【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，具體涉及一種半導體結構的刻蝕方法。
技術介紹
1、在半導體制造過程中，后段金屬連線工藝隨著關鍵尺寸的逐漸減少，金屬溝槽與溝槽之間的間距也在逐漸減少，在半導體器件使用的過程中金屬溝槽間會形成寄生電容，影響器件的使用壽命。為了降低寄生電容，半導體后段間的介質層材料選擇使用低介電常數(low-k)的介質。
2、在半導體刻蝕的過程中，將光刻形成的圖案傳遞下去后需要對光刻膠進行灰化去除，在光刻膠去除的過程中同時也會對低介電常數材料產生損傷，致使半導體結構內形成的通孔側壁存在損傷。如圖1所示，陰影區域為半導體結構內形成的通孔，該陰影區域存在多個臺階，這些臺階就是形成的損傷，這些損傷會影響半導體結構的可靠性。
3、因此，急需一種可以降低低介電常數材料損傷的方法。
技術實現思路
1、因此，為了克服上述現有技術的缺點，本專利技術提供一種半導體結構的刻蝕方法，可以降低刻蝕過程中對低介電常數材料的損傷，提高產品可靠性，提高材料機械性能。
2、為了實現上述目的，本專利技術提供一種半導體結構的刻蝕方法，包括：s1，干法刻蝕將待刻蝕基片的目標刻蝕區域表面的硬掩膜層進行去除，所述待刻蝕基片至少包括從下至上的襯底層、刻蝕停止層、介電層、硬掩膜層以及光刻膠層，所述介電層具有致孔劑；s2，根據預定參數干法刻蝕所述目標刻蝕區域處的介電層，形成刻蝕圖案；s3，干法刻蝕所述光刻膠層；s4，通過混合氣體電解后激發uv光釋放介電層里的致孔劑讓介電層內的si鍵、o鍵、
3、在其中一個實施例中，s4中，所述混合氣體為hbr和ar的混合氣體。
4、在其中一個實施例中，s4中，hbr在所述混合氣體含量為5％～30％，ar在所述混合氣體含量為70％～95％，所述混合氣體流量為200sccm至600sccm。
5、在其中一個實施例中，s1干法蝕刻、s2干法刻蝕、s3干法刻蝕、及s5干法刻蝕為反應離子蝕刻或等離子體蝕刻工藝。
6、在其中一個實施例中，所述s1干法蝕刻過程中，氣體的流量比例為chf3：cf4：o2＝0～100：200～300:0～20；
7、所述s2干法蝕刻過程中，氣體的流量比例為ar：cf4：o2＝600～900：200～300：0～20；
8、所述s3干法蝕刻過程中，氣體的流量比例為co2：o2＝200～500：200～500；
9、所述s5干法蝕刻過程中，氣體的流量比例為ar：cf4：n2：o2＝200～1000：20～120：0～300：0～30。
10、在其中一個實施例中，所述干法刻蝕的參數包括：刻蝕氣體為cf4、chf3、nf3、ch2f2或c4f8，稀釋氣體為n2、o2、co、he或ar，所述刻蝕氣體的氣體流量為10sccm至200sccm，所述稀釋氣體的氣體流量為10sccm至200sccm`，腔室壓強為30mtorr至200mtorr。
11、在其中一個實施例中，s6中，利用氮氣、氫氣、氧氣、一氧化碳、二氧化碳中至少一種氣體處理所述開孔的內壁的過程中，氣體的流量為300sccm至500sccm，處理時間為12s至60s。
12、在其中一個實施例中，所述待刻蝕基片具有氧化層，氧化層設置在所述介電層和所述刻蝕停止層之間，在s4和s5之間還存在s7，干法刻蝕所述氧化層。
13、在其中一個實施例中，s7，刻蝕氣體的氣體流量為10sccm至200sccm，稀釋氣體的氣體流量為10sccm至200sccm，腔室壓強為30mtorr至200mtorr。
14、與現有技術相比，本專利技術的優點在于：通過工藝優化，在電解過程中使用紫外光照射去除介質層中的致孔劑，并使用hbr和ar氣體讓材料內的si-鍵、o-鍵、c-鍵重新鍵合，不僅降低在去膠過程中使用的含有氧的如o2、co2、co等氣體在等離子體狀態下對介質層中低介電常數材料的損傷程度，提高產品可靠性，還提高材料機械性能。
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1.一種半導體結構的刻蝕方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，S4中，所述混合氣體為HBr和Ar的混合氣體。
3.根據權利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，S4中，HBr在所述混合氣體含量為5％～30％，Ar在所述混合氣體含量為70％～95％，所述混合氣體流量為200sccm至600sccm。
4.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，S1干法蝕刻、S2干法刻蝕、S3干法刻蝕、及S5干法刻蝕為反應離子蝕刻或等離子體蝕刻工藝。
5.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述S1干法蝕刻過程中，氣體的流量比例為CHF3：CF4：O2＝0～100：200～300:0～20；
6.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述干法刻蝕的參數包括：刻蝕氣體為CF4、CHF3、NF3、CH2F2或C4F8，稀釋氣體為He或Ar，所述刻蝕氣體的氣體流量為10sccm至400sccm，所述稀釋氣體的氣體流量為100sccm至800sccm，腔室壓強為30mTorr至200mTorr。
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