【技術實現步驟摘要】
本技術涉及dbc封裝領域，尤其涉及一種igbt模塊。
技術介紹
1、如圖1所示，為現有的igbt模塊，包括外框架109、銅底板101以及dbc板，dbc板包括依次設置的dbc銅層103、dbc陶瓷層104、電路銅層105、芯片107，dbc銅層103通過焊錫（錫層102）焊在銅底板101上，芯片107通過焊錫（錫層106）焊在電路銅層105上，電路銅層106通過鋁線108與設置在外框架109上的引腳110電連接。并且銅底板101上的dbc板具有多個，多個dbc板通過鋁線108電連接，dbc板產生的熱量通過銅底板101傳遞出去。這種igbt模塊雖然能夠滿足大部分的使用需求，但是由于銅底板101、錫層102以及dbc板的金屬成分不同，在復雜的環境下，例如產品功率循環在100°c?條件下，5萬次的循環之后會出現界面的輕度分層，8萬次壽命之后，界面的分層擴大引起熱失效，界面分層后，芯片運行產生的熱，無法直接傳導至散熱板，導致芯片熱失效，從而產品功能失效。
技術實現思路
1、本技術的主要目的在于提供一種igbt模塊，用以解決上述技術問題。
2、為達到以上目的，本技術采用的技術方案為：一種igbt模塊，包括：
3、外框，呈中空結構；
4、dbc板，包括一塊dbc銅層、一塊dbc陶瓷層以及一塊電路銅層，所述dbc銅層和電路銅層分別設置在dbc陶瓷層的兩側表面上，所述dbc陶瓷層固定在外框的中空結構的下端開口處，電路銅層具有多塊帶有電路的銅板；
5、
6、優選地，在所述外框上設置有多個接線端子，多個所述接線端子圍繞著所述中空結構設置，并且所述接線端子的一端直接固定在電路銅層上。
7、優選地，所述dbc銅層和電路銅層厚度相同，均采用無氧銅制成，陶瓷層的厚度略大于dbc銅層，采用氧化鋁或者氮化鋁或者氮化硅制成。
8、優選地，所述dbc銅層的邊緣均勻地設置有多個應力孔。
9、優選地，在所述外框的下表面且對應于中空結構的位置處形成有沉槽，所述沉槽的長和寬分別略大于dbc陶瓷層的長和寬以使dbc陶瓷層能夠放入到沉槽中，所述沉槽的深度等于dbc陶瓷層的厚度，所述dbc陶瓷層固定在沉槽中。
10、優選地，在所述外框的沿長度方向的兩端設置有安裝孔，在每個安裝孔的沿寬度方向的兩側分別設置有l型應力釋放槽，俯視觀察時，所述l型應力釋放槽的一部分沿著平行于外框的寬度方向延伸，另一部分沿著平行于外框的長度方向延伸。
11、優選地，還包括蓋板，所述蓋板可拆卸地設置在外框的上表面，用于將所述中空結構的上方開口封堵，在所述蓋板的下表面上設置有頂桿，當蓋板安裝好后，所述頂桿能夠頂住dbc板。
12、優選地，還包括散熱器，所述dbc銅層貼在散熱器上。
13、優選地，在所述dbc銅層的背離電路銅層的一側設置有多個散熱翅片，所述散熱翅片與dbc銅層一體成型。
14、與現有技術相比，本技術具有以下有益效果：
15、1）本技術省去了現有技術中的銅底板，一方面節省了材料，另一方面使dbc板能夠直接固定在散熱器上，減少了熱量從dbc板到散熱器所經過的材料種類，進而減少了熱失效的可能性，提高了igbt模塊的使用壽命；
16、2）本技術將dbc板做成了一整塊，代替了現有技術中將多塊dbc板放置到銅底板上，在整體尺寸相同的前提下，可以增加dbc板的有效使用面積，集成更多的電路；
17、3）接線端子直接與電路銅層連接，一方面減少了工藝，另一方面接線端子能夠將dbc板的一部分熱量傳遞出去；
18、4）本專利技術還可以將散熱翅片與dbc銅層一體成型，減少了熱傳遞的路徑，進而改善了散熱效果，同時避免了界面分層，同時此種情況下的dbc銅層會厚一些，再加上散熱翅片的作用，減少了dbc銅層因應力而產生變形的可能性。
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1.一種IGBT模塊，包括：
2.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，在所述外框上設置有多個接線端子，多個所述接線端子圍繞著所述中空結構設置，并且所述接線端子的一端直接固定在電路銅層上。
3.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，所述DBC銅層和電路銅層厚度相同，均采用無氧銅制成，陶瓷層的厚度略大于DBC銅層，采用氧化鋁或者氮化鋁或者氮化硅制成。
4.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，所述DBC銅層的邊緣均勻地設置有多個應力孔。
5.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，在所述外框的下表面且對應于中空結構的位置處形成有沉槽，所述沉槽的長和寬分別略大于DBC陶瓷層的長和寬以使DBC陶瓷層能夠放入到沉槽中，所述沉槽的深度等于DBC陶瓷層的厚度，所述DBC陶瓷層固定在沉槽中。
6.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，在所述外框的沿長度方向的兩端設置有安裝孔，在每個安裝孔的沿寬度方向的兩側分別設置有L型應力釋放槽，俯視觀察時，所述L型應力釋放槽的一部分沿著平行于
7.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，還包括蓋板，所述蓋板可拆卸地設置在外框的上表面，用于將所述中空結構的上方開口封堵，在所述蓋板的下表面上設置有頂桿，當蓋板安裝好后，所述頂桿能夠頂住DBC板。
8.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，還包括散熱器，所述DBC銅層貼在散熱器上。
9.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊，其特征在于，在所述DBC銅層的背離電路銅層的一側設置有多個散熱翅片，所述散熱翅片與DBC銅層一體成型。
...【技術特征摘要】
1.一種igbt模塊，包括：
2.根據權利要求1所述的一種igbt模塊，其特征在于，在所述外框上設置有多個接線端子，多個所述接線端子圍繞著所述中空結構設置，并且所述接線端子的一端直接固定在電路銅層上。
3.根據權利要求1所述的一種igbt模塊，其特征在于，所述dbc銅層和電路銅層厚度相同，均采用無氧銅制成，陶瓷層的厚度略大于dbc銅層，采用氧化鋁或者氮化鋁或者氮化硅制成。
4.根據權利要求1所述的一種igbt模塊，其特征在于，所述dbc銅層的邊緣均勻地設置有多個應力孔。
5.根據權利要求1所述的一種igbt模塊，其特征在于，在所述外框的下表面且對應于中空結構的位置處形成有沉槽，所述沉槽的長和寬分別略大于dbc陶瓷層的長和寬以使dbc陶瓷層能夠放入到沉槽中，所述沉槽的深度等于dbc陶瓷層的厚度，所述dbc陶瓷層固定在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王玉玲，龔秀友，李盛穩，郭雄，梁佳，
申請(專利權)人：廣東巨風半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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