【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體封裝領域，尤其涉及一種封裝結構及封裝方法。
技術介紹
1、目前通過先進封裝，可以提高電子元器件集成度，減小封裝的幾何尺寸和封裝重量。
2、tsv(through?silicon?via，硅通孔技術)，是指通過在芯片與芯片之間、晶圓與晶圓之間制作垂直導通。實現硅通孔的垂直電氣互聯是實現3d先進封裝的關鍵技術之一。但是，tsv制作工藝復雜，且成本較高。因此，如何提供一種制作工藝簡單且制作成本低的封裝結構成了亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術提出一種封裝結構及封裝方法，能夠簡化封裝制程并降低封裝成本。
2、根據本專利技術的第一方面實施例的封裝結構，所述封裝結構包括：
3、封裝基板，所述封裝基板設有第一通孔、第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面用于進行電連接；
4、第一封裝對象，所述第一封裝對象設置在所述第一通孔內，并且所述第一封裝對象的電連接面與所述第一表面齊平；
5、連接層，連接層用于將所述第一封裝對象的電連接面與所述第一表面電連接。
6、根據本專利技術的一些實施例，所述第一封裝對象設置有與所述電連接面相對的散熱面；
7、所述封裝結構還包括：散熱層，所述散熱層設置在所述第一通孔內，且設置在所述散熱面與所述第二表面之間。
8、根據本專利技術的一些實施例，所述散熱層包括：
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10、擴散層，所述擴散層設置在所述第一通孔內，所述擴散層設置在所述導熱層與所述第二表面之間，且所述擴散層遠離所述導熱層的一面與所述第二表面齊平，所述擴散層用于將熱量擴散至所述封裝基板。
11、根據本專利技術的一些實施例，所述封裝結構還包括：
12、電子元件，所述電子元件與所述第一表面電連接。
13、根據本專利技術的一些實施例，所述封裝結構還包括：
14、第二封裝對象，所述第二封裝對象用于與所述連接層遠離所述第一表面的一面電連接。
15、根據本專利技術的一些實施例，所述封裝結構還包括：
16、中間層，所述中間層設置在所述連接層上，所述中間層設有第二通孔，所述第二通孔的一端與所述連接層電連接；
17、第三封裝對象，所述第三封裝對象用于與所述第二通孔的另一端電連接。
18、根據本專利技術的一些實施例，所述封裝結構還包括：
19、間隔層，所述間隔層設置在所述連接層上；
20、透光層，所述透光層設置在所述間隔層上，所述透光層用于連接不同的所述間隔層，以使所述透光層與所述第一封裝對象之間形成空腔。
21、根據本專利技術的一些實施例，所述封裝結構還包括：
22、微流道層，所述微流道層設置在所述封裝基板上，并且所述微流道層覆蓋所述連接層和所述第一封裝對象。
23、根據本專利技術的第二方面實施例的封裝方法，所述封裝方法包括：
24、設置封裝基板，并在所述封裝基板上開設用于貫通第一表面和第二表面的第一通孔；
25、將所述第二表面朝第一方向設置，在所述封裝基板的第一表面粘黏固定件，將第一封裝對象放置于所述第一通孔內，并在所述第一通孔內注入固定材料，以使所述第一封裝對象的電連接面與所述第一表面保持齊平；
26、將所述封裝基板進行翻轉，以使所述第一表面朝所述第一方向設置；
27、去除所述固定件；
28、在所述第一表面進行重布線操作，以在所述第一表面形成連接層。
29、根據本專利技術的一些實施例，在所述對封裝基板進行翻轉之前，所述封裝方法還包括：
30、在所述第一封裝對象與所述第二表面之間注入導熱材料，以形成導熱層；
31、在所述導熱層與所述第二表面之間注入擴散材料，以形成擴散層。
32、根據本專利技術實施例提供的封裝結構及封裝方法，至少具有如下有益效果：通過將第一封裝對象內嵌在封裝基板的第一通孔中，可以實現將第一封裝對象的電信號經由導通孔105從第一表面引導至第二表面，使得封裝基板的第一表面和第二表面都可以作為第一封裝對象的電信號傳輸路徑，進而可以在封裝基板上進行半導體芯片的立體堆棧，即可以實現半導體芯片的垂直互連，減少了相關技術中tsv技術制作工藝復雜、制作成本高的情況。
33、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一封裝對象設置有與所述電連接面相對的散熱面；
3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱層包括：
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
5.根據權利要求1至4任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
6.根據權利要求1至4任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
7.根據權利要求1至4任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
8.根據權利要求1至4任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
9.一種封裝方法，其特征在于，所述封裝方法用于形成如權利要求1至8任一項所述的封裝結構，所述封裝方法包括：
10.根據權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，在所述對封裝基板進行翻轉之前，所述封裝方法還包括：
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一封裝對象設置有與所述電連接面相對的散熱面；
3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱層包括：
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
5.根據權利要求1至4任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：
6.根據權利要求1至4任一項所述的封...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：深圳鴻源博得新能源技術發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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