。
27、本申請實施例的第二方面提供了一種半導體結構。所述半導體結構包括：
28、第一芯片及預封裝結構；所述第一芯片包括芯片正面、與所述芯片正面相對的芯片背面、及連接所述芯片正面與所述芯片背面的多個芯片側面，所述芯片正面設有多個焊墊；所述預封裝結構包括至少一個電氣元件及位于所述電氣元件一側的導電柱，所述導電柱與所述電氣元件電連接；所述第一芯片與所述預封裝結構并列設置；
29、第一塑封層，至少包封所述芯片側面及所述預封裝結構的側面；
30、再布線層，位于所述芯片正面及所述導電柱背離所述電氣元件的表面，所述焊墊通過所述再布線層與所述導電柱電連接。
31、在一個實施例中，所述預封裝結構還包括至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；所述第二塑封層的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
32、在一個實施例中，所述預封裝結構還包括基板，所述基板的材料為塑封料；所述基板位于所述電氣元件朝向所述導電柱的一側，所述基板設有通孔，所述導電柱位于所述通孔內；
33、所述基板的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃；和/或，所述基板的熱膨脹系數與所述第二塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
34、在一個實施例中，所述預封裝結構的電氣元件包括至少一個第一電氣元件和至少一個第二電氣元件，所述預封裝結構中的至少一個電氣元件為無源器件；所述第二塑封層包括第一子塑封層和第二子塑封層；所述預封裝結構還包括導電部；
35、所述第二電氣元件位于第一電氣元件背離所述再布線層的一側，且與至少一個所述第一電氣元件相對；所述第一子塑封層包封所述第一電氣元件的側面及背離所述導電柱的表面，所述第一子塑封層設有貫穿所述第一子塑封層的開孔；所述第二子塑封層至少包封所述第二電氣元件的側面；所述導電柱位于所述第一電氣元件朝向所述再布線層的一側，所述導電部位于所述開孔內，且與所述導電柱電連接，所述第二電氣元件與所述導電部焊接在一起。
36、本申請實施例提供的半導體結構的制造方法及半導體結構，在制造過程中，先將第一芯片及待封裝結構分別貼裝在載板上，再形成第一塑封層，則制備得到的半導體結構中第一芯片及電氣元件并列設置，相對于電氣元件位于第一芯片的芯片背面的方案來說，可大大降低半導體結構的厚度；待封裝結構包括電氣元件及位于電氣元件一側的導電柱，電氣元件通過導電柱與再布線層電連接，導電柱的厚度可控，相對于在電氣元件與再布線層之間設置引線框來實現電氣元件與再布線層電連接的方案來說，可通過控制導電柱的厚度來達到降低半導體結構的厚度的目的。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構還包括至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；所述第二塑封層的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構包括第一待封裝結構，所述第一待封裝結構的制備過程包括：
4.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構包括第二待封裝結構，所述第二待封裝結構的電氣元件包括至少一個第一電氣元件和至少一個第二電氣元件，所述第二塑封層包括第一子塑封層和第二子塑封層；所述第二待封裝結構的制備過程包括：
5.根據權利要求3或4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述對所述第二塑封層及所述基板進行切割之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
6.根據權利要求3或4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述基板的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃；和/或，所述基板的熱膨脹系數與所述
7.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述電氣元件包括第二芯片及無源器件中的至少一種，所述無源器件包括電感、電阻及電容中的至少一種。
8.一種半導體結構，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述預封裝結構還包括至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；所述第二塑封層的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述預封裝結構還包括基板，所述基板的材料為塑封料；所述基板位于所述電氣元件朝向所述導電柱的一側，所述基板設有通孔，所述導電柱位于所述通孔內；
11.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述預封裝結構的電氣元件包括至少一個第一電氣元件和至少一個第二電氣元件，所述預封裝結構中的至少一個電氣元件為無源器件；所述第二塑封層包括第一子塑封層和第二子塑封層；所述預封裝結構還包括導電部；
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構還包括至少包封所述電氣元件的側面的第二塑封層；所述第二塑封層的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構包括第一待封裝結構，所述第一待封裝結構的制備過程包括：
4.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述待封裝結構包括第二待封裝結構，所述第二待封裝結構的電氣元件包括至少一個第一電氣元件和至少一個第二電氣元件，所述第二塑封層包括第一子塑封層和第二子塑封層；所述第二待封裝結構的制備過程包括：
5.根據權利要求3或4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述對所述第二塑封層及所述基板進行切割之前，所述半導體結構的制造方法還包括：
6.根據權利要求3或4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述基板的熱膨脹系數與所述第一塑封層的熱膨脹系數的差值絕對值小于5/℃；...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉飛，周文武，
申請(專利權)人：矽磐微電子重慶有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。