【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體光電器件，尤其涉及一種紫外半導體激光器。
技術介紹
1、半導體紫外激光器在紫外固化、紫外激光金屬加工、生物技術以及其他激光加工等方面有著廣泛的應用。近年來，隨著紫外激光器技術的不斷發展，其輸出功率從幾百毫瓦到幾瓦之間，目前研究的主要挑戰依然是增加半導體紫外激光器的光輸出功率。
2、在提高紫外激光器的光輸出功率方面，現階段，通常會提高aln基板材料的晶體質量、實現較低電阻率的n型algan和p型algan、高光效的量子阱結構設計以及載流子注入設計等方面入手，以上不同的解決方案，一定程度上可以對器件的光輸出功率有所提升，但是效果不明顯。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種紫外半導體激光器，以將激光集中在激光出射層，進而能夠減少光損耗，提高紫外半導體激光器的輸出功率。
2、本專利技術實施例提供了一種紫外半導體激光器，包括：
3、襯底；
4、外延結構，位于所述襯底一側；所述外延結構包括激光出射層以及第一限制層；所述第一限制層位于所述激光出射層靠近所述襯底的一側；
5、所述第一限制層包括第一限制分部以及第二限制分部；所述第二限制分部位于所述第一限制分部遠離所述襯底的一側；所述第一限制分部包括光柵結構；所述光柵結構包括n-alxga1-xn層；所述第二限制分部包括n-alyga1-yn層，其中，0＜x＜y＜1。
6、可選的，所述光柵結構包括多個凸起部和多個凹槽部；沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所
7、沿第一方向，所述凸起部與所述凹槽部依次交替設置；所述第一方向與所述襯底所在平面平行。
8、可選的，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述凹槽部的平均深度為h1；其中，100nm≤h1≤200nm；
9、沿所述第一方向，所述凹槽部的平均開口寬度為d1，所述凸起部的平均寬度為d2；其中，30nm≤d1≤100nm，且90nm≤d1+d2≤180nm。
10、可選的，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述第一限制分部的厚度為h2，所述第二限制分部的厚度為h3；其中，2000nm≤h2≤3000nm；1000nm≤h3≤1500nm。
11、可選的，0.6≤x≤0.65，0.65≤y≤0.7。
12、可選的，所述凹槽部包括矩形槽、三角槽或者梯形槽。
13、可選的，沿所述第一方向，所述凸起部的平均寬度等于所述凹槽部的平均開口寬度。
14、可選的，所述外延結構還包括：
15、過渡層，位于所述第一限制層靠近襯底的一側；
16、第一波導層，位于所述第一限制層遠離所述襯底的一側；所述激光出射層位于所述第一波導層遠離所述襯底的一側；
17、第二波導層，位于所述激光出射層遠離所述襯底的一側；
18、電子阻擋層，位于所述第二波導層遠離所述襯底的一側；
19、第二限制層，位于所述電子阻擋層遠離所述襯底的一側；
20、接觸層，位于所述第二限制層遠離所述襯底的一側。
21、可選的，所述紫外半導體激光器還包括：
22、第一電極，位于所述接觸層遠離所述襯底的一側；
23、第二電極，位于所述第一波導層遠離所述襯底的一側。
24、可選的，所述外延結構還包括適配層；
25、所述適配層位于所述襯底的一側，且所述適配層以及所述襯底均包括aln層。
26、本專利技術實施例的技術方案，第一限制層能夠將光限制在激光出射層附近的區域，第一限制層包括疊層設置的第一限制分部以及第二限制分部，且第一限制分部包括光柵結構，光柵結構與第二限制分部均包括n-algan，通過設置光柵結構中的al組分小于第二限制分部中的al組分，由于al組分越高，折射率越小，如此能夠使光在光柵結構中的折射率大于在第二限制分部中的折射率，進而能夠減少光損耗，將更多的光限制在激光出射層，提高紫外半導體激光器的輸出功率。
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1.一種紫外半導體激光器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的紫外半導體激光器，其特征在于，所述光柵結構包括多個凸起部和多個凹槽部；沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述凹槽部貫穿至少部分第一限制分部；
3.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述凹槽部的平均深度為H1；其中，100nm≤H1≤200nm；
4.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述第一限制分部的厚度為H2，所述第二限制分部的厚度為H3；其中，2000nm≤H2≤3000nm；1000nm≤H3≤1500nm。
5.根據權利要求1所述的紫外半導體激光器，其特征在于，0.6≤x≤0.65，0.65≤y≤0.7。
6.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，所述凹槽部包括矩形槽、三角槽或者梯形槽。
7.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，沿所述第一方向，所述凸起部的平均寬度等于所述凹槽部的平均開口寬度。
8
9.根據權利要求8所述的紫外半導體激光器，其特征在于，所述紫外半導體激光器還包括：
10.根據權利要求1所述的紫外半導體激光器，其特征在于，所述外延結構還包括適配層；
...【技術特征摘要】
1.一種紫外半導體激光器，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的紫外半導體激光器，其特征在于，所述光柵結構包括多個凸起部和多個凹槽部；沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述凹槽部貫穿至少部分第一限制分部；
3.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述凹槽部的平均深度為h1；其中，100nm≤h1≤200nm；
4.根據權利要求2所述的紫外半導體激光器，其特征在于，沿所述紫外半導體激光器的厚度方向，所述第一限制分部的厚度為h2，所述第二限制分部的厚度為h3；其中，2000nm≤h2≤3000nm；1000nm≤h3≤1500nm。
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