【技術實現步驟摘要】
本技術涉及光伏組件，尤其涉及一種雙拼半片晶托。
技術介紹
1、異質結電池是低溫工藝，采用非晶硅鍍膜，如果把整片切成半片，激光切割的高溫過程會破壞異質結電池鈍化效果，這會使得異質結電池轉換效率降低。因半片可以降低異質結電池的碎片異常，在源頭上解決異質結電池效率損失問題，以及半片組件造成的功率損失較小，半片技術是行業的發展趨勢，現有通常采用切割線網對半片進行切割。
2、受限于各家切片機大軸距影響，現有的切片機對半片無法進行直接切割(因為半片尺寸小，現有設備軸間距較大)，若對設備改造(縮小軸間距)則費事費力增加額外生產成本。
3、若不改造，則需要雙拼直接粘接半片硅棒，然后在通過線鋸中的切割線網對其進行切割，但是受粘棒膠及拼縫影響，在對雙拼半片硅棒切割時，由于不能對切割半片硅棒處的鋼線進行潤滑降溫，導致硅棒出刀口內側容易出現倒角崩邊異常的問題，為了解決在切割雙拼半片硅棒時，出刀口內側倒角處崩邊異常的問題，我們提出了一種雙拼半片晶托。
技術實現思路
1、有鑒于此，本技術的目的在于提出一種雙拼半片晶托，以解決在利用切割線網對半片硅棒進行切割的同時，不能對切割半片硅棒處的鋼線進行潤滑降溫，導致硅棒出刀口內側容易出現倒角崩邊異常的問題。
2、基于上述目的，本技術提供了一種雙拼半片晶托，包括半片晶托，所述半片晶托由晶托a、晶托b和噴嘴組成，所述晶托a和晶托b之間設有間隙，所述噴嘴安裝在間隙處，所述晶托a和晶托b的下表面均粘接有塑料板，且塑料板的下表面粘接有半片硅棒
3、還包括夾緊件，所述夾緊件用于對晶托a和晶托b進行夾持固定，且夾緊件安裝在外部升降設備上，在外部升降設備的作用下能夠帶動晶托a和晶托b移動。
4、優選的，所述晶托a、晶托b與噴嘴的表面通過晶托固定板進行連接固定。
5、優選的，所述噴嘴的一端安裝有噴嘴進液口，所述噴嘴的下表面上開設有噴嘴出液口。
6、優選的，所述晶托a和晶托b均向上延伸有工字板，所述夾緊件夾持在兩個工字板之間。
7、優選的，所述夾緊件為碟簧缸，所述碟簧缸上的活塞桿夾持在兩個工字板之間。
8、優選的，所述碟簧缸安裝在外部升降設備上，且外部升降設備為液壓缸。
9、本技術的有益效果：本技術提供的一種雙拼半片晶托，通過夾緊件夾緊晶托后，在外部升降設備的作用下，能夠帶動半片硅棒向切割線網處移動，切割線網上的鋼線在對半片硅棒切割時，切割液通過泵體泵進噴嘴進液口內，切割液自噴嘴進液口進，通過噴嘴出液口將切割液均勻的噴灑在切割線網上，在切片機導輪高速往返切割時，中部一直保持有切割液對對切割半片硅棒處的鋼線進行潤滑降溫，能夠降低硅棒出刀口內側倒角崩邊異常。
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1.一種雙拼半片晶托，包括半片晶托(1)，其特征在于，所述半片晶托(1)由晶托a(2)、晶托b(3)和噴嘴(4)組成，所述晶托a(2)和晶托b(3)之間設有間隙，所述噴嘴(4)安裝在間隙處，所述晶托a(2)和晶托b(3)的下表面均粘接有塑料板(5)，且塑料板(5)的下表面粘接有半片硅棒(6)；
2.根據權利要求1所述的一種雙拼半片晶托，其特征在于，所述晶托a(2)、晶托b(3)與噴嘴(4)的表面通過晶托固定板(8)進行連接固定。
3.根據權利要求1所述的一種雙拼半片晶托，其特征在于，所述噴嘴(4)的一端安裝有噴嘴進液口(10)，所述噴嘴(4)的下表面上開設有噴嘴出液口(11)。
4.根據權利要求1所述的一種雙拼半片晶托，其特征在于，所述晶托a(2)和晶托b(3)均向上延伸有工字板(9)，所述夾緊件(7)夾持在兩個工字板(9)之間。
5.根據權利要求4所述的一種雙拼半片晶托，其特征在于，所述夾緊件(7)為碟簧缸，所述碟簧缸上的活塞桿夾持在兩個工字板(9)之間。
【技術特征摘要】
1.一種雙拼半片晶托，包括半片晶托(1)，其特征在于，所述半片晶托(1)由晶托a(2)、晶托b(3)和噴嘴(4)組成，所述晶托a(2)和晶托b(3)之間設有間隙，所述噴嘴(4)安裝在間隙處，所述晶托a(2)和晶托b(3)的下表面均粘接有塑料板(5)，且塑料板(5)的下表面粘接有半片硅棒(6)；
2.根據權利要求1所述的一種雙拼半片晶托，其特征在于，所述晶托a(2)、晶托b(3)與噴嘴(4)的表面通過晶托固定板(8)進行連接固定。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：趙熠，楊杰，王藝澄，
申請(專利權)人：江蘇美科太陽能科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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