【技術實現步驟摘要】
本公開涉及顯示，尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
技術介紹
1、顯示基板中通常采用非晶硅(a-si)材質的薄膜晶體管，隨著技術的發展，顯示基板中出現了采用氧化物半導體的薄膜晶體管。氧化物半導體技術可以實現成本及性能的提升，有利于推出低成本的顯示產品。
2、相關技術中，采用氧化物半導體的顯示基板中，薄膜晶體管與數據線之間存在連接電阻高、充電不足的問題，降低了薄膜晶體管的性能。
技術實現思路
1、本公開實施例提供一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決或緩解現有技術中的一項或更多項技術問題。
2、作為本公開實施例的第一個方面，本公開實施例提供一種顯示基板，包括顯示區，顯示區設置有多條柵線和多條數據線，多條柵線和多條數據線相互交叉限定出多個像素區域，顯示基板還包括：
3、襯底；
4、氧化物半導體層，位于襯底的一側，包括位于顯示區的第一有源層，第一有源層包括第一溝道區域、第一導體化區域和第二導體化區域，第一導體化區域和第二導體化區域分別與第一溝道區域的兩側連接；
5、預制絕緣層，位于襯底的朝向氧化物半導體層的一側，預制絕緣層開設有預制過孔；
6、第一導電材料層，位于預制絕緣層的背離襯底的一側，第一導電材料層包括第一導電電極和第一極，第一導電電極的至少部分位于像素區域，第一極在襯底上的正投影與預制過孔在襯底上的正投影至少部分交疊，第一極與第一導體化區域連接；
7、預制膜層，位
8、第二金屬層，位于襯底的朝向氧化物半導體層的一側，第二金屬層包括柵線和第一柵電極，第一溝道區域在襯底上的正投影位于第一柵電極在襯底上的正投影內；
9、數據線位于襯底的朝向氧化物半導體層的一側，數據線通過預制過孔與第一極連接。
10、在一些實施例中，還包括第三金屬層和緩沖層，第三金屬層和緩沖層依次設置在襯底與氧化物半導體層之間，第三金屬層包括第二金屬走線，預制絕緣層包括緩沖層，預制過孔包括第一過孔，第一過孔貫穿緩沖層，第一極通過第一過孔與第二金屬走線連接，數據線包括第二金屬走線。
11、在一些實施例中，還包括第一絕緣層和第一金屬層，第一絕緣層位于氧化物半導體層的背離襯底的一側，預制絕緣層還包括第一絕緣層，第一過孔還貫穿第一絕緣層，第一過孔暴露第一導體化區域的至少部分表面，第一極通過第一過孔還與第一導體化區域連接；
12、第一金屬層位于第一導電材料層的背離襯底的一側，第一金屬層包括第一保護部，第一極在襯底上的正投影位于第一保護部在襯底上的正投影內，預制膜層包括第一保護部。
13、在一些實施例中，還包括第一絕緣層和第一金屬層，第一絕緣層位于氧化物半導體層的背離襯底的一側，預制絕緣層包括第一絕緣層，第一絕緣層開設有第一過孔，預制過孔包括第一過孔，第一過孔在襯底上的正投影與第一導體化區域在襯底上的正投影至少部分交疊，第一極通過第一過孔與第一導體化區域連接；
14、第一金屬層位于第一導電材料層的背離襯底的一側，第一金屬層包括第一保護部，第一極在襯底上的正投影位于第一保護部在襯底上的正投影內，預制膜層包括第一保護部。
15、在一些實施例中，第二導體化區域位于像素區域，第二導體化區域與第一導電電極之間形成電場。
16、在一些實施例中，第一保護部在襯底上的正投影與第一極在襯底上的正投影重合。
17、在一些實施例中，第三金屬層還包括第一遮光部，第一溝道區域在襯底上的正投影位于第一遮光部在襯底上的正投影內，顯示基板還包括第二絕緣層，第二絕緣層位于氧化物半導體層和第一絕緣層之間，第二金屬層位于第二絕緣層和第一絕緣層之間。
18、在一些實施例中，
19、第一金屬層還包括第一金屬走線，數據線包括第一金屬走線；或者，
20、第一導電材料層還包括第一導電走線，數據線包括第一導電走線。
21、在一些實施例中，第一導電材料層還包括第一導電走線，第一金屬層還包括第一金屬走線，第一金屬走線在襯底上的正投影與第一導電走線在襯底上的正投影重合，數據線包括疊層設置的第一導電走線和第一金屬走線。
22、在一些實施例中，還包括位于顯示區之外的邊框區，氧化物半導體層還包括位于邊框區的第二有源層，第二有源層包括第二溝道區域、第三導體化區域和第四導體化區域，第三導體化區域和第四導體化區域分別與第二溝道區域的兩側連接；
23、第一絕緣層還包括第三過孔和第四過孔，第三過孔暴露第三導體化區域的至少部分表面，第四過孔暴露第四導體化區域的至少部分表面；
24、第一導電材料層還包括第三極和第四極，第三極通過第三過孔與第三導體化區域連接，第四極通過第四過孔與第四導體化區域連接；
25、第一金屬層還包括第三保護部和第四保護部，第三極在襯底上的正投影位于第三保護部在襯底上的正投影內，第四極在襯底上的正投影位于第四保護部在襯底上的正投影內；
26、第二金屬層還包括第二柵電極，第二溝道區域在襯底上的正投影位于第二柵電極在襯底上的正投影內。
27、在一些實施例中，第一導電材料層還包括第三導電走線，第一金屬層還包括第三金屬走線，第三金屬走線在襯底上的正投影與第三導電走線在襯底上的正投影重合，第三導電走線與第三極連接，第三金屬走線與第三保護部連接；和/或，
28、顯示基板還包括第三金屬層和緩沖層，第三金屬層和緩沖層依次設置在襯底與氧化物半導體層之間，第三金屬層包括第五金屬走線，第三過孔還貫穿緩沖層，第三極通過第三過孔還與第五金屬走線連接。
29、在一些實施例中，第一導電材料層還包括第四導電走線，第一金屬層還包括第四金屬走線，第四金屬走線在襯底上的正投影與第四導電走線在襯底上的正投影重合，第四導電走線與第四極連接，第四金屬走線與第四保護部連接；和/或，
30、顯示基板還包括第三金屬層和緩沖層，第三金屬層和緩沖層依次設置在襯底與氧化物半導體層之間，第三金屬層包括第六金屬走線，第四過孔還貫穿緩沖層，第四極通過第四過孔還與第六金屬走線連接。
31、在一些實施例中，氧化物半導體層位于第一導電材料層的背離襯底的一側，預制膜層包括第一導體化區域，第一導體化區域通過第一極與第二金屬走線連接。
32、在一些實施例中，第一過孔在襯底上的正投影位于第一極在襯底上的正投影內。
33、在一些實施例中，第一極在襯底上的正投影位于第一導體化區域在襯底上的正投影內。
34、在一些實施例中，在第一溝道區域的長度方向上，第二金屬走線在襯底上的正投影位于第一導體化區域在襯底上的正投影內。
35、在一些實施例中，第一導電材料層的厚度范圍為600埃米～800埃米；和/或，氧化物半導體層的厚度范圍為150埃米～500埃米。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括顯示區，所述顯示區設置有多條柵線和多條數據線，多條所述柵線和多條所述數據線相互交叉限定出多個像素區域，所述顯示基板還包括：
2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括第三金屬層和緩沖層，所述第三金屬層和所述緩沖層依次設置在所述襯底與所述氧化物半導體層之間，所述第三金屬層包括第二金屬走線，所述預制絕緣層包括所述緩沖層，所述預制過孔包括第一過孔，所述第一過孔貫穿所述緩沖層，所述第一極通過所述第一過孔與所述第二金屬走線連接，所述數據線包括所述第二金屬走線。
3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，還包括第一絕緣層和第一金屬層，所述第一絕緣層位于所述氧化物半導體層的背離所述襯底的一側，所述預制絕緣層還包括所述第一絕緣層，所述第一過孔還貫穿所述第一絕緣層，所述第一過孔暴露所述第一導體化區域的至少部分表面，所述第一極通過所述第一過孔還與所述第一導體化區域連接；
4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括第一絕緣層和第一金屬層，所述第一絕緣層位于所述氧化物半導體層的背離所述襯底的一側，所述預制絕緣層
5.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第二導體化區域位于所述像素區域，所述第二導體化區域與所述第一導電電極之間形成電場。
6.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第一保護部在所述襯底上的正投影與所述第一極在所述襯底上的正投影重合。
7.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第三金屬層還包括第一遮光部，所述第一溝道區域在所述襯底上的正投影位于所述第一遮光部在所述襯底上的正投影內，所述顯示基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述氧化物半導體層和所述第一絕緣層之間，所述第二金屬層位于所述第二絕緣層和所述第一絕緣層之間。
8.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，
9.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電材料層還包括第一導電走線，所述第一金屬層還包括第一金屬走線，所述第一金屬走線在所述襯底上的正投影與所述第一導電走線在所述襯底上的正投影重合，所述數據線包括疊層設置的所述第一導電走線和所述第一金屬走線。
10.根據權利要求3或4中任一項所述的顯示基板，其特征在于，還包括位于所述顯示區之外的邊框區，所述氧化物半導體層還包括位于所述邊框區的第二有源層，所述第二有源層包括第二溝道區域、第三導體化區域和第四導體化區域，所述第三導體化區域和所述第四導體化區域分別與所述第二溝道區域的兩側連接；
11.根據權利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電材料層還包括第三導電走線，所述第一金屬層還包括第三金屬走線，所述第三金屬走線在所述襯底上的正投影與所述第三導電走線在所述襯底上的正投影重合，所述第三導電走線與所述第三極連接，所述第三金屬走線與所述第三保護部連接；和/或，
12.根據權利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電材料層還包括第四導電走線，所述第一金屬層還包括第四金屬走線，所述第四金屬走線在所述襯底上的正投影與所述第四導電走線在所述襯底上的正投影重合，所述第四導電走線與所述第四極連接，所述第四金屬走線與所述第四保護部連接；和/或，
13.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述氧化物半導體層位于所述第一導電材料層的背離所述襯底的一側，所述預制膜層包括所述第一導體化區域，所述第一導體化區域通過所述第一極與所述第二金屬走線連接。
14.根據權利要求13所述的顯示基板，其特征在于，所述第一過孔在所述襯底上的正投影位于所述第一極在所述襯底上的正投影內。
15.根據權利要求13所述的顯示基板，其特征在于，所述第一極在所述襯底上的正投影位于所述第一導體化區域在所述襯底上的正投影內。
16.根據權利要求15所述的顯示基板，其特征在于，在所述第一溝道區域的長度方向上，所述第二金屬走線在所述襯底上的正投影位于所述第一導體化區域在所述襯底上的正投影內。
17.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電材料層的厚度范圍為600埃米～800埃米；和/或，所述氧化物半導體層的厚度范圍為150埃米～500埃米。
18.根據權利要求13所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電電極位于所述像素區域，所述第一...
【技術特征摘要】
1.一種顯示基板，其特征在于，包括顯示區，所述顯示區設置有多條柵線和多條數據線，多條所述柵線和多條所述數據線相互交叉限定出多個像素區域，所述顯示基板還包括：
2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括第三金屬層和緩沖層，所述第三金屬層和所述緩沖層依次設置在所述襯底與所述氧化物半導體層之間，所述第三金屬層包括第二金屬走線，所述預制絕緣層包括所述緩沖層，所述預制過孔包括第一過孔，所述第一過孔貫穿所述緩沖層，所述第一極通過所述第一過孔與所述第二金屬走線連接，所述數據線包括所述第二金屬走線。
3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，還包括第一絕緣層和第一金屬層，所述第一絕緣層位于所述氧化物半導體層的背離所述襯底的一側，所述預制絕緣層還包括所述第一絕緣層，所述第一過孔還貫穿所述第一絕緣層，所述第一過孔暴露所述第一導體化區域的至少部分表面，所述第一極通過所述第一過孔還與所述第一導體化區域連接；
4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括第一絕緣層和第一金屬層，所述第一絕緣層位于所述氧化物半導體層的背離所述襯底的一側，所述預制絕緣層包括所述第一絕緣層，所述第一絕緣層開設有第一過孔，所述預制過孔包括所述第一過孔，所述第一過孔在所述襯底上的正投影與所述第一導體化區域在所述襯底上的正投影至少部分交疊，所述第一極通過所述第一過孔與所述第一導體化區域連接；
5.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第二導體化區域位于所述像素區域，所述第二導體化區域與所述第一導電電極之間形成電場。
6.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第一保護部在所述襯底上的正投影與所述第一極在所述襯底上的正投影重合。
7.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第三金屬層還包括第一遮光部，所述第一溝道區域在所述襯底上的正投影位于所述第一遮光部在所述襯底上的正投影內，所述顯示基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述氧化物半導體層和所述第一絕緣層之間，所述第二金屬層位于所述第二絕緣層和所述第一絕緣層之間。
8.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，
9.根據權利要求3或4所述的顯示基板，其特征在于，所述第一導電材料層還包括第一導電走線，所述第一金屬層還包括第一金屬走線，所述第一金屬走線在所述襯底上的正投影與所述第一導電走線在所述襯底上的正投影重合，所述數據線包括疊層設置的所述第一導電走線和所述第一金屬走線。
10.根據權利要求3或4中任一項所述的顯示基板，其特征在于，還包括位于所述顯示區之外的邊框區，所述氧化物半導體層還包括位于所述邊框區的第二有源層，所述第二有源層包括第二溝道區域、第三導體化區域和第四導體化區域，所述第三導體化區域和所述第四導體化區...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉威，劉鳳娟，胡合合，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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