【技術實現步驟摘要】
【】本技術涉及半導體，特別涉及一種半導體處理系統。
技術介紹
0、
技術介紹
1、隨著半導體尺寸的進一步減小，晶圓硅材料本身所含有的雜質成為質量控制中需要檢測監控的要求，然而目前的晶圓污染檢測技術僅限于對晶圓表面雜質污染的提取檢測或者對整個晶圓材料進行破壞性檢測。
2、申請號為201510836143.0的中國專利申請公開了一種利用微腔室內的封閉通道進行晶圓污染提取以及檢測的方法。所述封閉通道只能夠對所述晶圓表面污染以及體金屬污染進行提取以及檢測。然而，在有的應用中，需要單獨對所述晶圓的邊緣進行污染提取以及檢測。現有的上述方案都無法滿足這一需求。
3、因此，有必要提出一種新的方案來克服現有技術中的問題。
4、應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的
技術介紹
部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
技術實現思路
0、
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種半導體處理裝置，其可以高效的對晶圓的邊緣的污染雜質進行提取和檢測。
2、為實現上述目的，本技術提供一種半導體處理裝置，其包括：第一腔室部；可相對于第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動的第二腔室部。在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置時，晶圓能夠容納于第一腔室部和第二腔室部之間，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時，所
3、與現有技術相比，本技術中通過第一通孔進入所述邊緣通道的提取液從第一通孔流至第三通孔并從第三通孔流出，通過第二通孔進入所述邊緣通道的提取液從第二通孔流至第三通孔并從第三通孔流出，這樣可以高效的對晶圓的邊緣的污染雜質進行提取和檢測。
4、因此應當理解，提供本概述僅用于總結一些實施例的目的，以便提供對本技術的一些方面的基本理解。因此，上述實施例僅是示例并且不應被解釋為以任何方式縮小本技術的范圍或思路。通過閱讀以下詳細描述以及附圖，各個實施例的特征、外貌和優點將顯而易見，附圖通過示例的方式展示出了一些實施例的原理。
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1.一種半導體處理裝置，其特征在于，其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述隔離凸起阻斷所述邊緣通道以使得所述邊緣通道形成未閉合的環形，第一通孔與第三通孔之間的邊緣通道被稱為第一段邊緣通道，第二通孔與第三通孔之間的邊緣通道被稱為第二段邊緣通道。
3.根據權利要求2所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔位于所述邊緣通道的一側，第三通孔位于所述邊緣通道的另一側，
4.根據權利要求2所述的半導體處理裝置，其特征在于，在對所述晶圓的邊緣進行污染物提取時，
5.根據權利要求4所述的半導體處理裝置，其特征在于，
6.根據權利要求4所述的半導體處理裝置，其特征在于，
7.根據權利要求4所述的半導體處理裝置，其特征在于，第一段提取液、第二段提取液、第三段液體、第四段液體的體積均小于3ml，
8.根據權利要求4所述的半導體處理裝置，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種半導體處理裝置，其特征在于，其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述隔離凸起阻斷所述邊緣通道以使得所述邊緣通道形成未閉合的環形，第一通孔與第三通孔之間的邊緣通道被稱為第一段邊緣通道，第二通孔與第三通孔之間的邊緣通道被稱為第二段邊緣通道。
3.根據權利要求2所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔位于所述邊緣通道的一側，第三通孔位于所述邊緣通道的另一側，
【專利技術屬性】
技術研發人員：沈柯睿，溫子瑛，
申請(專利權)人：無錫華瑛微電子技術有限公司，
類型：新型
國別省市：
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