本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種承載裝置及沉積機(jī)臺(tái)的監(jiān)測(cè)方法。該承載裝置適于配置在沉積機(jī)臺(tái)中以承載一晶片。此承載裝置包括承載座、沉積環(huán)以及偵測(cè)單元。承載座用以放置晶片于其上。沉積環(huán)配置于承載座的外圍表面上。偵測(cè)單元包括至少一個(gè)第一電極、至少一個(gè)第二電極、信號(hào)輸出部與信號(hào)接收部。第一電極與第二電極分別配置于承載座的表面，且第一電極與第二電極互不接觸。信號(hào)輸出部連接第一電極，以輸出一信號(hào)。信號(hào)接收部連接第二電極，其中通過(guò)信號(hào)接收部是否接收到此信號(hào)，以判斷第一電極與第二電極是否電性連接在一起。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的裝置及監(jiān)測(cè)方法，且特別涉及一 種。
技術(shù)介紹
薄膜沉積(thin film deposition)技術(shù)已是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所廣泛應(yīng)用的技術(shù)之 一。薄膜沉積技術(shù)可分為物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)以及 化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)。物理氣相沉積主要是通過(guò)物 理現(xiàn)象進(jìn)行薄膜沉積，化學(xué)氣相沉積主要是以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行薄膜沉 積。而無(wú)論是何種方式的氣相沉積都需于一沉積機(jī)臺(tái)上進(jìn)行相關(guān)工藝。一般而言，在沉積機(jī)臺(tái)的系統(tǒng)中會(huì)大量使用靜電式承載座(electrostatic chuck, E-chuck)來(lái)承載欲進(jìn)行薄膜沉積工藝的晶片。在靜電式承載座的外圍 表面上通常會(huì)放置一種環(huán)形附件，即沉積環(huán)(deposition ring),以防止薄膜沉 積于靜電式承載座的表面，進(jìn)而節(jié)省清理的時(shí)間與成本，并提高進(jìn)行薄膜沉 積的產(chǎn)能。然而，當(dāng)晶片在進(jìn)行薄膜沉積工藝時(shí)，沉積環(huán)發(fā)生斷裂或損壞可能會(huì)形 成顆粒源(particle source)造成污染，容易使得晶片在沉積薄膜時(shí)發(fā)生大量缺 陷導(dǎo)致報(bào)廢。因此，如何避免晶片在錯(cuò)誤的環(huán)境中進(jìn)行沉積工藝以確保薄膜 的品質(zhì)，并改善工藝良率與可靠度是業(yè)界亟欲解決的課題之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)纟是供一種承載裝置，能夠即時(shí)偵測(cè)沉積環(huán)或晶片的損壞。 本專利技術(shù)另提供一種沉積機(jī)臺(tái)的監(jiān)測(cè)方法，可以避免晶片在進(jìn)行沉積薄膜 時(shí)發(fā)生缺陷。本專利技術(shù)提出一種承載裝置，適于配置在沉積機(jī)臺(tái)中以承載一晶片，此承 載裝置包括承載座、沉積環(huán)以及偵測(cè)單元。承載座用以放置晶片于其上。沉 積環(huán)配置于承載座的外圍表面上。偵測(cè)單元包括至少一個(gè)第一電極、至少一個(gè)第二電極、信號(hào)輸出部與信號(hào)接收部。第一電極與第二電極分別配置于承 載座的表面，且第一電極與第二電極互不接觸。信號(hào)輸出部連接第一電極， 以輸出一信號(hào)。信號(hào)接收部連接第二電極，其中通過(guò)信號(hào)接收部是否接收到 此信號(hào)，以判斷第 一 電極與第二電極是否電性連接在一起。在本專利技術(shù)的 一 實(shí)施例中，上述的第 一電極與第二電極分別為環(huán)狀電極， 且第一電極與第二電極是以同心圓的方式而配置。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的第一電極與第二電極分別配置于沉積環(huán) 下方的承載座表面。而上述的偵測(cè)單元例如是沉積環(huán)損壞偵測(cè)器。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的第一電極與第二電極分別配置于晶片下 方的承載座表面。而上述的偵測(cè)單元例如是晶片破片偵測(cè)器。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，當(dāng)偵測(cè)單元具有多個(gè)第 一 電極與多個(gè)第二電極 時(shí)，各第一電極與各第二電極為間隔配置。沉積環(huán)下方與晶片下方的承載座 表面例如是分別配置有第一電極與第二電極。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，還包括控制單元，且控制單元連接該偵測(cè)單元， 以根據(jù)偵測(cè)單元的偵測(cè)結(jié)果來(lái)停止該沉積機(jī)臺(tái)的運(yùn)作。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的承載座的材料包括陶瓷材料。 在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的沉積環(huán)的材料包括陶瓷材料。 在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的沉積機(jī)臺(tái)包括物理氣相沉積機(jī)臺(tái)。 本專利技術(shù)另提出一種沉積機(jī)臺(tái)的監(jiān)測(cè)方法。首先，提供一承載裝置，其包 ^"承載座、沉積環(huán)、至少一個(gè)第一電極、至少一個(gè)第二電極。第一電極與第 二電極分別配置于承載座的表面，且第一電極與第二電極互不接觸。接著， 放置一晶片于承載座上。隨的，進(jìn)行沉積工藝，并輸出一信號(hào)至第一電極。 之后，通過(guò)第二電極是否接收到此信號(hào)以判斷第 一 電極與第二電極是否電性 連接。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，當(dāng)笫一電極與第二電極電性連接時(shí)，停止沉積 工藝。在本專利技術(shù)的 一 實(shí)施例中，上述的第 一 電極與第二電極分別為環(huán)狀電極， 且第一電極與第二電極是以同心圓的方式而配置。在本專利技術(shù)的 一實(shí)施例中，上述的第 一 電極與第二電極分別配置于沉積環(huán) 下方的承載座表面。而上述的偵測(cè)方法例如是用于檢測(cè)沉積環(huán)的損壞。在本專利技術(shù)的 一 實(shí)施例中，上述的第 一電極與第二電極分別配置于晶片下5方的承載座表面。而上述的偵測(cè)方法例如是用于檢測(cè)晶片的損壞。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，當(dāng)承載裝置具有多個(gè)第一電極與多個(gè)第二電極時(shí)，各第一電極與各第二電極為間隔配置。沉積環(huán)下方與晶片下方的承載座表面例如是分別配置有第一電極與第二電極。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，上述的承載座的材料包括陶瓷材料。 在本專利技術(shù)的 一 實(shí)施例中，上述的沉積環(huán)的材料包括陶瓷材料。 本專利技術(shù)的通過(guò)在承載座放置沉積環(huán)或晶片的區(qū)域表面埋入第 一 電極與第二電極，因此在晶片進(jìn)行薄膜沉積時(shí)可以即時(shí)偵測(cè)沉積環(huán)或晶片的損壞，進(jìn)而防止晶片產(chǎn)生缺陷。為讓本專利技術(shù)的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說(shuō)明如下。附圖說(shuō)明圖1是依照本專利技術(shù)的一實(shí)施例的承載裝置的剖面示意圖。圖2是依照本專利技術(shù)的另 一 實(shí)施例的承載裝置的剖面示意圖。 圖3是依照本專利技術(shù)的一實(shí)施例的沉積機(jī)臺(tái)的監(jiān)測(cè)步驟流程圖。 圖4A與圖5A分別是圖1的承載裝置應(yīng)用于本專利技術(shù)的監(jiān)測(cè)方法的剖面 示意圖。圖4B與圖5B分別是圖4A與圖5A中偵測(cè)單元的電路示意圖。 附圖標(biāo)記i兌明綱、100，:承載裝置102:晶片110:承載座110a:凸緣112:支撐面114:側(cè)面120:沉積環(huán)122:環(huán)形溝槽124:限制部130:偵測(cè)單元132:信號(hào)輸出部134:信號(hào)接收部136、136，第一電極138、138，第二電極140、520:控制單元400、500:區(qū)域510:金屬薄膜S300、 S310、 S320、 S330、 S340、 S350:步驟 具體實(shí)施例方式圖1是依照本專利技術(shù)的一實(shí)施例的承載裝置的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1,本專利技術(shù)的承載裝置100例如是配置在沉積機(jī)臺(tái)中，并用以 承載晶片。在一實(shí)施例中，承栽裝置IOO適于配置在物理氣相沉積機(jī)臺(tái)中， 其例如是濺鍍機(jī)臺(tái)。承載裝置100是用來(lái)承載欲進(jìn)行薄膜沉積的晶片102, 并使晶片102進(jìn)行旋轉(zhuǎn)或移動(dòng)。承載裝置100包括承載座110、沉積環(huán)120 以及偵測(cè)單元130。承載座110用以放置晶片102于其上。沉積環(huán)120配置 于承載座110的外圍表面上。偵測(cè)單元130耦接至承載座110。承載座110具有支撐面112與側(cè)面114,且承載座110的周緣具有凸緣 110a。凸緣110a例如是由側(cè)面114向外延伸。欲進(jìn)行薄膜沉積的晶片102 例如是配置在支撐面112上。在一實(shí)施例中，承載座110為靜電式承載座 (electrostatic chuck， E-chuck)。承載座110的材料例如是陶瓷材料或其他合適 的絕緣材料。沉積環(huán)120例如是可拆卸地配置于凸緣110a上，以避免薄膜沉積在承 載座110的表面。也就是說(shuō)，沉積環(huán)120是配置在位于晶片102外圍的承載 座110表面。在一實(shí)施例中，沉積環(huán)120包括環(huán)形溝槽122與多個(gè)限制部124。 環(huán)形溝槽122是以同心圓的方式配置于沉積環(huán)120的上表面。限制部124是 配置于環(huán)形溝槽122中，并突出自環(huán)形溝槽122的表面，以作為定位之用。 沉積環(huán)120的材料例如是陶瓷材料或其他合適的絕緣材料。偵測(cè)單元130包括信號(hào)輸出部132、信號(hào)接收部134、至少一個(gè)第一電 極136與至少一個(gè)第二電極138。第一電極136與第二電極138分別配置于 承載座110的表面，且第一電極136與第二電極138互不接觸。第本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種承載裝置，適于配置在一沉積機(jī)臺(tái)中以承載一晶片，包括： 一承載座，用以放置該晶片于其上； 一沉積環(huán)，配置于該承載座的外圍表面上；以及 一偵測(cè)單元，包括： 至少一第一電極與至少一第二電極，分別配置于該承載座的表面，且該第一電極與該第二電極互不接觸； 一信號(hào)輸出部，連接該第一電極，以輸出一信號(hào)；以及 一信號(hào)接收部，連接該第二電極，其中通過(guò)該信號(hào)接收部是否接收到該信號(hào)，以判斷該第一電極與該第二電極是否電性連接在一起。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：賴宏岱，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：力晶半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：71[中國(guó)|臺(tái)灣]
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