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    一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):43152509 閱讀:15 留言:0更新日期:2024-10-29 17:52
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC?SiC涂層及其制備方法,包括以下步驟:1)對(duì)C/C復(fù)合材料進(jìn)行預(yù)處理;2)在C/C復(fù)合材料的表面制備SiC@SiO<subgt;2</subgt;納米線層,得到表面生長(zhǎng)有SiC@SiO<subgt;2</subgt;納米線的C/C復(fù)合材料;3)在所述表面生長(zhǎng)有SiC@SiO<subgt;2</subgt;納米線的C/C復(fù)合材料的表面包覆PyC層,得到表面生長(zhǎng)有SiC@SiO<subgt;2</subgt;@PyC納米線的C/C復(fù)合材料;4)在表面生長(zhǎng)有SiC@SiO<subgt;2</subgt;@PyC納米線的C/C復(fù)合材料的表面噴涂ZrC?SiC涂層,得到核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC?SiC涂層,該涂層及其制備方法能夠解決等離子噴涂陶瓷涂層脆性大以及涂層?基體界面結(jié)合力差的問題。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于材料制備,涉及一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層及其制備方法。


    技術(shù)介紹

    1、碳/碳(c/c)復(fù)合材料是以碳纖維為增強(qiáng)材料的碳基復(fù)合材料,具有低密度、低熱膨脹及優(yōu)異的高溫力學(xué)性能等特點(diǎn),被認(rèn)為是最為理想的熱結(jié)構(gòu)材料之一。然而,高溫(>500℃)有氧環(huán)境下較強(qiáng)的氧化敏感性限制了它們的應(yīng)用。超高溫陶瓷(uhtc)作為有效的涂層材料,由于其高熔點(diǎn)和化學(xué)穩(wěn)定性,可為c/c復(fù)合材料提供強(qiáng)大的抗氧化/燒蝕保護(hù)。其中zrc-sic涂層是目前常見的涂層體系,被認(rèn)為是c/c復(fù)合材料較理想的熱防護(hù)涂層材料。以等離子噴涂、火焰噴涂為代表的熱噴涂法,涂層沉積效率高,對(duì)基材熱影響大,噴涂尺寸不受限,是c/c復(fù)合材料表面制備熱防護(hù)涂層的常用方法。然而,熱噴涂陶瓷涂層與基體熱膨脹系數(shù)差異較大,且與基體結(jié)合力較差,在氣流沖刷服役環(huán)境下容易發(fā)生涂層開裂甚至剝落,從而失去防護(hù)效果,成為制約熱噴涂涂層應(yīng)用的難題。

    2、為了解決熱噴涂涂層結(jié)合力差的問題,通常在陶瓷涂層中加入一維納米材料,發(fā)揮其增韌作用,緩解界面熱應(yīng)力,改善涂層脆性大的問題,提高涂層結(jié)合強(qiáng)度。sic納米線由于具有高強(qiáng)度、高硬度、高抗氧化性以及與c/c復(fù)合材料良好的物理化學(xué)相容性而被廣泛應(yīng)用。利用納米線拉拔、微裂紋偏轉(zhuǎn)等機(jī)制耗散能量,提高涂層的彈性模量、斷裂韌性;利用納米線在界面處產(chǎn)生的釘扎作用,提高陶瓷涂層與c/c復(fù)合材料之間的界面結(jié)合。

    3、然而,在等離子噴涂制備陶瓷涂層過程中,納米線難以抵抗較強(qiáng)的焰流沖刷,即涂層-基體界面結(jié)合力差,因此還需要對(duì)納米線進(jìn)行保護(hù)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供了一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層及其制備方法,該涂層及其制備方法能夠解決等離子噴涂陶瓷涂層脆性大以及涂層-基體界面結(jié)合力差的問題。

    2、為達(dá)到上述目的,本專利技術(shù)公開了一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,包括以下步驟:

    3、1)對(duì)c/c復(fù)合材料進(jìn)行預(yù)處理;

    4、2)在c/c復(fù)合材料的表面制備sic@sio2納米線層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料;

    5、3)在所述表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料的表面包覆pyc層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料;

    6、4)在表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料的表面噴涂zrc-sic涂層,得到核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層。

    7、步驟2)中,采用熱蒸發(fā)法在c/c復(fù)合材料表面制備sic@sio2納米線層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料。

    8、步驟2)的具體過程為:

    9、將sio粉末均勻鋪在坩堝的底部,將步驟1)得到的c/c復(fù)合材料通過鉬絲懸掛于sio粉末的上方,然后將坩堝置于管式爐的恒溫區(qū)中,以ar為保護(hù)氣,在負(fù)壓狀態(tài)下,將管式爐內(nèi)溫度從室溫升至1250~1500℃,然后構(gòu)造封閉環(huán)境,保溫10-60min,獲得表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料。

    10、步驟3)中,利用化學(xué)氣相沉積法,在所述表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料的表面包覆pyc層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料。

    11、步驟3)的具體過程為:

    12、將步驟2)得到的表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料置于恒溫立式管式爐中,以1~10℃的升溫速率升溫至預(yù)設(shè)溫度,再通入ch4及ar,并保溫1~5h沉積,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料。

    13、步驟4)中,采用等離子噴涂法,在表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料的表面噴涂zrc-sic涂層。

    14、步驟4)的過程為:

    15、將zrc粉末、sic粉末、聚乙烯醇溶液、去離子水以及無水乙醇球磨混合,得到混合料漿,將混合料漿進(jìn)行噴霧造粒后采用超音速等離子噴涂法噴涂到所述表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料的表面,得到核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層。

    16、混合料漿中zrc粉末與sic粉末的質(zhì)量比為(1~9):(1~9)。

    17、zrc粉末與sic粉末的總質(zhì)量、pva溶液的質(zhì)量、去離子水的質(zhì)量和無水乙醇的質(zhì)量的比例為(1~5):(1~5):1:1。

    18、本專利技術(shù)所述核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層,基于所述核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法制備而成。

    19、本專利技術(shù)具有以下有益效果:

    20、本專利技術(shù)所述的殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層及其制備方法在具體操作時(shí),將高硬度、高彈性模量的sic納米線與高韌性的熱解碳(pyc)層相結(jié)合,使其在具備sic納米線優(yōu)異力學(xué)性能的同時(shí),還具有良好的韌性,當(dāng)屬性各不相同的sic納米線、pyc、涂層基體界面層發(fā)生相對(duì)滑移時(shí),有望進(jìn)一步提高納米材料的增韌效果,緩解涂層/基體之間的界面熱失配。同時(shí),通過pyc的沉積,還能夠?qū)ic納米線鎖定至基體表面,使核殼結(jié)構(gòu)橋接于涂層和基體界面,進(jìn)一步提高涂層與基體的界面結(jié)合,解決涂層-基體界面結(jié)合力差的問題。另外,需要說明的是,本專利技術(shù)制備的sic@sio2@pyc納米線為三層核殼結(jié)構(gòu),納米線最外層為pyc層,中間層為sio2層,核心為sic,sic@sio2@pyc納米線增韌噴涂zrc-sic涂層經(jīng)拉伸試驗(yàn)之后,在最大加載4453.67n時(shí)從基體上剝落,粘結(jié)試樣為直徑25mm的圓形,計(jì)算得到sicnw/pyc增韌zrc-sic涂層的結(jié)合強(qiáng)度達(dá)9.1mpa。因此,sic@sio2@pyc納米線的引入通過納米線拔出、裂紋偏轉(zhuǎn)及界面釘扎等方式大大提高了熱噴涂涂層與基體的結(jié)合強(qiáng)度。另外,本專利技術(shù)制備工藝簡(jiǎn)單且可控,可設(shè)計(jì)性強(qiáng),制備成本低且周期短,適用于納米線增韌等離子噴涂陶瓷涂層的大規(guī)模生產(chǎn),有著較好的應(yīng)用前景。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟2)中,采用熱蒸發(fā)法在C/C復(fù)合材料表面制備SiC@SiO2納米線層,得到表面生長(zhǎng)有SiC@SiO2納米線的C/C復(fù)合材料。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟2)的具體過程為:

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟3)中,利用化學(xué)氣相沉積法,在所述表面生長(zhǎng)有SiC@SiO2納米線的C/C復(fù)合材料的表面包覆PyC層,得到表面生長(zhǎng)有SiC@SiO2@PyC納米線的C/C復(fù)合材料。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟3)的具體過程為:

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟4)中,采用等離子噴涂法,在表面生長(zhǎng)有SiC@SiO2@PyC納米線的C/C復(fù)合材料的表面噴涂ZrC-SiC涂層。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,步驟4)的過程為:

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,混合料漿中ZrC粉末與SiC粉末的質(zhì)量比為(1~9):(1~9)。

    9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法,其特征在于,ZrC粉末與SiC粉末的總質(zhì)量、PVA溶液的質(zhì)量、去離子水的質(zhì)量和無水乙醇的質(zhì)量的比例為(1~5):(1~5):1:1。

    10.一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層,其特征在于,基于權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂ZrC-SiC涂層的制備方法制備而成。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,其特征在于,步驟2)中,采用熱蒸發(fā)法在c/c復(fù)合材料表面制備sic@sio2納米線層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,其特征在于,步驟2)的具體過程為:

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,其特征在于,步驟3)中,利用化學(xué)氣相沉積法,在所述表面生長(zhǎng)有sic@sio2納米線的c/c復(fù)合材料的表面包覆pyc層,得到表面生長(zhǎng)有sic@sio2@pyc納米線的c/c復(fù)合材料。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核殼結(jié)構(gòu)納米線增韌等離子噴涂zrc-sic涂層的制備方法,其特征在于,步驟3)的具體過程為:

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:李賀軍許婷孫佳,劉冰歐鴻康郭凌翔,
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:西北工業(yè)大學(xué),
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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