【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種高壓電常數低強場介電損耗壓電陶瓷及制備方法。
技術介紹
1、現有大功率壓電陶瓷主要為p8體系，采用鐵酸鈣摻雜；主要應用于超聲焊接和超聲探傷等中，但其壓電常數一般較低，限制了其應用范圍。隨著電子技術的發展，要求壓電換能器體積變小、功率增大，因此研發壓電常數高、強場介電損耗低的壓電陶瓷具有十分重要的意義。
2、一般而言，現有的p8壓電陶瓷壓電常數d33約240pc/n、強場介電損耗約tanδ≤0.8％@400v/mm，而p4和p5系列的強場損耗分別為1.5％和5％以上，p8系列強場損耗低的同時壓電常數也會比較低，要達到一定的超聲功率，產品體積就會較大。因此，開發具有高壓電常數，低強場介電損耗的壓電陶瓷材料，具有非常重要的意義。
技術實現思路
1、針對現有技術中存在的上述缺陷，本專利技術旨在提供一種高壓電常數、低強場介電損耗壓電陶瓷，本專利技術的另一個目的是提供一種制備該壓電陶瓷的方法。
2、為了實現上述目的，本專利技術提供的壓電陶瓷結構通式為：pb(zrzti1-z)x(co1/3nb2/3)y(mn1/3nb2/3)1-x-yo3+nwt％a，x＝0.85～0.95、y＝0.01～0.06、z＝0.45～0.55、n＝0.1～1，a為改性元素的氧化物，所述改性元素為mg、al、yb中的一種或幾種。
3、本專利技術提供的制備方法采用以下技術方案：
4、1)按所述結構通式中的配比，將pb3o4、zro2、tio2、co2o
5、2)將所述一次磨料置于930～950℃的燒結爐中煅燒3小時，得預燒料；
6、3)將所述預燒料再次球磨、烘干，得陶瓷粉料；
7、4)將所述陶瓷粉料與聚乙烯醇混合均勻、造粒、壓片成型，得瓷坯；
8、5)將所述瓷坯置于燒結爐中，升溫排塑，然后加熱至1250～1280℃燒結2～3小時，得瓷片；
9、6)在所述瓷片的正面和背面印刷銀漿，然后置于燒結爐中燒結，得被銀陶瓷片；
10、7)將所述被銀陶瓷片置于溫度為80～100℃、電場強度為3～4kv/mm的環境中極化時間為20～30min。
11、與現有技術比較，本專利技術提供的壓電陶瓷解決了現有p8系列壓電陶瓷材料壓電常數低的問題(d33﹥300pc/n)，同時又具有低的強場介電損耗(tanδ≤0.75％@400v/mm)，可以滿足大功率換能器使用，同時縮小換能器體積。本專利技術方法具有工藝簡單，無特殊設備要求，成本低，利于大規模生產等特點，可以用于大功率超聲換能器相關元器件中。
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1.一種高壓電常數、低強場介電損耗壓電陶瓷，其特征在于該壓電陶瓷的結構通式為：Pb(ZrzTi1-z)x(Co1/3Nb2/3)y(Mn1/3Nb2/3)1-x-yO3+nwt％A，x＝0.85～0.95、y＝0.01～0.06、z＝0.45～0.55、n＝0.1～1，A為改性元素的氧化物，所述改性元素為Mg、Al、Yb中的一種或幾種。
2.一種制備權利要求1所述的高壓電常數、低強場介電損耗壓電陶瓷的方法，其特征在于步驟如下：
【技術特征摘要】
1.一種高壓電常數、低強場介電損耗壓電陶瓷，其特征在于該壓電陶瓷的結構通式為：pb(zrzti1-z)x(co1/3nb2/3)y(mn1/3nb2/3)1-x-yo3+nwt％a，x＝0.85～0.95、y＝0.01～0...
【專利技術屬性】
技術研發人員：褚濤，王仕海，張元松，何婧，王蘭花，秦潔，
申請(專利權)人：貴州振華紅云電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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