本技術的實施例提供一種半導體管芯封裝，其包括第一集成電路管芯、與第一集成電路管芯連接的第二集成電路管芯及第一與第二導電跡線。第一集成電路管芯包括溝渠電容器、第一密封環段、與第一密封環段電性隔離的第二密封環段。第二集成電路管芯包括電源管理集成電路，其包括與第一極性對應的第一電壓端子及與和第一極性相反的第二極性對應的第二電壓端子。第一導電跡線連接溝渠電容器、第一密封環段及第一電壓端子，第二導電跡線連接溝渠電容器、第二密封環段及第二電壓端子。藉由在密封環結構中包括放電路徑可降低在接合操作期間對集成電路管芯的邏輯電路系統造成損壞的可能性。
【技術實現步驟摘要】
本技術的實施例涉及一種半導體管芯封裝，且特別是涉及一種包括溝渠電容器的半導體管芯封裝。
技術介紹
1、可使用各種半導體裝置封裝技術來將一個或多個半導體管芯并入至半導體裝置封裝中。在一些情形中，可在半導體裝置封裝中堆疊半導體管芯，以達成半導體裝置封裝的較小水平占用面積或側向占用面積及/或提高半導體裝置封裝的密度。可被實行以將多個半導體管芯整合于半導體裝置封裝中的半導體裝置封裝技術可包括集成扇出(integratedfanout，info)、疊層封裝(package?on?package，pop)、晶片上芯片(chip?on?wafer，cow)、晶片上晶片(wafer?on?wafer，wow)及/或襯底上晶片上芯片(chip?on?wafer?onsubstrate，cowos)以及其他實例。
技術實現思路
1、本技術的實施例提供一種半導體管芯封裝，包括：第一集成電路管芯、第二集成電路管芯、第一導電跡線以及第二導電跡線。所述第一集成電路管芯，包括：溝渠電容器；第一密封環段以及與所述第一密封環段電性隔離的第二密封環段。所述第二集成電路管芯，與所述第一集成電路管芯連接且包括電源管理集成電路。所述電源管理集成電路包括第一電壓端子以及第二電壓端子。所述第一電壓端子與第一極性對應。所述第二電壓端子，與和所述第一極性相反的第二極性對應。所述第一導電跡線，連接所述溝渠電容器、所述第一密封環段及所述第一電壓端子。所述第二導電跡線，連接所述溝渠電容器、所述第二密封環段及所述第二電壓端子。
>2、本技術的實施例提供一種半導體管芯封裝，包括第一集成電路管芯、第二集成電路管芯、第一導電跡線、第二導電跡線及第三導電跡線。第一集成電路管芯，包括：第一溝渠電容器、第二溝渠電容器、第一密封環段以及與所述第一密封環段電性隔離的第二密封環段。第二集成電路管芯，與所述第一集成電路管芯連接且包括電源管理集成電路。所述電源管理集成電路包括第一電壓端子與第二電壓端子。所述第一電壓端子與第一極性對應。所述第二電壓端子，與和所述第一極性相反的第二極性對應。所述第一導電跡線，連接所述第一溝渠電容器、所述第一密封環段及所述第一電壓端子。所述第二導電跡線，連接所述第一溝渠電容器、所述第二密封環段及所述第二電壓端子。所述第三導電跡線，連接所述第二溝渠電容器、所述第一密封環段及所述第一電壓端子。3、基于上述，藉由在密封環結構中包括放電路徑，相對于不包括放電路徑的另一半導體裝置，可降低在接合操作期間對集成電路管芯的邏輯電路系統造成損壞的可能性。此外且以此種方式，可減少用于制造一定數量的半導體裝置的資源量(例如制造工具、材料及/或計算資源以及其他實例)。
4、為讓本技術的實施例的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體管芯封裝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述電源管理集成電路包括二極管結構。
3.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述第二集成電路管芯更包括：
4.根據權利要求3所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述邏輯電路系統與所述第一集成電路管芯的所述溝渠電容器連接。
5.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述第一密封環段與內密封環結構的第一段對應，而所述第二密封環段與所述內密封環結構的第二段對應。
6.根據權利要求5所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中位于所述溝渠電容器與所述電源管理集成電路之間的放電路徑包括所述內密封環結構的一個或多個部分。
7.一種半導體管芯封裝，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述第一電壓端子與晶體管源極電壓端子對應，所述第二電壓端子與晶體管漏極電壓端子對應。
9.根據權利要求7所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述電源管理集成電路更包括與所述第二極性對應的第三電壓端子，且其中所述半導體管芯封裝更包括：
10.根據權利要求9所述的半導體管芯封裝，其特征在于，更包括：
...
【技術特征摘要】
1.一種半導體管芯封裝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述電源管理集成電路包括二極管結構。
3.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述第二集成電路管芯更包括：
4.根據權利要求3所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述邏輯電路系統與所述第一集成電路管芯的所述溝渠電容器連接。
5.根據權利要求1所述的半導體管芯封裝，其特征在于，其中所述第一密封環段與內密封環結構的第一段對應，而所述第二密封環段與所述內密封環結構的第二段對應。
6.根據權利要求5所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蘇淑慧，徐英杰，鄭新立，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。