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    陶瓷基板及其制備方法技術

    技術編號:43343213 閱讀:16 留言:0更新日期:2024-11-15 20:39
    本發明專利技術公開了一種陶瓷基板及其制備方法,涉及電子封裝材料技術領域,其中,陶瓷基板包括疊層設置的多個生瓷帶,生瓷帶具有相對的第一表面和第二表面,多個生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同。本發明專利技術提供的陶瓷基板的各個生瓷帶的方向一致,這樣可以使得各層生瓷帶之間具有良好的界面結合,進而改善了燒結時容易出現分層的現象。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電子封裝材料,特別涉及一種陶瓷基板及其制備方法


    技術介紹

    1、目前常用的電子封裝材料主要有塑料基板、金屬基板、陶瓷基板和復合基板四大類,其中,陶瓷基板具有優良的電絕緣性能、高導熱性能、優異的軟釬焊性能和較高的附著強度,并且可以像pcb板一樣刻蝕出各種圖形,具有很大的載流能力。因此,陶瓷基板被廣泛應用于大功率電力半導體模塊、功率控制電路、汽車電子、航天航空、軍用電子組件以及太陽能電池板組件等領域。

    2、但是,現有的陶瓷基板在燒結時存在易分層的問題,導致產品燒結良率低。


    技術實現思路

    1、本專利技術的主要目的是提出一種陶瓷基板及其制備方法,旨在改善陶瓷基板在燒結時存在的分層問題。

    2、為實現上述目的,本專利技術提出的陶瓷基板包括疊層設置的多個生瓷帶,生瓷帶具有相對的第一表面和第二表面,多個生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同。

    3、在一實施方式中,生瓷帶的厚度為30-60μm。

    4、在一實施方式中,陶瓷基板的厚度為0.1-2.0mm。

    5、本專利技術還提供一種陶瓷基板的制備方法,包括以下步驟:

    6、將多個生瓷帶疊層設置,生瓷帶具有相對的第一表面和第二表面,控制多個生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同;

    7、對疊層設置的生瓷帶抽真空后進行等靜壓成型;

    8、對等靜壓成型后的生瓷帶進行燒結即可獲得陶瓷基板。

    9、在一實施方式中,等靜壓成型的參數為:溫度50-80℃、壓力50-100mpa、保壓時間10-20min。

    10、在一實施方式中,燒結包括第一階段燒結和第二階段燒結;

    11、第一階段燒結的參數為:從室溫到第一燒結溫度,升溫速率0.1-0.5℃/min、保溫時間4-6h,第一燒結溫度為500-1000℃;和/或,

    12、第二階段燒結的參數為:從第一燒結溫度到第二燒結溫度,升溫速率0.5-1℃/min、保溫時間2-4h,第二燒結溫度為1450-1600℃。

    13、在一實施方式中,陶瓷基板的制備方法還包括生瓷帶的制作,具體包括以下步驟:

    14、將氧化鋁粉、分散劑加入溶劑中進行研磨混合得到漿料i,之后再將增塑劑和粘結劑加入漿料i中研磨混合得到漿料ii;

    15、將漿料ii流延形成生瓷帶。

    16、在一實施方式中,氧化鋁粉的添加量為40wt%-60wt%,分散劑的添加量為1wt%-3wt%,增塑劑的添加量為2wt%-5wt%,粘結劑的添加量為5wt%-10wt%,余量為溶劑。

    17、在一實施方式中,氧化鋁粉的純度大于99%,粒徑d50為0.5-1.0μm;和/或,

    18、分散劑為三油酸甘油酯;和/或,

    19、增塑劑選自鄰苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇中的至少一種;和/或,

    20、粘結劑為聚乙烯醇縮丁醛;和/或,

    21、溶劑為醇與酯的混合物,且醇與酯的質量比為1~3:7~9。

    22、在一實施方式中,醇選自乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、正丁醇、異丁醇中的至少一種;和/或,

    23、酯選自乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一種。

    24、本專利技術的技術方案設置陶瓷基板的各個生瓷帶的方向一致,即設置多個生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同,這樣可以使得各層生瓷帶之間具有良好的界面結合,因為生瓷帶在流延形成過程中,朝向載帶膜面的表面和朝向空氣的表面中溶劑等的干燥揮發速率不一致,而朝向載帶膜面的表面粘性較大,當設置多個生瓷帶的方向一致時,每個生瓷帶朝向載帶膜面的表面均可與相鄰生瓷帶朝向空氣的表面貼合,保證了界面之間的結合力,進而改善了燒結時容易出現分層的現象。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板包括疊層設置的多個生瓷帶,所述生瓷帶具有相對的第一表面和第二表面,多個所述生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同。

    2.如權利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于,所述生瓷帶的厚度為30-60μm。

    3.如權利要求1或2所述的陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板的厚度為0.1-2.0mm。

    4.一種陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    5.如權利要求4所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述等靜壓成型的參數為:溫度50-80℃、壓力50-100MPa、保壓時間10-20min。

    6.如權利要求4所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述燒結包括第一階段燒結和第二階段燒結;

    7.如權利要求4所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述陶瓷基板的制備方法還包括生瓷帶的制作,具體包括以下步驟:

    8.如權利要求7所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述氧化鋁粉的添加量為40wt%-60wt%,所述分散劑的添加量為1wt%-3wt%,所述增塑劑的添加量為2wt%-5wt%,所述粘結劑的添加量為5wt%-10wt%,余量為溶劑。

    9.如權利要求7或8所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述氧化鋁粉的純度大于99%,粒徑D50為0.5-1.0μm;和/或,

    10.如權利要求9所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述醇選自乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、正丁醇、異丁醇中的至少一種;和/或,

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    【技術特征摘要】

    1.一種陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板包括疊層設置的多個生瓷帶,所述生瓷帶具有相對的第一表面和第二表面,多個所述生瓷帶的第一表面/第二表面的朝向相同。

    2.如權利要求1所述的陶瓷基板,其特征在于,所述生瓷帶的厚度為30-60μm。

    3.如權利要求1或2所述的陶瓷基板,其特征在于,所述陶瓷基板的厚度為0.1-2.0mm。

    4.一種陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    5.如權利要求4所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述等靜壓成型的參數為:溫度50-80℃、壓力50-100mpa、保壓時間10-20min。

    6.如權利要求4所述的陶瓷基板的制備方法,其特征在于,所述燒結包括第一階段燒結和第二...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:胡傳燈張現利李珊珊
    申請(專利權)人:廣東環波新材料有限責任公司
    類型:發明
    國別省市:

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