【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置的領(lǐng)域，特別是涉及一種制作半導(dǎo)體元件的方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，多晶硅(poly-silicon)柵極由于具有較高的電阻值、易產(chǎn)生空乏效應(yīng)(depletion?effect)等缺失，而逐漸被金屬柵極所取代。
2、在制作金屬柵極時(shí)，可先形成多晶硅柵極，再進(jìn)行金屬柵極置換(replacementmetal?gate，rmg)制作工藝，以將多晶硅柵極中的多晶硅材料置換成金屬材料而得到金屬柵極。然而，由于多晶硅材料包含多個(gè)晶粒(grain)，其會導(dǎo)致與多晶硅材料接觸的表面不平整，例如，圍繞多晶硅材料的間隙壁或位于多晶硅材料下方的膜層，會對應(yīng)晶粒的外凸輪廓產(chǎn)生凹陷形狀，進(jìn)而影響半導(dǎo)體元件的后續(xù)性能。
3、因此，如何改良半導(dǎo)體元件的制作方法，使得所制成的半導(dǎo)體元件可滿足需求，遂為相關(guān)業(yè)者的重要課題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的一目的在于提供一種制作半導(dǎo)體元件的方法，以解決上述問題。
2、依據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施方式是提供一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含以下步驟。形成柵極材料層于基底上，其中柵極材料層包含非晶材料，非晶材料具有相變溫度，非晶材料于相變溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Р牧稀Ｔ诘谝恢谱鞴に嚋囟刃纬傻谝挥惭谀Ｓ跂艠O材料層上，其中第一制作工藝溫度小于相變溫度。在第二制作工藝溫度形成第二硬掩模于第一硬掩模上，其中第二制作工藝溫度小于相變溫度。
3、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)通過第一制作工藝溫度以及第二制作工藝溫度小于相變溫度，
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1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非晶材料包含非晶硅，且該相變溫度為590℃至610℃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一硬掩模包含氮化物。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該第一制作工藝溫度大于或等于560℃，且小于590℃。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成該第一硬掩模的反應(yīng)物包含六氯硅乙烷以及氨。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二硬掩模包含氧化物。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第二制作工藝溫度大于或等于380℃，且小于或等于420℃。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成該第二硬掩模的反應(yīng)物包含硅甲烷以及氧化亞氮。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含：
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非晶材料包含非晶硅，且該相變溫度為590℃至610℃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一硬掩模包含氮化物。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該第一制作工藝溫度大于或等于560℃，且小于590℃。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成該第一硬掩模的反應(yīng)物包含六氯...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱峰，高峰，談文毅，
申請(專利權(quán))人：聯(lián)芯集成電路制造廈門有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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