【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及碳化硅晶體生長(zhǎng)，尤其涉及一種用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置及碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置。
技術(shù)介紹
1、在典型的碳化硅制備方法中，最為常用的是利用物理氣相傳輸法(pvt)生長(zhǎng)碳化硅晶體。坩堝使用石墨材料，在生長(zhǎng)溫度下，由原料熱分解產(chǎn)生的sic氣體在內(nèi)部壓力的作用下會(huì)穿透石墨坩堝，在溫度相對(duì)低的地方優(yōu)先凝結(jié)，與之配套的保溫材料無(wú)法避免sic的滲透與腐蝕，最終導(dǎo)致保溫性能發(fā)生變化。
2、尤其是設(shè)置在上保溫層中心處的溫度測(cè)溫孔，保溫層內(nèi)外溫差引起的熱對(duì)流，會(huì)降低坩堝上蓋的中心溫度，且氣流攜帶的氣氛極易在測(cè)溫孔周?chē)Y(jié)晶，造成測(cè)溫孔的堵塞，嚴(yán)重影響溫度測(cè)量甚至影響后續(xù)的晶體的生長(zhǎng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，能夠?qū)⒁莩龅奶蓟铓夥找龑?dǎo)至第二筒體或上保溫層外結(jié)晶，從而避免碳化硅氣氛對(duì)測(cè)溫孔造成堵塞，以及減輕對(duì)保溫結(jié)構(gòu)的腐蝕。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，包括：
3、上保溫層，所述上保溫層構(gòu)造有通孔；
4、氣體引流件，包括相互連通的第一筒體和第二筒體，所述第一筒體嵌設(shè)于所述通孔，所述第一筒體內(nèi)形成有測(cè)溫孔，所述第二筒體位于所述保溫結(jié)構(gòu)外，且所述第二筒體內(nèi)徑大于所述測(cè)溫孔的直徑。
5、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述上保溫層包括主體組件和分體組件，所述主體組件構(gòu)造有臺(tái)階孔，所述分體組件適配嵌合于所述臺(tái)階孔處，所述通孔形成于所述分體組件。
6、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方
7、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述保溫裝置還包括外保溫層、中保溫層和下保溫層，所述中保溫層用于設(shè)置在坩堝的外周，所述下保溫層用于設(shè)置在坩堝的底部，所述外保溫層位于所述中保溫層外周；
8、所述上保溫層位于所述中保溫層上方，且位于所述外保溫層內(nèi)。
9、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述主體組件的邊緣與所述中保溫層頂端連接；
10、所述臺(tái)階孔形成于所述主體組件的中心，所述通孔與所述臺(tái)階孔同軸設(shè)置。
11、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二筒體的內(nèi)徑與所述測(cè)溫孔的直徑比值介于1.1-2之間；
12、和/或，所述第一筒體與所述第二筒體之間設(shè)置有漸擴(kuò)筒體。
13、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述主體組件和所述分體組件的材質(zhì)為石墨硬氈；
14、所述氣體引流件的材質(zhì)為石墨發(fā)熱體。
15、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述石墨發(fā)熱體的溫度低于所述上保溫層內(nèi)的氣氛溫度，高于所述上保溫層外的氣氛溫度。
16、本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，包括：坩堝；上述實(shí)施例所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，所述保溫裝置設(shè)置于所述坩堝外。
17、在一種可行的實(shí)現(xiàn)方式中，所述保溫裝置中的上保溫層、中保溫層與所述坩堝的上蓋之間形成有空氣層，所述空氣層通過(guò)所述測(cè)溫孔與所述第二筒體連通。
18、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置及碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，通過(guò)在上保溫層外設(shè)置氣體引流件，并將氣體引流件設(shè)計(jì)為包括測(cè)溫孔的第一筒體，以及內(nèi)徑大于測(cè)溫孔的第二筒體，以將逸出的碳化硅氣氛引導(dǎo)至第二筒體或上保溫層外結(jié)晶，即，為逸出的碳化硅氣氛提供較為固定的凝結(jié)區(qū)域，以避免碳化硅氣氛對(duì)測(cè)溫孔造成堵塞，以及減輕對(duì)保溫結(jié)構(gòu)的腐蝕。此外，氣體引流件的設(shè)置還能夠改變氣流的熱交換位置，從而使得坩堝頂部的熱場(chǎng)溫度梯度更加的穩(wěn)定和可控。
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1.一種用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述上保溫層包括主體組件和分體組件，所述主體組件構(gòu)造有臺(tái)階孔，所述分體組件適配嵌合于所述臺(tái)階孔處，所述通孔形成于所述分體組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述分體組件構(gòu)造有凸出部，所述凸出部適配嵌套于所述臺(tái)階孔內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述保溫裝置還包括外保溫層、中保溫層和下保溫層，所述中保溫層用于設(shè)置在坩堝的外周，所述下保溫層用于設(shè)置在坩堝的底部，所述外保溫層位于所述中保溫層外周；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述主體組件的邊緣與所述中保溫層頂端連接；
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述第二筒體的內(nèi)徑與所述測(cè)溫孔的直徑比值介于1.1-2之間；
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述石墨發(fā)熱體的溫度低于所述上保溫層內(nèi)的氣氛溫度，高于所述上保溫層外的氣氛溫度。
9.一種碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述保溫裝置中的上保溫層、中保溫層與所述坩堝的上蓋之間形成有空氣層，所述空氣層通過(guò)所述測(cè)溫孔與所述第二筒體連通。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述上保溫層包括主體組件和分體組件，所述主體組件構(gòu)造有臺(tái)階孔，所述分體組件適配嵌合于所述臺(tái)階孔處，所述通孔形成于所述分體組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述分體組件構(gòu)造有凸出部，所述凸出部適配嵌套于所述臺(tái)階孔內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述保溫裝置還包括外保溫層、中保溫層和下保溫層，所述中保溫層用于設(shè)置在坩堝的外周，所述下保溫層用于設(shè)置在坩堝的底部，所述外保溫層位于所述中保溫層外周；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于碳化硅單晶生長(zhǎng)的保溫裝置，其特征在于，所述主...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名，請(qǐng)求不公布姓名，于國(guó)建，徐南，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：
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