【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開涉及等離子處理裝置以及等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，特別涉及適合半導體基板等被處理件的加工的等離子處理裝置以及等離子處理裝置的樣品臺的制造方法。
技術介紹
1、在半導體制造工序中，有時進行利用了等離子的干式蝕刻。用于進行干式蝕刻的等離子處理裝置使用種種方式。
2、一般，等離子處理裝置由真空處理室、與真空處理室連接的氣體供給裝置、將真空處理室的內部的壓力維持在所期望的值的真空排氣裝置、在其上表面載置被處理件即樣品(半導體晶片)的電極(以下稱作樣品臺)、形成并供給用于使真空處理室的內部產生等離子的電場或磁場的等離子形成部等構成。在真空處理室的內部配置有具有氣體導入口的簇射板那樣的構件，構成為來自氣體供給裝置的處理氣體經由簇射板的多個氣體導入口供給到真空處理室的內部。在樣品即晶片的表面預先形成包含處理對象的膜層的多層的膜。使用從等離子形成部供給的電場或磁場來激勵供給到真空處理室內部的處理氣體，使其解離或電離從而等離子化，由此進行在保持于樣品臺的上表面的晶片的表面形成的處理對象的膜層的蝕刻處理。
3、在其上表面載置晶片的樣品臺具有：以靜電力將晶片吸附于構成樣品臺的上表面的載置面的上表面并進行保持的功能；使用在配置于樣品臺的內部的流路內循環并流通的冷媒、供給到晶片的背面與樣品臺的上表面之間的傳熱性的氣體等來將晶片的溫度調節為適于蝕刻處理的范圍內的值的功能；將高頻電力供給到樣品臺內部的電極來形成偏置電位并將等離子中的離子吸引到晶片從而針對上下方向促進蝕刻的功能。作為樣品臺的調節晶片的溫度的功能，考慮在配置于
4、作為這樣的技術的一例，例如已知jp特開2011-258614號公報(專利文獻1)公開的技術。在本專利文獻1的示例中，示出一種樣品臺的結構，其中，該樣品臺具備：配置于樣品臺的內部的金屬制的基材；形成于該基材的內部且使冷媒流通的冷媒流路；配置于基材上表面且通過熱噴涂形成的電介質的膜；配置于該電介質制的膜內部的膜狀的加熱器；配置于電介質膜上的粘接層；和通過該粘接層而連接在電介質膜上的陶瓷等電介質材料制的燒結板。
5、現有技術文獻
6、專利文獻
7、專利文獻1：jp特開2011-258614號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的課題
2、但上述的專利文獻1技術由于針對如下點考慮不充分，因此產生問題。
3、即，在專利文獻1中，在樣品臺的上表面，是在內側包含金屬和膜狀的加熱器的電介質制的膜將金屬制的基材的上表面整體被覆的結構。在該結構中，在電介質制的膜內部的加熱器與基材內部的冷媒流路之間易于逸散來自加熱器的熱。因此，也成為以下的結構：在使晶片溫度或樣品臺溫度降低的情況下能將加熱器產生的熱量迅速傳遞到基材內部從而能與流過冷媒流路的冷媒之間進行熱交換。
4、另一方面，在要使晶片的溫度上升到所期望的值或保持在所期望的值的情況下，加熱器需要進行包括傳遞到基材的熱量在內的大的量的發熱。因此，在使樣品臺或晶片的溫度增大而對晶片進行處理后不需要將溫度急速降低的情況下，加熱器的消耗電力會變大。此外，由于伴隨通過加熱器實現的晶片的溫度變大(變高)，傳遞到對使晶片的溫度上升并進行保持沒有貢獻的基材的熱量也變大，因此，需要超出需要以上的大的容量的加熱器用電源。
5、如此地，在專利文獻1的技術中，并未考慮如下問題：由于用于驅動使樣品臺或晶片的溫度增加的加熱器的消耗電力大，因此，等離子處理裝置的運轉成本高。
6、本公開的目的在于，鑒于以上的課題而提出，提供能以高的效率進行利用樣品臺的內部的加熱器的晶片溫度的上升或溫度的保持、能抑制消耗電力的增大的技術(等離子處理裝置或等離子處理裝置的樣品臺的制造方法)。
7、用于解決課題的手段
8、根據一實施方式，提供以下的技術。
9、一種等離子處理裝置，具有配置于真空容器內部的處理室內且在上表面載置處理對象的晶片的樣品臺，在所述處理室內形成等離子來對所述晶片進行處理，所述等離子處理裝置具備：基材，其配置于所述樣品臺的內部，具有圓筒形或圓板形，為金屬制；電介質膜，其配置于該基材的上表面，含有電介質材料，構成載置所述晶片的載置面；加熱器，其配置于該電介質膜的內部，為膜狀；冷媒流路，其在所述基材的內部繞著該基材的中心同心狀或螺旋狀多重配置，在內部流通冷媒；和至少1個圓弧狀的空間，其在該冷媒流路與所述加熱器之間的所述基材內部繞著所述中心多重配置，內部被減少為給定的真空度并被密封，多重配置的所述圓弧狀的空間彼此之間的所述基材的部分的區域在從上方觀察時，投影到在相鄰的2個所述冷媒流路彼此之間將它們分隔的所述基材的中間部分的區域而重疊。
10、專利技術的效果
11、若簡單說明通過本申請中的公開當中的代表性的公開得到的效果，則如以下那樣。
12、即，能以高的效率進行利用樣品臺的內部的加熱器的晶片溫度的上升或溫度的保持，能抑制消耗電力的增大。由此，能使等離子處理裝置的處理的效率提升。
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1.一種等離子處理裝置，具有配置于真空容器的內部的處理室的內部且在其上表面載置處理對象的晶片的樣品臺，在所述處理室的內部形成等離子來對所述晶片進行處理，
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
3.根據權利要求2所述的等離子處理裝置，其中，
4.根據權利要求2或3所述的等離子處理裝置，其中，
5.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
6.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
7.一種等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，所述等離子處理裝置具有配置于真空容器的內部的處理室的內部且在其上表面載置處理對象的晶片的樣品臺，在所述處理室的內部形成等離子來對所述晶片進行處理，
8.根據權利要求7所述的等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，其中，
9.根據權利要求8所述的等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，其中，
10.根據權利要求8或9所述的等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，其中，
11.根據權利要求7所述的等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，其中，
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...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種等離子處理裝置，具有配置于真空容器的內部的處理室的內部且在其上表面載置處理對象的晶片的樣品臺，在所述處理室的內部形成等離子來對所述晶片進行處理，
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
3.根據權利要求2所述的等離子處理裝置，其中，
4.根據權利要求2或3所述的等離子處理裝置，其中，
5.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
6.根據權利要求1所述的等離子處理裝置，其中，
7.一種等離子處理裝置的樣品臺的制造方法，所述等離子處理裝置...
【專利技術屬性】
技術研發人員：中谷信太郎，一野貴雅，魏嘉興，田中優貴，兵藤友昭，
申請(專利權)人：株式會社日立高新技術，
類型：發明
國別省市：
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