【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及電機(jī)驅(qū)動(dòng)，特別涉及逆變器，具體是指一種開(kāi)放式三相逆變器。
技術(shù)介紹
1、隨著人們對(duì)于涉及電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器產(chǎn)品的更高性能需求，產(chǎn)品的安全性、可靠性、經(jīng)濟(jì)性越來(lái)越受到重視，該趨勢(shì)在涉及低壓大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域尤為明顯，目前，常見(jiàn)的電機(jī)逆變器供電范圍小，輸出功率也較小，難以驅(qū)動(dòng)低壓大電流電機(jī)，且存在與外部電機(jī)控制器適配性較差的問(wèn)題。
2、因此，如何提供一種供電范圍廣，輸出功率大，適配性好，應(yīng)用范圍廣泛的逆變器成為本領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種供電范圍廣，輸出功率大，適配性好的開(kāi)放式三相逆變器。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本技術(shù)的開(kāi)放式三相逆變器具有如下構(gòu)成：
3、該開(kāi)放式三相逆變器包括預(yù)充電路1、防反電路2、制動(dòng)電路3、逆變電路4、采樣電路5、檢測(cè)保護(hù)電路6、接口電路8和電機(jī)控制器9；
4、所述電機(jī)控制器9與所述接口電路8相連接，所述電機(jī)控制器9向所述接口電路8提供控制指令，并獲取所述接口電路8的反饋信息；
5、所述接口電路8連接并控制所述預(yù)充電路1、所述防反電路2、所述逆變電路4、所述采樣電路5和所述檢測(cè)保護(hù)電路6，并獲取上述各電路1、2、4、5、6的信息；
6、所述預(yù)充電路1與直流母線上的主正繼電器12并聯(lián)，并連接于dc-dc電源電路14和所述的防反電路2之間，該預(yù)充電路1包括串聯(lián)的預(yù)充繼電器10和預(yù)充電阻11，所述的主正繼電器12和預(yù)充繼電器10
7、所述防反電路2連接于所述的預(yù)充電路1與所述的制動(dòng)電路3之間；
8、所述制動(dòng)電路3包括連接于所述直流母線的制動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片和外接制動(dòng)電阻15，用于母線電壓的放電；
9、所述逆變電路4是三相半橋拓?fù)潆娐罚肯喟霕虬ǘ鄠€(gè)并聯(lián)的n溝道m(xù)osfet，該三相半橋拓?fù)潆娐肥芩鼋涌陔娐?的控制，并向所述接口電路8反饋三相電流信號(hào)；
10、所述采樣電路5包括連接于所述直流母線的三相電流采樣子電路、直流母線電壓采樣子電路和溫度采樣子電路，各采樣子電路產(chǎn)生的采樣信號(hào)均傳遞到所述接口電路8；
11、所述檢測(cè)保護(hù)電路6檢測(cè)所述的各采樣子電路，根據(jù)預(yù)設(shè)的閾值產(chǎn)生相應(yīng)的過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓信號(hào)，根據(jù)所述的過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓信號(hào)進(jìn)行保護(hù)，并將過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓信號(hào)傳遞至所述接口電路8。
12、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述的主正繼電器12受所述的電機(jī)控制器9外部控制或者通過(guò)上電延時(shí)閉合電路13控制，并且閉合時(shí)間可調(diào)。
13、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述逆變電路4的每相半橋包括4個(gè)并聯(lián)的n溝道m(xù)osfet，且每相半橋上下臂的導(dǎo)通控制設(shè)置有死區(qū)保護(hù)時(shí)間。
14、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述采樣電路5中，所述的三相電流采樣子電路包括霍爾電流檢測(cè)電路和shunt電流檢測(cè)電路，所述的shunt電流檢測(cè)電路位置在每相下橋臂。
15、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述檢測(cè)保護(hù)電路6的閾值可調(diào)節(jié)。
16、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述的防反電路2包括反極性保護(hù)芯片和外部n溝道m(xù)osfet，對(duì)低電壓、大電流的輸入進(jìn)行反向極性保護(hù)。
17、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述接口電路8包括模擬量esd防護(hù)電路、數(shù)字量i/o緩沖電路、ptc溫度檢測(cè)電路以及一路傳感器供電輸出。
18、該開(kāi)放式三相逆變器中，所述接口電路8的所有數(shù)字信號(hào)均兼容5v和3.3v電平。
19、該開(kāi)放式三相逆變器還包括與直流母線連接的冷卻系統(tǒng)7，所述冷卻系統(tǒng)7包括鋁基板及內(nèi)部多組風(fēng)扇，配合外部散熱通道進(jìn)行散熱。
20、采用了該技術(shù)的開(kāi)放式三相逆變器，其包括預(yù)充電路1、防反電路2、制動(dòng)電路3、逆變電路4、采樣電路5、檢測(cè)保護(hù)電路6、接口電路8和電機(jī)控制器9。其中，電機(jī)控制器的供電從直流母線直接取電，直流母線的供電范圍可達(dá)到9～60v能很好的適配12v到48v系統(tǒng)，同時(shí)，由于該逆變電路采用每相半橋上下臂均采用多組n溝道m(xù)osfet并聯(lián)，配合獨(dú)特的鋁基板和多組風(fēng)扇的散熱方式，使得該三相逆變器可以驅(qū)動(dòng)低壓大電流電機(jī)。該逆變器具有多種故障保護(hù)模式，并且保護(hù)閾值可調(diào)，而且主正繼電器控制，三相電流采樣模式均有兩種方式選擇，極大的保證了逆變器的安全性、可靠性和靈活性，并且本技術(shù)的開(kāi)放式三相逆變器，其高度集成，兼容性強(qiáng)，通過(guò)接口電路，所有數(shù)字信號(hào)均兼容ttl電平，可靈活搭配各種外部電機(jī)控制器，實(shí)現(xiàn)使用場(chǎng)景簡(jiǎn)單，成本低，同時(shí)也提高產(chǎn)品的適配性。
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1.一種開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，包括預(yù)充電路(1)、防反電路(2)、制動(dòng)電路(3)、逆變電路(4)、采樣電路(5)、檢測(cè)保護(hù)電路(6)、接口電路(8)和電機(jī)控制器(9)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，所述的主正繼電器(12)受所述的電機(jī)控制器(9)外部控制或者通過(guò)上電延時(shí)閉合電路(13)控制，并且閉合時(shí)間可調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，所述逆變電路(4)的每相半橋包括4個(gè)并聯(lián)的N溝道MOSFET，且每相半橋上下臂的導(dǎo)通控制設(shè)置有死區(qū)保護(hù)時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述采樣電路(5)中，所述的三相電流采樣子電路包括霍爾電流檢測(cè)電路和shunt電流檢測(cè)電路，所述的shunt電流檢測(cè)電路位置在每相下橋臂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述檢測(cè)保護(hù)電路(6)的閾值可調(diào)節(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述的防反電路(2)包括反極性保護(hù)芯片和外部N溝道MOSFET，對(duì)低電壓、大電流的輸
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述接口電路(8)包括模擬量ESD防護(hù)電路、數(shù)字量I/O緩沖電路、PTC溫度檢測(cè)電路以及一路傳感器供電輸出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述接口電路(8)的所有數(shù)字信號(hào)均兼容5V和3.3V電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：還包括與直流母線連接的冷卻系統(tǒng)(7)，所述冷卻系統(tǒng)(7)包括鋁基板及內(nèi)部多組風(fēng)扇，配合外部散熱通道進(jìn)行散熱。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，包括預(yù)充電路(1)、防反電路(2)、制動(dòng)電路(3)、逆變電路(4)、采樣電路(5)、檢測(cè)保護(hù)電路(6)、接口電路(8)和電機(jī)控制器(9)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，所述的主正繼電器(12)受所述的電機(jī)控制器(9)外部控制或者通過(guò)上電延時(shí)閉合電路(13)控制，并且閉合時(shí)間可調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于，所述逆變電路(4)的每相半橋包括4個(gè)并聯(lián)的n溝道m(xù)osfet，且每相半橋上下臂的導(dǎo)通控制設(shè)置有死區(qū)保護(hù)時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)放式三相逆變器，其特征在于：所述采樣電路(5)中，所述的三相電流采樣子電路包括霍爾電流檢測(cè)電路和shunt電流檢測(cè)電路，所述的shunt電流檢測(cè)電路位置在每相下橋臂。
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邵帥帥，馮英本，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海賡衍智能技術(shù)有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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