【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種pet基底激光、中長波紅外復合反射膜及其制備方法，具體涉及一種用于半實物多模復合尋仿真制導系統的pet基底激光、中波紅外、長波紅外復合反射膜及其制備方法，屬于真空鍍膜。
技術介紹
1、多模復合尋的制導技術因其具備作用距離遠、精度高、抗干擾能力強等優點，可實現遠距離激光制導，近距離紅外尋的自動轉換，已成為精確制導武器的一個重要發展方向。而多模復合尋的半實物仿真制導系統是驗證多模復合制導系統多模復合導引頭的有效作戰半徑、縮短研制周期、提高多模復合尋的制導性能的有效手段。其中，波束合成器是多模復合尋的半實物仿真制導系統的重要部件之一，波束合成器反射膜起到耦合信號的共口徑輸出作用，是決定仿真制導系統是否可以完成單模、雙?；蛘叨嗄秃戏抡娴年P鍵零部件之一。
2、現有的波束合成器中的反射膜，存在較多弊端，cn101303407b中提到的薄膜式紅外-雷達波束合成器，只能實現紅外/雷達雙模仿真，無法滿足現有多模復合仿真需求，且基底面型較差，進而影響了紅外光譜反射性能；cn111983565b中提到的一種波束合成器，解決了激光/紅外/雷達的多模復合仿真，雖然對長波紅外、中波紅外反射率達到90％以上，但對激光的反射率僅達到54.8％。
3、綜上所述，國內現有的波束合成器，雖然能實現紅外/雷達雙模、激光/紅外/雷達多模的仿真，但是反射率較低，嚴重影響了制導精度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是為了解決現有的波束合成器的反射率低造成多模復合仿真制導精度差的問
2、本專利技術的技術方案是：選用與滌綸樹脂pet基底具備良好結合力的ge/zns膜料，實現與之應力匹配的目的，為膜層牢固度打下良好基礎。確定鍍膜材料后，為實現激光在(1064±10)nm波長范圍內平均反射率大于65％，紅外(3～5)μm波長范圍內平均反射率大于91％，紅外(8～12)μm波長范圍內平均反射率大于92％的目的，采用簡形優化算法對膜系結構優化設計，膜系的最終結構為：g/h/l/h/l/h/l/h/l/h/a，其中g為pet基底，h為ge膜料，l為zns膜料，a為空氣介質。在高膨脹系數的pet基底上，通過采用離子輔助和低溫冷鍍等鍍制工藝，將各層膜料依次牢固的鍍制在pet基底上，鍍制多波段復合反射膜系。進而實現多模復合仿真制導系統用pet基底激光波段、中波紅外和長波紅外多波段復合反射效果。
3、本專利技術還提供了一種制備方法，它包括以下步驟：
4、步驟一：膜系結構設計；
5、反射膜的結構為：g/h/l/h/l/h/l/h/l/h/a，其中g為pet基底，h為ge膜料，l為zns膜料，a為空氣介質。經簡形優化算法優化后，pet基底厚度為1.064μm，從結構中最左側的h至最右側的h，每層膜的光學厚度由內到外依次對應為：232.6nm、439.1nm、233.6nm、430.9nm、815.9nm、1096nm、583.1nm、1096nm、583.1nm；
6、步驟二：基底表面清潔；
7、用清潔液對待鍍的pet基底表面進行清潔，優選地，使用無塵布蘸取1：1的醇醚混合液擦拭基底，檢查基底表面，至無油污、塵粒，放入真空室并抽至真空，待鍍；
8、步驟三：基底預熱；
9、將真空室溫度設為50℃，在50℃下恒溫1小時；
10、步驟四：二次清洗；
11、啟動離子源二次清潔基底，時間為20分鐘；
12、步驟五：膜系鍍制；
13、根據膜系結構及各膜層工藝參數依次鍍制。
14、優選地，采用電子束蒸發的方法制備ge膜層，膜層的沉積速率為4a/s；采用阻蒸蒸發制備zns，膜層沉積速率為8a/s；
15、優選地，采用離子源輔助蒸鍍工藝，離子源參數為：屏極電壓450v，束流30ma，鍍制全程采用離子源輔助蒸鍍；
16、優選地，在蒸鍍第四層、第六層、第八層薄膜后，暫停工藝和離子源(1～2)小時，待真空室溫度低于50℃時再重新開啟工藝完成蒸鍍。
17、本專利技術與現有技術相比具有以下效果：
18、通過對復合反射膜膜系優化設計，使用鍺材料作為過渡層，并對膜系蒸鍍的工藝參數進行優化，有效地抑制基底面的形變，增加了各個膜層的牢固程度，從而提高了pet基底三波段反射膜環境穩定性和產品合格率。達到了1.064μm±0.01μm反射率大于65％，3μm～5μm平均反射率大于91％，8μm～12μm平均反射率大于92％的三譜段復合反射膜制備的優化目標，實現激光以及中波紅外、長波紅外的多波段反射效果，進而實現對紅外單模的不同波長進行多模復合仿真。
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1.一種PET基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：它包括PET基底(1)、ZnS膜料(2)、Ge膜料(3)和空氣介質(4)。
2.根據權利要求1所述的一種PET基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：ZnS膜料(2)包括4層，分別為第一層ZnS膜料(21)、第二層ZnS膜料(22)、第三層ZnS膜料(23)、第四層ZnS膜料(24)，Ge膜料(3)包括5層，分別為第一層Ge膜料(31)、第二層Ge膜料(32)、第三層Ge膜料(33)、第四層Ge膜料(34)、第五層Ge膜料(35)。
3.根據權利要求1所述的一種PET基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：ZnS膜料(2)、Ge膜料(3)與PET基底(1)和空氣介質(4)的結構關系為G/H/L/H/L/H/L/H/L/H/A，其中G為PET基底(1)，H為Ge膜料(3)，L為ZnS膜料(2)，A為空氣介質(4)。
4.根據權利要求1所述的一種PET基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：結構關系中的H，從左至右分別為第一層Ge膜料(31)、第二層Ge膜料(32)、第三層Ge膜
5.一種針對權利要求1至4中任意一項權利要求所述的一種PET基底激光、中長波紅外復合反射膜的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種pet基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：它包括pet基底(1)、zns膜料(2)、ge膜料(3)和空氣介質(4)。
2.根據權利要求1所述的一種pet基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：zns膜料(2)包括4層，分別為第一層zns膜料(21)、第二層zns膜料(22)、第三層zns膜料(23)、第四層zns膜料(24)，ge膜料(3)包括5層，分別為第一層ge膜料(31)、第二層ge膜料(32)、第三層ge膜料(33)、第四層ge膜料(34)、第五層ge膜料(35)。
3.根據權利要求1所述的一種pet基底激光、中長波紅外復合反射膜，其特征在于：zns膜料(2)、ge膜料(3)與pet基底(1)和空氣介質(...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳琦，楊斌，張鑫，
申請(專利權)人：哈爾濱新光光電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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