【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種mos管零電流關(guān)斷電路、開關(guān)電源及電子設(shè)備，屬于開關(guān)電源。
技術(shù)介紹
1、目前，開關(guān)電源對能量轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高，對于功率元件mos管，需要減少他的自身內(nèi)阻，減少能量的損耗。如現(xiàn)有技術(shù)中一般采用如圖1所示的推挽正激線路，其mos管q1和q2被正激芯片驅(qū)動，內(nèi)阻產(chǎn)生的能量損耗p＝i2r，最后以熱量形式損壞掉，這就需要通過減少他的自身內(nèi)阻的方式來減少能量的損耗。但使用更低內(nèi)阻的mos管，內(nèi)阻越低的mos管價格越貴，這樣會增加材料成本。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本技術(shù)提供了一種mos管零電流關(guān)斷電路、開關(guān)電源及電子設(shè)備。
2、第一方面，本技術(shù)實施例提供一種mos管零電流關(guān)斷電路，包括：變壓器t1、整流模塊、電壓變換模塊及負(fù)載；
3、整流模塊連接在變壓器t1的次級端；
4、整流模塊、電壓變換模塊及負(fù)載依次連接；
5、電壓變換模塊用于提供一個可變化的電壓,在電路關(guān)斷時，使得變壓器t1次級端的電流降低為0a，從而使得變壓器t1初級端的初級感應(yīng)電流降低為0a。
6、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，變壓器t1的初極端包括開關(guān)mos管q1和開關(guān)mos管q2；
7、開關(guān)mos管q1和開關(guān)mos管q2均由正激芯片驅(qū)動。
8、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，整流模塊包括：第一整流單元、第二整流單元、第三整流單元和第四整流單元；
9、第一整流單元、第二整流單元、第三整流單元和第四整流單元依次連接
10、第一整流單元與第四整流單元連接；
11、變壓器t1的次級端的一端連接第一整流單元，變壓器t1的次級端的另一端連接在第二整流單元和第三整流單元之間。
12、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，電壓變換模塊包括電感l(wèi)1、電容c8、二極管d5、二極管d6以及開關(guān)mos管q3；
13、開關(guān)mos管q3的驅(qū)動由主板的mcu提供；
14、電感l(wèi)1的一端連接至第二整流單元，電感l(wèi)1的另一端連接至二極管d5的正極；
15、二極管d5的負(fù)極連接至電容c8以及二極管d6的正極；
16、二極管d6的負(fù)極連接至開關(guān)mos管q3的漏極；
17、開關(guān)mos管q3的源極連接至電感l(wèi)1的另一端。
18、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，還包括電感l(wèi)2，電感l(wèi)2連接在電壓變換模塊和負(fù)載之間。
19、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，電感l(wèi)1的另一端依次連接電感l(wèi)2和負(fù)載。
20、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，主控mcu存儲驅(qū)動信號g3，驅(qū)動信號g3的頻率與用于驅(qū)動開關(guān)mos管q1的驅(qū)動信號g1的頻率相同，驅(qū)動信號g3在驅(qū)動信號g1關(guān)閉前的100ns啟動，并保持200ns的高電平持續(xù)輸出。
21、作為本技術(shù)的一種優(yōu)選實施方式，第三整流單元、第四整流單元、電容c8及負(fù)載均接地。
22、第二方面，本技術(shù)還提供一種開關(guān)電源，開關(guān)電源包括如本技術(shù)任一實施例中的mos管零電流關(guān)斷電路。
23、第三方面，本技術(shù)還提供一種電子設(shè)備，電子設(shè)備包括如本技術(shù)任一實施例中的開關(guān)電源。
24、本技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的有益效果：
25、本技術(shù)實施例通過增加一組電壓變換模塊，從而提供了一個可變化的電壓，在電路關(guān)斷時，使得所述變壓器t1次級端的電流降低為0a，從而使得所述變壓器t1初級端的初級感應(yīng)電流降低為0a，實現(xiàn)了在電路關(guān)斷時，提前將變壓器初級感應(yīng)電流降至為0a，以減少關(guān)機(jī)的能量損耗并提高整機(jī)效率。
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1.一種MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，包括：變壓器T1、整流模塊、電壓變換模塊及負(fù)載；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述變壓器T1的初極端包括開關(guān)MOS管Q1和開關(guān)MOS管Q2；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述整流模塊包括：第一整流單元、第二整流單元、第三整流單元和第四整流單元；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述電壓變換模塊包括電感L1、電容C8、二極管D5、二極管D6以及開關(guān)MOS管Q3；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，還包括電感L2，所述電感L2連接在所述電壓變換模塊和負(fù)載之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述電感L1的另一端依次連接所述電感L2和負(fù)載。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述MCU存儲驅(qū)動信號G3，所述驅(qū)動信號G3的頻率與用于驅(qū)動所述開關(guān)MOS管Q1的驅(qū)動信號G1的頻率相同，所述驅(qū)動信號G3在所述驅(qū)動信號G1
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述MOS管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述第三整流單元、第四整流單元、電容C8及負(fù)載均接地。
9.一種開關(guān)電源，其特征在于，所述開關(guān)電源包括權(quán)利要求1-8中任一項所述的MOS管零電流關(guān)斷電路。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求9中所述的開關(guān)電源。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種mos管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，包括：變壓器t1、整流模塊、電壓變換模塊及負(fù)載；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述mos管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述變壓器t1的初極端包括開關(guān)mos管q1和開關(guān)mos管q2；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述mos管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述整流模塊包括：第一整流單元、第二整流單元、第三整流單元和第四整流單元；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述mos管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，所述電壓變換模塊包括電感l(wèi)1、電容c8、二極管d5、二極管d6以及開關(guān)mos管q3；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述mos管零電流關(guān)斷電路，其特征在于，還包括電感l(wèi)2，所述電感l(wèi)2連接在所述電壓變換模塊和負(fù)載之間。
6.根據(jù)權(quán)利要...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫建平，伍小林，劉政，劉斌峰，
申請(專利權(quán))人：惠州三華工業(yè)有限公司，
類型：新型
國別省市：
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