【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于半導體制作，具體涉及一種勻膠方法。
技術介紹
1、在半導體制造領域，光刻工藝無疑是核心環(huán)節(jié)，它直接決定了芯片上各功能區(qū)圖形尺寸的制作精準度。與此同時，光刻工藝的優(yōu)劣還會對晶圓上芯片的良率與產(chǎn)出產(chǎn)生直接影響。在光刻工藝進行時，光刻膠被涂覆于晶圓表面，然而，靠近晶圓邊緣的光刻膠往往容易在晶圓的正面和背面出現(xiàn)堆膠現(xiàn)象。這種邊緣堆膠問題會致使晶圓邊緣在曝光時制作精度降低，并且在顯影后出現(xiàn)圖形不規(guī)則或者膠層脫落的缺陷。
2、在當下的光刻工藝中，為了消除由邊緣堆膠引發(fā)的缺陷，通常會采用去邊工藝來清除晶圓邊緣堆積的光刻膠。但這一工藝會使晶圓邊緣數(shù)個毫米甚至更大面積無法得到利用，從而減少了單片晶圓上芯片的產(chǎn)量，造成了一定的成本損失。
技術實現(xiàn)思路
1、因此，本申請要解決的技術問題在于提供一種勻膠方法，旨在克服現(xiàn)有光刻工藝中晶圓邊緣堆膠問題帶來的不良影響，同時避免傳統(tǒng)去邊工藝造成的晶圓可用面積減少和成本損失。
2、為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N勻膠方法，包括：
3、粘貼背膠膜至晶圓的背面；
4、旋涂光刻膠至晶圓的正面；
5、移除背膠膜。
6、可選的，移除背膠膜，包括：
7、曝光背膠膜。
8、可選的，晶圓的厚度為300um～800um。
9、可選的，背膠膜的厚度為50um～100um。
10、可選的，晶圓與背膠膜的軸心線重合。
11、可選的，晶圓的直徑為a，
12、可選的，背膠膜由聚合物基底、光敏感樹脂、光引發(fā)劑和添加劑組成。
13、可選的，光刻膠旋涂時轉速為1000rpm～6000rpm。
14、可選的，背膠膜曝光的光照強度大于20mw/cm2。
15、可選的，背膠膜解膠所需的總曝光能量大于1000mj/cm2。
16、有益效果
17、本專利技術的實施例中所提供的勻膠方法，通過先將背膠膜粘貼至晶圓的背面，然后旋涂光刻膠至晶圓的正面，最后移除背膠膜。實現(xiàn)了在不采用去邊工藝的情況下，有效解決光刻膠邊緣堆膠問題，提高晶圓上芯片的制作精準度和良率，同時充分利用晶圓的面積，降低生產(chǎn)成本。
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1.一種勻膠方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的勻膠方法，其特征在于，
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9.根據(jù)權利要求2所述的勻膠方法，其特征在于，
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【技術特征摘要】
1.一種勻膠方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的勻膠方法，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求1所述的勻膠方法，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求1所述的勻膠方法，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求1所述的勻膠方法，其特征在于，
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：汪嵚，王騰釗，蔡陽光，劉巍，
申請(專利權)人：武漢敏芯半導體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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