【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體加工切換控溫，尤其是涉及一種溫控系統(tǒng)、半導體加工裝置及半導體加工溫控方法。
技術(shù)介紹
1、目前在半導體制造領(lǐng)域內(nèi)，存儲芯片最先進的工藝是3d?nand技術(shù)，其產(chǎn)品制造工藝中，刻蝕屬于最重要的制程之一。在半導體刻蝕工藝過程中，射頻裝置會產(chǎn)生大量熱量，晶圓溫度變化會影響刻蝕精度，所以晶圓加工過程中需要對加工腔的溫度進行精確控制。
2、在晶圓加工過程中，晶圓在蝕刻設備內(nèi)通常在兩種溫度工況下進行切換，其一為常溫工況，即，在晶圓存放和移出蝕刻腔體時，蝕刻腔室需要保持常溫狀態(tài)；其二為冷卻工況，即，在晶圓蝕刻過程中，晶圓表面溫度升高，為保證晶圓溫度穩(wěn)定，在此過程中需要對晶圓進行冷卻。在晶圓蝕刻加工工序內(nèi)，至少需要進行兩次溫度工況的切換，例如，一次為存放晶圓后進行晶圓蝕刻的過程，此時需要將蝕刻腔體內(nèi)的溫度自存放晶圓的常溫工況切換至蝕刻晶圓的冷卻工況；一次為完成蝕刻后取出晶圓的過程，此時需要將蝕刻腔體內(nèi)的溫度自蝕刻晶圓的冷卻工況切換至移出晶圓的常溫工況。
3、然而，傳統(tǒng)的蝕刻腔體的冷卻系統(tǒng)功能單一，當需要切換溫度工況時，需要加熱制冷設備直接將整個溫控回路調(diào)整至對應溫度工況的溫度，每切換一次溫度工況便需要整個溫控回路整體調(diào)整一次溫度，由于切換過程冷熱負載過大，需要將制冷和加熱部分設計的很大從而滿足刻蝕的溫度恢復要求，這樣會導致制冷制熱設備體積較大，且耗能巨大，造成能量浪費。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種溫控系統(tǒng)、半導體加工裝置及半導體加工溫控方法，
2、根據(jù)本申請的第一方面提供一種溫控系統(tǒng)，包括控溫循環(huán)回路和冷卻部，所述冷卻部設置于加工腔室內(nèi)，所述控溫循環(huán)回路與所述冷卻部連接，以形成供冷卻流體循環(huán)的冷卻循環(huán)回路；
3、所述溫控系統(tǒng)包括調(diào)溫部和蓄能組件，所述蓄能組件包括彼此并聯(lián)的第一蓄能部和第二蓄能部，所述調(diào)溫部與所述蓄能組件兩者串聯(lián)接入所述控溫循環(huán)回路；
4、其中，所述第一蓄能部存儲的冷卻流體溫度為第一溫度，所述第二蓄能部存儲的冷卻流體溫度為第二溫度；所述第一溫度為冷卻流體在常溫工況下的使用溫度，所述第二溫度為冷卻流體在冷卻工況下的使用溫度。
5、優(yōu)選地，還包括增壓部，所述增壓部設置于所述控溫循環(huán)回路。
6、優(yōu)選地，還包括溫控支路和第一閥部，所述溫控支路經(jīng)由所述第一閥部與所述調(diào)溫部并聯(lián)。
7、優(yōu)選地，所述第一閥部與所述調(diào)溫部兩者均具有流量調(diào)節(jié)功能；
8、和/或，所述冷卻部的冷卻流體流出端、所述調(diào)溫部，所述第一蓄能部和所述第二蓄能部均設置有溫度檢測部。
9、根據(jù)本申請的第二方面提供一種半導體加工裝置，包括上述任一技術(shù)方案所述的溫控系統(tǒng)，因而，具有該溫控系統(tǒng)的全部有益技術(shù)效果，在此，不再贅述。
10、優(yōu)選地，包括多個所述加工腔室和多個所述溫控系統(tǒng)，所述加工腔室和所述溫控系統(tǒng)一一對應設置。
11、優(yōu)選地，多個所述溫控系統(tǒng)中的調(diào)溫部沿預定方向并排設置。
12、根據(jù)本申請的第三方面提供一種半導體加工溫控方法，用于上述任一技術(shù)方案所述的溫控系統(tǒng)，因而，具有該溫控系統(tǒng)和半導體加工裝置的全部有益技術(shù)效果，在此，不再贅述。
13、具體地，其步驟包括：
14、常溫準備，開啟調(diào)溫部，控制調(diào)溫部對控溫循環(huán)回路進行加熱，并將加熱至所述第一溫度的冷卻流體預存于所述第一蓄能部；
15、常溫循環(huán)，使得達到所述第一溫度的冷卻流體流入所述冷卻部，直到所述加工腔室溫度達到所述第一溫度，執(zhí)行放置晶圓動作；
16、冷卻準備，開啟調(diào)溫部，控制調(diào)溫部對控溫循環(huán)回路進行散熱，并將冷卻至所述第二溫度的冷卻流體預存于所述第二蓄能部；
17、冷卻循環(huán)，在晶圓進行加工過程中，控制達到所述第二溫度的冷卻流體流入所述冷卻部，直至完成晶圓加工；
18、二次常溫循環(huán)，使得達到所述第一溫度的冷卻流體流入所述冷卻部，直到所述加工腔室溫度達到所述第一溫度，執(zhí)行移出晶圓動作，并放置新晶圓；
19、交替重復所述冷卻循環(huán)步驟和所述二次常溫循環(huán)步驟。
20、優(yōu)選地，若所述第一蓄能部內(nèi)存儲有冷卻流體，所述常溫循環(huán)步驟和所述二次常溫循環(huán)步驟中，所述達到第一溫度的冷卻流體來自于所述第一蓄能部；
21、若所述第一蓄能部內(nèi)冷卻流體用盡，所述常溫循環(huán)步驟和所述二次常溫循環(huán)步驟中，所述達到第一溫度的冷卻流體來自于所述調(diào)溫部，且重復所述常溫準備步驟；
22、和/或，
23、若所述第二蓄能部內(nèi)存儲有冷卻流體，所述冷卻循環(huán)步驟中，所述達到第二溫度的冷卻流體來自于所述第二蓄能部；
24、若所述第二蓄能部內(nèi)冷卻流體用盡，所述冷卻循環(huán)步驟中，所述達到第二溫度的冷卻流體來自于所述調(diào)溫部，且重復所述冷卻準備步驟。
25、優(yōu)選地，監(jiān)測自所述冷卻部流出的冷卻流體溫度；
26、在所述常溫循環(huán)步驟中或者所述二次常溫循環(huán)的步驟中，若所述冷卻部流出的冷卻流體溫度為所述第一溫度時，控制所述控溫循環(huán)回路，使得所述第一溫度的冷卻流體直接回流至所述第一蓄能部；
27、在所述常溫循環(huán)步驟中或者所述二次常溫循環(huán)的步驟中，若所述冷卻部流出的冷卻流體溫度與所述第一溫度不相等時，控制所述控溫循環(huán)回路，使得所述第一溫度的冷卻流體流向所述調(diào)溫部后再回流至所述第一蓄能部；
28、和/或，
29、在所述冷卻循環(huán)的步驟中，若所述冷卻部流出的冷卻流體溫度為所述第二溫度時，控制所述控溫循環(huán)回路，使得所述第二溫度的冷卻流體直接回流至所述第二蓄能部；
30、在所述冷卻循環(huán)的步驟中，若所述冷卻部流出的冷卻流體溫度與所述第二溫度不相等時，控制所述控溫循環(huán)回路，使得所述第二溫度的冷卻流體流向所述調(diào)溫部后再回流至所述第二蓄能部。
31、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的有益效果為：
32、本申請?zhí)峁┑臏乜叵到y(tǒng)，通過設置彼此并聯(lián)連接的第一蓄能部和第二蓄能部，使得經(jīng)由調(diào)溫部加熱獲得的溫度達到第一溫度(即滿足常溫工況下使用的冷卻流體溫度)的冷卻流體儲存于第一蓄能部，使得經(jīng)由調(diào)溫部加熱獲得的溫度達到第二溫度(即滿足冷卻工況下使用的冷卻流體溫度)的冷卻流體儲存于第二蓄能部，如此，當溫控系統(tǒng)需要溫度工況切換的情況下，溫度系統(tǒng)能夠直接自第一儲能部或者第二儲能部獲取滿足所需工況下的使用溫度的冷卻流體，而不必將溫控系統(tǒng)進行整體的升溫或者降溫，不但有效地降低了溫度工況切換造成的能量損失，提高了溫控系統(tǒng)的能量利用率；而且能夠有效地降低制冷制熱設備的負載，進而壓縮制冷制熱設備占用的空間。
33、為本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種溫控系統(tǒng)，其特征在于，包括控溫循環(huán)回路和冷卻部，所述冷卻部設置于加工腔室內(nèi)，所述控溫循環(huán)回路與所述冷卻部連接，以形成供冷卻流體循環(huán)的冷卻循環(huán)回路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，還包括增壓部，所述增壓部設置于所述控溫循環(huán)回路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，還包括溫控支路和第一閥部，所述溫控支路經(jīng)由所述第一閥部與所述調(diào)溫部并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，
5.一種半導體加工裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至4中任一項所述的溫控系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體加工裝置，其特征在于，包括多個所述加工腔室和多個所述溫控系統(tǒng)，所述加工腔室和所述溫控系統(tǒng)一一對應設置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體加工裝置，其特征在于，多個所述溫控系統(tǒng)中的調(diào)溫部沿預定方向并排設置。
8.一種半導體加工溫控方法，其特征在于，用于權(quán)利要求1至4中任一項所述的溫控系統(tǒng)；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體加工溫控方法，其特征在于，
10.根據(jù)
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種溫控系統(tǒng)，其特征在于，包括控溫循環(huán)回路和冷卻部，所述冷卻部設置于加工腔室內(nèi)，所述控溫循環(huán)回路與所述冷卻部連接，以形成供冷卻流體循環(huán)的冷卻循環(huán)回路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，還包括增壓部，所述增壓部設置于所述控溫循環(huán)回路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，還包括溫控支路和第一閥部，所述溫控支路經(jīng)由所述第一閥部與所述調(diào)溫部并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溫控系統(tǒng)，其特征在于，
5.一種半導體加工裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至4中任一項所述的溫控...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡文達，鄭璐，劉紫陽，靳李富，李文博，何滔，魯元進，
申請(專利權(quán))人：北京京儀自動化裝備技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。