【技術實現步驟摘要】
本揭示內容是關于一種半導體元件。
技術介紹
1、半導體元件被用于各種電子應用(例如，個人計算機、手機、數字相機和其他電子設備)中。通常通過在半導體基材上沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層，并使用微影來圖案化各種材料層以在其上形成電路組件與部件而制造半導體元件。
2、半導體工業通過不斷減小最小特征尺寸來繼續提高各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許將更多組件整合到給定區域中。然而，隨著最小特征尺寸的減小，出現了應該解決的其他問題。
技術實現思路
1、本揭示內容提供一種半導體元件，包含柵極結構、多個源極/漏極區域、介電層以及柵極接觸。多個源極/漏極區域于柵極結構的相對側上。介電層于柵極結構上方。柵極接觸于介電層中，其中柵極接觸于柵極結構上方并電性耦合至柵極結構，其中遠離柵極結構的柵極接觸的上部具有第一寬度，靠近柵極結構的柵極接觸的下部具有第二寬度，且介于上部與下部中間的柵極接觸的中間部分具有第三寬度，其中第一寬度與第二寬度大于第三寬度。
2、本揭示內容提供一種半導體元件，包含柵極結構、多個源極/漏極區域、介電層、柵極接觸、第一保護層以及第二保護層。多個源極/漏極區域于柵極結構的相對側上。介電層于柵極結構上方。柵極接觸于介電層中，其中柵極接觸于柵極結構上方并電性耦合至柵極結構，其中遠離柵極結構的柵極接觸的上部具有第一寬度，靠近柵極結構的柵極接觸的下部具有第二寬度，且介于上部與下部中間的柵極接觸的中間部分具有第三寬度，其中第一寬
3、本揭示內容提供一種半導體元件，包含柵極結構、多個源極/漏極區域、介電層、柵極接觸、第一保護層以及第二保護層。多個源極/漏極區域于柵極結構的相對側上。介電層于柵極結構上方。柵極接觸于介電層中，其中柵極接觸于柵極結構上方并電性耦合至柵極結構，其中遠離柵極結構的柵極接觸的上部具有第一寬度，靠近柵極結構的柵極接觸的下部具有第二寬度，且介于上部與下部中間的柵極接觸的中間部分具有第三寬度，其中第一寬度與第二寬度大于第三寬度。第一保護層介于柵極接觸與介電層之間。第二保護層介于第一保護層與介電層之間，其中第二保護層沿著介電層的多個側壁的第一區段接觸并延伸，其中第一保護層沿著介電層的多個側壁的第二區段與第三區段接觸并延伸，其中第一區段介于第二區段與第三區段之間。第一保護層包含第一子層、第二子層以及第三子層，其中第一子層沿著第二區段與第三區段接觸并延伸，第二子層沿著第一子層與第二保護層接觸并延伸，且第三子層沿著第二子層接觸并延伸。
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1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，還包含：
3.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸沿著該介電層的所述多個側壁的一第四區段接觸并延伸。
4.如權利要求3所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸于該第四區段具有一第四寬度，且該第四寬度大于該第三寬度。
5.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸自該第二區段往該第一區段具有漸縮的寬度。
6.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸自該第一區段往該第三區段具有漸寬的寬度。
7.一種半導體元件，其特征在于，包含：
8.如權利要求7所述的半導體元件，其特征在于，其中該第一保護層于該第一傾斜面上方具有一第二斜面。
9.一種半導體元件，其特征在于，包含：
10.如權利要求9所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸沿著該介電層的所述多個側壁的一第四區段接觸并延伸。
【技術特征摘要】
1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，還包含：
3.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸沿著該介電層的所述多個側壁的一第四區段接觸并延伸。
4.如權利要求3所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸于該第四區段具有一第四寬度，且該第四寬度大于該第三寬度。
5.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該柵極接觸自該第二區段往該第一區段具有漸...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林群能，汪于仕，鍾佳玲，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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