【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及掩膜版，特別涉及一種普通金屬掩膜版。
技術介紹
1、在oled(organic?light-emitting?diode)顯示
，掩膜版的邊緣設計對于確保制程穩定性和圖案精度至關重要。
2、傳統的掩膜版邊緣設計在oled高分辨率制程中常常受到以下技術挑戰的影響：
3、1.張網效應：傳統的邊緣設計容易受到張網效應的干擾，導致邊緣區域的應力分布不均勻，這可能引起圖案的變形和不一致性。
4、2.傳統邊緣設計限制：傳統的邊緣設計方法通常限于簡單的形狀和結構，難以滿足現代高精度制程的需求，這限制了邊緣區域的性能，可能會影響整個制程的質量和成本。
5、3.現有改進方法的局限性：先前的技術嘗試通過不同的邊緣設計策略來改進邊緣區域的穩定性和一致性，然而，這些方法可能不足以解決復雜的制程挑戰，如張網效應、小尺寸cell和高分辨率制程。
6、因此，迫切需要一種創新的方法，以改進掩膜版的邊緣設計，從而提高邊緣區域的穩定性，同時滿足oled高精度制程的要求。
7、上述
技術介紹
是為了便于理解本專利技術，并非是申請本專利技術之前已向普通公眾公開的公知技術。
技術實現思路
1、針對上述缺陷，本專利技術提供一種普通金屬掩膜版，通過力學角度的優化，改進了掩膜版邊緣設計以減小張網效應。這有望提高圖案的精度、制程的一致性，以及減小制程中的形變和變形，這一創新技術對于相關領域的技術進步具有潛在的重要意義。
2、技術方案
3、進一步地，所述基片材料為因瓦。
4、進一步地，所述基片厚度為100～200μm。
5、進一步地，所述上夾持區的夾持位為4個，下夾持區的夾持位為4個。
6、進一步地，所述夾持位的寬度小于夾子的最大夾持寬度。
7、進一步地，所述緩沖槽為矩形。
8、進一步地，所述緩沖槽與相應的半球形腔之間還設置有第二條形緩沖區。
9、進一步地，所述夾持位上設置有條形防滑區。
10、進一步地，所述第一條形緩沖區、第二條形緩沖區與條形防滑區均由半刻蝕條形成。
11、本專利技術還提供一種制備普通金屬掩膜版的方法。
12、技術方案是：一種制備上述普通金屬掩膜版的方法，所述普通金屬掩膜版通過將金屬片刻蝕形成。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種普通金屬掩膜版，包括基片(1)，基片(1)包括AA區(2)和位于AA區(2)外將AA區(2)包圍在內的邊緣區，邊緣區包括左邊緣區(3)、右邊緣區(4)、上邊緣區(5)和下邊緣區(6)，上邊緣區(5)的邊緣部分為上夾持區(7)，下邊緣區(6)的邊緣部分為下夾持區(8)，其特征在于，所述上夾持區(7)和下夾持區(8)各自包括若干夾持位(10)，相鄰兩個夾持位(10)之間夾持一個空腔(11)，空腔(11)向AA區(2)方向延伸，延伸幅度基本為半球形腔(12)，夾持位(10)邊緣線與半球形腔(12)邊緣線連接形成邊緣曲線型圖案，上夾持區(7)與AA區(2)之間以及下夾持區(8)與AA區(2)之間各自設置有第一條形緩沖區(14)，上夾持區(7)與相應的第一條形緩沖區(14)以及下夾持區(8)與相應的第一條形緩沖區(14)之間各自設置有緩沖槽(13)，緩沖槽(13)位于半球形腔(12)與AA區(2)之間。
2.根據權利要求1所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述基片(1)材料為因瓦。
3.根據權利要求1所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述基片(1)厚度為10
4.根據權利要求3所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述上夾持區(7)的夾持位(10)為4個，下夾持區(8)的夾持位(10)為4個。
5.根據權利要求1所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述夾持位(10)的寬度小于夾子(9)的最大夾持寬度。
6.根據權利要求1所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述緩沖槽(13)為矩形。
7.根據權利要求1-6任一項所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述緩沖槽(13)與相應的半球形腔(12)之間還設置有第二條形緩沖區(15)。
8.根據權利要求7所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述夾持位(10)上設置有條形防滑區(16)。
9.根據權利要求8所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述第一條形緩沖區(14)、第二條形緩沖區(15)與條形防滑區(16)均由半刻蝕條形成。
10.一種制備權利要求1-9任一項所述的普通金屬掩膜版的方法，所述普通金屬掩膜版通過將金屬片刻蝕形成。
...【技術特征摘要】
1.一種普通金屬掩膜版，包括基片(1)，基片(1)包括aa區(2)和位于aa區(2)外將aa區(2)包圍在內的邊緣區，邊緣區包括左邊緣區(3)、右邊緣區(4)、上邊緣區(5)和下邊緣區(6)，上邊緣區(5)的邊緣部分為上夾持區(7)，下邊緣區(6)的邊緣部分為下夾持區(8)，其特征在于，所述上夾持區(7)和下夾持區(8)各自包括若干夾持位(10)，相鄰兩個夾持位(10)之間夾持一個空腔(11)，空腔(11)向aa區(2)方向延伸，延伸幅度基本為半球形腔(12)，夾持位(10)邊緣線與半球形腔(12)邊緣線連接形成邊緣曲線型圖案，上夾持區(7)與aa區(2)之間以及下夾持區(8)與aa區(2)之間各自設置有第一條形緩沖區(14)，上夾持區(7)與相應的第一條形緩沖區(14)以及下夾持區(8)與相應的第一條形緩沖區(14)之間各自設置有緩沖槽(13)，緩沖槽(13)位于半球形腔(12)與aa區(2)之間。
2.根據權利要求1所述的普通金屬掩膜版，其特征在于，所述基片(1)材料為因瓦。
3.根據權利要求1所述的普通金屬掩...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王眾，王娟，楊廷翔，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。