【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開(kāi)涉及電子，具體涉及一種功率模塊。
技術(shù)介紹
1、功率模塊是由多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件組合封裝成的一個(gè)模塊，其可以作為整流器或者逆變器在各種電器中應(yīng)用。
2、通常，功率模塊包括殼體、多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件和散熱器，多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件位于殼體內(nèi)，散熱器與殼體的其中一個(gè)表面連接，通過(guò)該表面進(jìn)行熱傳導(dǎo)從而實(shí)現(xiàn)對(duì)功率模塊的散熱。
3、但上述功率模塊的散熱效果有限，降低了功率模塊工作時(shí)的穩(wěn)定性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種功率模塊，能夠提高功率模塊的散熱效果，從而提高功率模塊工作時(shí)的穩(wěn)定性，技術(shù)方案如下：
2、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種功率模塊，所述功率模塊包括散熱組件、至少一個(gè)功率單元和固定件；
3、所述散熱組件包括散熱殼體和冷卻裝置，所述散熱殼體的上表面具有多個(gè)安裝槽，所述散熱殼體還具有冷卻通道，所述冷卻通道環(huán)繞于每個(gè)安裝槽設(shè)置，所述冷卻裝置的第二出液口與所述冷卻通道的第一進(jìn)液口連通，所述冷卻裝置的第二進(jìn)液口與所述冷卻通道的第一出液口連通，所述冷卻裝置用于對(duì)流入所述第二進(jìn)液口的液體進(jìn)行制冷，并將制冷后的液體通過(guò)所述第二出液口排出；
4、所述功率單元包括多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件和連接組件，所述多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件通過(guò)所述連接組件電性連接，每個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件位于不同的安裝槽中；
5、所述固定件與所述散熱殼體相連，以將所述多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件限位于所述安裝槽中。
6、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)
7、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述散熱殼體具有矩形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)安裝槽呈多行多列排布。
8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述多個(gè)安裝槽呈n行多列排布，所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的數(shù)量為n的倍數(shù)，所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件位于同一列安裝槽中或者位于相鄰的多列安裝槽中，其中，所述n為正整數(shù)。
9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述散熱殼體包括上板、側(cè)板和底板，所述側(cè)板的兩端分別與所述上板的邊緣、所述下板的邊緣相連，所述上板、所述側(cè)板和所述下板之間形成所述冷卻通道，所述上板具有多個(gè)安裝凸起，所述安裝凸起的凸起方向?yàn)橄蛑鱿掳宓姆较颍總€(gè)安裝槽的位置分別與一個(gè)安裝凸起的位置相對(duì)應(yīng)。
10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述側(cè)板為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述第一進(jìn)液口和所述第一出液口位于所述側(cè)板的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上，所述第一進(jìn)液口位于所述側(cè)板的靠近底板的位置，所述第一出液口位于所述側(cè)板的靠近上板的位置。
11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的第一長(zhǎng)度大于所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的第二長(zhǎng)度，其中，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的第一長(zhǎng)度為所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件在垂直于所述散熱殼體的上表面的方向上的長(zhǎng)度，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的第二長(zhǎng)度為所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件在所述散熱殼體的上表面上的正投影的任意兩個(gè)邊緣點(diǎn)之間的長(zhǎng)度的最大值。
12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件具有控制端、輸入端和輸出端；
13、所述連接組件包括第一連接件、第二連接件和第三連接件，所述第一連接件與所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的控制端均電性連接，所述第二連接件與所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的輸入端均電性連接，所述第三連接件與所述功率單元包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的輸出端均電性連接。
14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述固定件包括多個(gè)安裝板，所述安裝板與所述散熱殼體的上表面相連，所述安裝板遮擋所述安裝槽的部分槽口以將所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件限位于所述安裝槽中。
15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件為igbt(insulated?gatebipolar?transistor，絕緣柵雙極型晶體管)、mosfet(metaloxide?semiconductor?fieldeffect?transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、二極管中的至少一種。
16、本公開(kāi)的實(shí)施例提供的技術(shù)方案至少包括以下有益效果：
17、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種功率模塊，在該功率模塊中，冷卻通道環(huán)繞于每個(gè)安裝槽設(shè)置，這樣，冷卻通道中的液體能夠?qū)Π雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的至少所有的側(cè)面進(jìn)行散熱降溫，從而提高了功率模塊的散熱效果，進(jìn)而提高了功率模塊工作時(shí)的穩(wěn)定性。
18、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開(kāi)。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種功率模塊，其特征在于，所述功率模塊包括散熱組件(1)、至少一個(gè)功率單元(2)和固定件(3)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)位于相鄰的多個(gè)安裝槽(111)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱殼體(11)具有矩形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)安裝槽(111)呈多行多列排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述多個(gè)安裝槽(111)呈N行多列排布，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的數(shù)量為N的倍數(shù)，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)位于同一列安裝槽(111)中或者位于相鄰的多列安裝槽(111)中，其中，所述N為正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱殼體(11)包括上板(113)、側(cè)板(114)和底板(115)，所述側(cè)板(114)的兩端分別與所述上板(113)的邊緣、所述底板(115)的邊緣相連，所述上板(113)、所述側(cè)板(114)和所述底板(115)之間形成所述冷卻通道(112)，所
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述側(cè)板(114)為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述第一進(jìn)液口(1121)和所述第一出液口(1122)位于所述側(cè)板(114)的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上，所述第一進(jìn)液口(1121)位于所述側(cè)板(114)的靠近底板(115)的位置，所述第一出液口(1122)位于所述側(cè)板(114)的靠近上板(113)的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的第一長(zhǎng)度大于所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的第二長(zhǎng)度，其中，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的第一長(zhǎng)度為所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)在垂直于所述散熱殼體(11)的上表面(a)的方向上的長(zhǎng)度，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的第二長(zhǎng)度為所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)在所述散熱殼體(11)的上表面(a)上的正投影的任意兩個(gè)邊緣點(diǎn)之間的長(zhǎng)度的最大值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)具有控制端、輸入端和輸出端；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述固定件(3)包括多個(gè)安裝板(31)，所述安裝板(31)與所述散熱殼體(11)的上表面(a)相連，所述安裝板(31)遮擋所述安裝槽(111)的部分槽口以將所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)限位于所述安裝槽(111)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)為絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET、二極管中的至少一種。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種功率模塊，其特征在于，所述功率模塊包括散熱組件(1)、至少一個(gè)功率單元(2)和固定件(3)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)位于相鄰的多個(gè)安裝槽(111)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱殼體(11)具有矩形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)安裝槽(111)呈多行多列排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述多個(gè)安裝槽(111)呈n行多列排布，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)的數(shù)量為n的倍數(shù)，所述功率單元(2)包括的多個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件(21)位于同一列安裝槽(111)中或者位于相鄰的多列安裝槽(111)中，其中，所述n為正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱殼體(11)包括上板(113)、側(cè)板(114)和底板(115)，所述側(cè)板(114)的兩端分別與所述上板(113)的邊緣、所述底板(115)的邊緣相連，所述上板(113)、所述側(cè)板(114)和所述底板(115)之間形成所述冷卻通道(112)，所述上板(113)具有多個(gè)安裝凸起(116)，所述安裝凸起(116)的凸起方向?yàn)橄蛑龅装?115)的方向，每個(gè)安裝槽(111)的位置分別與一個(gè)安裝凸起(116)的位置相對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述側(cè)板(11...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：饒勝，周之光，曹君，張笛舟，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：奇瑞汽車(chē)股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。