【技術實現步驟摘要】
本揭露實施例涉及一種用于測試與修復內存組件的方法。
技術介紹
1、對于電阻式內存而言，可藉由比較來自于所選數據胞元的電流與一或多個參考胞元所提供的參考電流來實施讀取操作。比較結果指示出所選定數據胞元是被寫入高電阻態(可代表邏輯數據0)或低電阻態(可代表邏輯數據1)。難以避免地，數據胞元與參考胞元中可能會出現缺陷者。再者，不同列以及不同行的數據胞元的讀取裕度(read?margin)可能有所不同。因此，需要可靠的測試與修復方法，以確保讀取操作的精確性。
技術實現思路
1、本揭露的一態樣提供一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述數據胞元經配置以儲存數據，所述參考胞元經配置以產生用于讀取儲存于所述數據胞元中的數據的參考電流，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數據胞元與額外參考胞元的備用胞元行來置換所述胞元行中含有至少一缺陷參考胞元的一胞元行；以及進行局部參考電流調整，以調整所述胞元行中的至少一者的寫入有低電阻態的參考胞元數量對于寫入有高電阻態的參考胞元數量的比值。
2、本揭露的另一態樣提供一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述內存陣列的子陣列分別連接至一感測放大器，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數據胞元與額外參考胞元
3、本揭露的又一態樣提供一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述內存陣列的子陣列分別包括多行的所述數據胞元以及兩行的所述參考胞元，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數據胞元與額外參考胞元的備用胞元行來置換所述胞元行中含有至少一缺陷參考胞元的一胞元行；進行局部參考電流調整，以調整所述胞元行中的至少一者的寫入有低電阻態的參考胞元數量對于寫入有高電阻態的參考胞元數量的比值；以及操作列修復，以測試各子陣列中的所述數據胞元，且以備用子陣列中的額外數據胞元置換所述子陣列中含有至少一缺陷數據胞元的一子陣列。
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1.一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述數據胞元經配置以儲存數據，所述參考胞元經配置以產生用于讀取儲存于所述數據胞元中的數據的參考電流，且所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中感測放大器經配置以讀取儲存于所述數據胞元中的數據，所述內存陣列的子陣列分別連接至所述感測放大器的一者，在各子陣列中的第一組數據胞元與第一組參考胞元經由第一源極線而連接至所述感測放大器中的對應一者，且在各子陣列中的第二組數據胞元與第二組參考胞元經由第二源極線而連接至所述感測放大器中的所述對應一者。
3.根據權利要求2所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中各感測放大器具有參考輸入端，各感測放大器的所述參考輸入端經配置以接收來自于所述子陣列中的多者且并聯連接于所述參考輸入端與一共端點之間的一組參考胞元所產生的參考電流，所述一組參考胞元中的一部分被寫入為所述低電阻態，且所述一組參考胞元中的另一部分被寫入為所述高電阻態。
4.根據權利要
5.根據權利要求2所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中在所述行修復期間測試所述參考胞元的位于所述子陣列的一者中的一者包括：
6.根據權利要求1所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中以所述備用胞元行來置換含有所述至少一缺陷參考胞元的所述胞元行包括：
7.根據權利要求1所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中所述行修復在所述局部參考電流調整之前進行。
8.根據權利要求1所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中調整所述胞元行中的所述至少一者的所述比值包括：
9.一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述內存陣列的子陣列分別連接至一感測放大器，且所述方法包括：
10.一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述內存陣列的子陣列分別包括多行的所述數據胞元以及兩行的所述參考胞元，且所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種用于測試與修復內存組件的方法，其中所述內存組件包括內存陣列，所述內存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數據胞元以及參考胞元，所述數據胞元經配置以儲存數據，所述參考胞元經配置以產生用于讀取儲存于所述數據胞元中的數據的參考電流，且所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中感測放大器經配置以讀取儲存于所述數據胞元中的數據，所述內存陣列的子陣列分別連接至所述感測放大器的一者，在各子陣列中的第一組數據胞元與第一組參考胞元經由第一源極線而連接至所述感測放大器中的對應一者，且在各子陣列中的第二組數據胞元與第二組參考胞元經由第二源極線而連接至所述感測放大器中的所述對應一者。
3.根據權利要求2所述的用于測試與修復所述內存組件的所述方法，其中各感測放大器具有參考輸入端，各感測放大器的所述參考輸入端經配置以接收來自于所述子陣列中的多者且并聯連接于所述參考輸入端與一共端點之間的一組參考胞元所產生的參考電流，所述一組參考胞元中的一部分被寫入為所述低電阻態，且所述一組參考胞元中的另一部分被寫入為所述高電阻態。
4.根據權利要求3所述的用于測試與修復所述內存組件的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李伯浩，李嘉富，池育德，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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