一種Micro-LED顯示面板制造技術

本技術的Micro?LED顯示面板，包括基板，所述基板上設有若干Micro?LED芯片、所述Micro?LED芯片下方設有反射層，所述Micro?LED芯片四周以及相鄰所述Micro?LED芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層上設有與所述Micro?LED芯片齊平的黑色絕緣擋光層。本技術提供的Micro?LED顯示面板具有高亮度和高對比度。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及micro-led顯示面板領域，尤其涉及micro-led顯示面板。

技術介紹

1、由于micro-led顯示面板亮度高、壽命長，所以在ar、vr、xr等應用場景中具有非常明顯的優勢。目前的主流方案一般只注重解決串光和提升亮度問題，如采用金屬反射杯包裹芯片，從而減少側向出光。反射杯與芯片間需要制備一層鈍化層，整體工藝復雜、難度高，且只有提升亮度的效果，無法提示對比度。

技術實現思路

1、本技術所要解決的技術問題在于，提供一種micro-led顯示面板，其具有高亮度和高對比度。

2、為解決上述問題，本技術提供了一種micro-led顯示面板，包括基板，所述基板上設有若干micro-led芯片、所述micro-led芯片下方設有反射層，所述micro-led芯片四周以及相鄰所述micro-led芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層上設有與所述micro-led芯片的頂面齊平的黑色絕緣擋光層。

3、在一種實施方式中，所述micro-led芯片下方還設有鍵合層，所述基板、鍵合層、反射層和所述micro-led芯片依次連接。

4、在一種實施方式中，所述鍵合層的厚度為0.1μm～10μm。

5、在一種實施方式中，所述反射層為ag金屬反射層、au金屬反射層和al金屬反射層中的一種或多種組合；

6、所述反射層的厚度為0.1μm～10μm。

7、在一種實施方式中，所述白色絕緣擋光層為環氧樹脂絕緣擋光層；>

8、所述白色絕緣擋光層的高度低于所述micro-led芯片的高度。

9、在一種實施方式中，所述白色絕緣擋光層的厚度為0.1μm～30μm。

10、在一種實施方式中，所述黑色絕緣擋光層的厚度為0.1μm～10μm。

11、在一種實施方式中，所述micro-led芯片上方還設有電性連接層，所述電性連接層覆蓋所述micro-led芯片和黑色絕緣擋光層。

12、在一種實施方式中，相鄰所述micro-led芯片的間距為0.1μm～100μm。

13、本技術，具有如下有益效果：

14、本技術提出了一種micro-led顯示面板，包括基板，所述基板上設有若干micro-led芯片、所述micro-led芯片下方設有反射層，所述micro-led芯片四周以及相鄰所述micro-led芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層上設有與所述micro-led芯片的頂面齊平的黑色絕緣擋光層。

15、本技術通過在micro-led芯片下方增加一層反射層，提升芯片的亮度；同時將micro-led芯片的側面用一層白色絕緣擋光層進行包裹，解決串光問題，減少光吸收；再設置一層與micro-led芯片齊平的黑色絕緣擋光層，可以有效提升對比度，防止電性連接層制備時因落差過大發生斷裂；最終得到高亮度、高對比度的micro-led顯示面板。

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【技術保護點】

1.一種Micro-LED顯示面板，其特征在于，包括基板，所述基板上設有若干Micro-LED芯片、所述Micro-LED芯片下方設有反射層，所述Micro-LED芯片四周以及相鄰所述Micro-LED芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層上設有與所述Micro-LED芯片的頂面齊平的黑色絕緣擋光層。

2.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述Micro-LED芯片下方還設有鍵合層，所述基板、鍵合層、反射層和所述Micro-LED芯片依次連接。

3.根據權利要求2所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述鍵合層的厚度為0.1μm～10μm。

4.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述反射層為Ag金屬反射層、Au金屬反射層和Al金屬反射層中的一種或多種組合；

5.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述白色絕緣擋光層為環氧樹脂絕緣擋光層；

6.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述白色絕緣擋光層的厚度為0.1μm～30μm。

7.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述黑色絕緣擋光層的厚度為0.1μm～10μm。

8.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，所述Micro-LED芯片上方還設有電性連接層，所述電性連接層覆蓋所述Micro-LED芯片和黑色絕緣擋光層。

9.根據權利要求1所述的Micro-LED顯示面板，其特征在于，相鄰所述Micro-LED芯片的間距為0.1μm～100μm。

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【技術特征摘要】

1.一種micro-led顯示面板，其特征在于，包括基板，所述基板上設有若干micro-led芯片、所述micro-led芯片下方設有反射層，所述micro-led芯片四周以及相鄰所述micro-led芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層上設有與所述micro-led芯片的頂面齊平的黑色絕緣擋光層。

2.根據權利要求1所述的micro-led顯示面板，其特征在于，所述micro-led芯片下方還設有鍵合層，所述基板、鍵合層、反射層和所述micro-led芯片依次連接。

3.根據權利要求2所述的micro-led顯示面板，其特征在于，所述鍵合層的厚度為0.1μm～10μm。

4.根據權利要求1所述的micro-led顯示面板，其特征在于，所述反射層為ag金屬反射層、au金屬反射層和...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭佳琦，周鑫，崔永進，董澤鑫，徐亮，
申請(專利權)人：佛山市國星半導體技術有限公司，
類型：新型
國別省市：