【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及真空鍍膜，尤其涉及一種板式cvd真空鍍膜設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、化學氣相沉積（cvd）技術(shù)則是在cvd真空鍍膜設(shè)備中，通過化學反應在基底上生成膜層材料，通常在較高溫度下進行，能夠提供更好的膜層附著力和均勻性。
2、相關(guān)技術(shù)中，板式cvd真空鍍膜設(shè)備均為單腔體結(jié)構(gòu)，各腔體串聯(lián)成一個主設(shè)備進行連續(xù)鍍膜，不僅設(shè)備占用空間大，單位面積內(nèi)生產(chǎn)效率和產(chǎn)能較低，而且串聯(lián)腔體停機維護時影響整條產(chǎn)線的工作。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種板式cvd真空鍍膜設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中上述技術(shù)缺陷，結(jié)構(gòu)設(shè)計新穎，適應性較強，可以有效避免基底鍍膜過程中進行翻片處理，提高生產(chǎn)節(jié)拍，提升生產(chǎn)效率。
2、本專利技術(shù)提供一種板式cvd真空鍍膜設(shè)備，包括殼體組件、兩組蓋體組件和送料組件。
3、所述殼體組件設(shè)有進料口和出料口，所述進料口和所述出料口均設(shè)有閥組件。兩組蓋體組件分別設(shè)于所述殼體組件相對的兩側(cè)，并與所述殼體組件圍設(shè)形成鍍膜腔；所述蓋體組件包括蓋本體以及設(shè)于所述蓋本體的電極組件和供氣組件，所述供氣組件與供氣裝置相連，用于向所述鍍膜腔供給氣體，所述電極組件與電源組件相連，用于產(chǎn)生等離子體。
4、送料組件包括傳輸組件和設(shè)為鏤空結(jié)構(gòu)的承載件，所述傳輸組件設(shè)于所述殼體組件相對的兩側(cè)，所述承載件搭載于所述傳輸組件，適于在所述傳輸組件的驅(qū)動下，在所述進料口和所述出料口之間進行傳輸，所述承載件將所述鍍膜腔分隔為兩個鍍膜分腔，設(shè)于相應的所述蓋本體上的電極組件和供
5、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述供氣組件包括：
6、供氣件，與所述蓋本體連接，所述供氣件上設(shè)有第一供氣通道，以及與所述第一供氣通道連通的第一供氣口和第一排氣口，所述第一供氣口設(shè)于所述供氣件的靠近中心位置，所述第一排氣口的數(shù)量按照等比數(shù)列進行分裂，隨著分裂級數(shù)的增加，所述第一供氣通道的管徑逐漸減小；
7、排氣件，與所述供氣件相連，所述排氣件上設(shè)有多個第一開口，所述第一開口的位置與所述第一排氣口的位置一一對應。
8、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述供氣件上還設(shè)有第二供氣通道，以及與所述第二供氣通道連通的第二供氣口和第二排氣口，所述第二供氣口設(shè)于所述供氣件的靠近中心位置，所述第二排氣口的數(shù)量按照等比數(shù)列進行分裂，所述第二排氣口的布設(shè)區(qū)域位于所述第一排氣口的布設(shè)區(qū)域的外圍；
9、所述排氣件上還設(shè)有多個第二開口，所述第二開口的位置與所述第二排氣口的位置一一對應。
10、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述傳輸組件包括：
11、多個傳動軸，沿所述殼體組件的側(cè)壁間隔設(shè)置，所述傳動軸穿設(shè)于所述殼體組件的側(cè)壁，并與所述殼體組件的側(cè)壁轉(zhuǎn)動配合，每個所述傳動軸的一端均設(shè)有支撐輪，所述承載件搭載于所述支撐輪；
12、傳動輪，設(shè)于每個所述傳動軸的另一端，并位于所述殼體組件的外側(cè)，相鄰兩個所述傳動輪之間傳動配合；
13、主驅(qū)動件，與其中一個所述傳動輪連接，適于驅(qū)動相應的所述傳動輪轉(zhuǎn)動，以同步帶動所述傳動軸以及所述支撐輪轉(zhuǎn)動。
14、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述傳輸組件還包括傳輸皮帶，所述傳輸皮帶位于相鄰的兩個所述傳動輪之間，并與相鄰的兩個所述傳動輪傳動連接。
15、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述傳輸組件還包括張緊部件，所述張緊部件的數(shù)量與所述傳輸皮帶的數(shù)量一一對應；
16、所述張緊部件包括張緊輪和張緊臂，所述傳動軸上設(shè)有調(diào)節(jié)法蘭，所述調(diào)節(jié)法蘭沿圓周陣列設(shè)有多個調(diào)節(jié)孔，所述張緊臂上設(shè)有至少一個調(diào)節(jié)槽，通過定位件穿設(shè)所述調(diào)節(jié)槽和所述調(diào)節(jié)孔，以將所述張緊臂固定在所述調(diào)節(jié)法蘭，所述張緊輪轉(zhuǎn)動設(shè)于所述張緊臂遠離所述調(diào)節(jié)法蘭的一端，并與所述傳輸皮帶抵接，用于張緊所述傳輸皮帶。
17、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述送料組件還包括頂升部件，所述頂升部件位于相鄰的兩個所述支撐輪之間；
18、所述頂升部件包括驅(qū)動軸、頂升臂和頂升驅(qū)動件，所述驅(qū)動軸轉(zhuǎn)動設(shè)于所述殼體組件，所述頂升臂固定在所述驅(qū)動軸的一端，所述頂升臂背離所述驅(qū)動軸的另一端設(shè)有頂升輪，所述承載件搭載于頂升輪，所述頂升驅(qū)動件適于驅(qū)動所述驅(qū)動軸轉(zhuǎn)動，以帶動所述頂升臂擺動。
19、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，還包括加熱組件，所述加熱組件設(shè)于所述殼體組件的內(nèi)壁，所述加熱組件包括傳熱板和加熱絲，所述傳熱板沿所述殼體組件的內(nèi)壁設(shè)置，所述加熱絲設(shè)于所述傳熱板。
20、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述電極組件包括電源模塊和電極柱，所述電極柱連接在所述電源模塊，并伸入所述鍍膜腔。
21、根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，所述電極組件還包括屏蔽部件，所述屏蔽部件設(shè)于所述蓋本體，并罩設(shè)至所述電極柱。
22、本專利技術(shù)提供的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，由殼體組件和位于殼體組件上下兩側(cè)的蓋體組件構(gòu)成，三個組件形成一個可以密閉的真空腔體，并在殼體組件相對的兩側(cè)設(shè)置傳輸組件，傳輸組件上搭載具有鏤空結(jié)構(gòu)的承載件，承載件可以在傳輸組件的驅(qū)動下，在進料口和出料口之間進行傳輸，承載件將鍍膜腔分隔為兩個鍍膜分腔。當基底位于承載件上時，通過控制相應的蓋本體上的電極組件和供氣組件對承載件上的基底進行單面鍍膜或雙面鍍膜。即當基底需要進行雙面鍍膜時，可以控制兩組蓋體組件上的電極組件和供氣組件工作，以對基底進行雙面鍍膜，可以有效避免基底鍍膜過程中進行翻片處理，提高生產(chǎn)節(jié)拍，提升生產(chǎn)效率。
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1.一種板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述供氣組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述供氣件上還設(shè)有第二供氣通道，以及與所述第二供氣通道連通的第二供氣口和第二排氣口，所述第二供氣口設(shè)于所述供氣件的靠近中心位置，所述第二排氣口的數(shù)量按照等比數(shù)列進行分裂，所述第二排氣口的布設(shè)區(qū)域位于所述第一排氣口的布設(shè)區(qū)域的外圍；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述傳輸組件包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述傳輸組件還包括傳輸皮帶，所述傳輸皮帶位于相鄰的兩個所述傳動輪之間，并與相鄰的兩個所述傳動輪傳動連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述傳輸組件還包括張緊部件，所述張緊部件的數(shù)量與所述傳輸皮帶的數(shù)量一一對應；
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述送料組件還包括頂升部件，所述頂升部件位于相鄰的兩個
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括加熱組件，所述加熱組件設(shè)于所述殼體組件的內(nèi)壁，所述加熱組件包括傳熱板和加熱絲，所述傳熱板沿所述殼體組件的內(nèi)壁設(shè)置，所述加熱絲設(shè)于所述傳熱板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述電極組件包括電源模塊和電極柱，所述電極柱連接在所述電源模塊，并伸入所述鍍膜腔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的板式CVD真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述電極組件還包括屏蔽部件，所述屏蔽部件設(shè)于所述蓋本體，并罩設(shè)至所述電極柱。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述供氣組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述供氣件上還設(shè)有第二供氣通道，以及與所述第二供氣通道連通的第二供氣口和第二排氣口，所述第二供氣口設(shè)于所述供氣件的靠近中心位置，所述第二排氣口的數(shù)量按照等比數(shù)列進行分裂，所述第二排氣口的布設(shè)區(qū)域位于所述第一排氣口的布設(shè)區(qū)域的外圍；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述傳輸組件包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述傳輸組件還包括傳輸皮帶，所述傳輸皮帶位于相鄰的兩個所述傳動輪之間，并與相鄰的兩個所述傳動輪傳動連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的板式cvd真空鍍膜設(shè)備，其...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄒澤玉，石鵬飛，柴鵬斌，
申請(專利權(quán))人：三一硅能株洲有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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