【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別是涉及一種eflash存儲單元的制造方法及一種存儲單元。
技術介紹
1、非易失性存儲器(non-volatile?memory)是一種在電源關閉后仍能保存數據的存儲器。目前，具有sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon，硅-氧化層-氮化層-氧化層-硅)結構的eflash(嵌入式閃存)存儲器作為一種非易失性存儲器，因具有操作電壓低、讀寫速度快以及存儲容量大等優點，被廣泛地應用于例如嵌入式系統和移動設備等電子設備中。
2、具有sonos結構的eflash存儲單元包括邏輯器件和sonos結構，其主要依靠氮/硅原子比例和密度均勻的氮化硅sinx作為存儲介質，氮化硅的底部與隧穿氧化層(tunneloxide)相連，在編程過程中電子受到激發由溝道隧穿到氮化硅內；氮化硅的頂部覆蓋調度氧化層(block?oxide)，以防止電荷遺失。然而，目前在eflash存儲單元的制造過程中，制造邏輯器件的邏輯柵極結構的過程容易使sonos結構中的ono(oxide-nitride-oxide)層受到橫向刻蝕而產生相應的缺陷，影響eflash存儲單元的可靠性。
3、由此，如何減少eflash存儲單元的制造過程中ono層受到的損傷，成為需要解決的問題。
技術實現思路
1、基于上述問題，本申請提供了一種eflash存儲單元的制造方法及一種存儲單元。
2、本申請實施例公開了如下技術方案：
3、第一方面，本申
4、提供基底；所述基底包括邏輯區域和sonos區域，所述邏輯區域的基底包括依次堆疊的襯底、柵氧化層以及多晶硅層的第一部分，所述sonos區域的基底包括依次堆疊的襯底、由第一氧化層、第一氮化層和第二氧化層疊加而成的ono層以及多晶硅層的第二部分；
5、形成硬掩模；所述硬掩模暴露位于非ono柵極結構的形成區域的所述多晶硅層的第二部分；所述硬掩模包括氮化層；
6、刻蝕所述多晶硅層的第二部分以及所述ono層，形成ono柵極結構；
7、在所述多晶硅層的第一部分以及所述ono柵極結構的側壁形成氧化層側墻；
8、刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構；
9、去除所述硬掩模；
10、通過離子注入，形成輕摻雜漏區和源漏注入區，得到eflash存儲單元。
11、可選地，所述在所述多晶硅層的第一部分以及所述ono柵極結構的側壁形成氧化層側墻，包括：
12、在所述多晶硅層的第一部分以及所述ono柵極結構的側壁形成第三氧化層；
13、去除位于所述多晶硅層的第一部分和所述ono柵極結構背離所述襯底一側表面以及位于所述襯底表面的第三氧化層，形成氧化層側墻。
14、可選地，通過化學氣相沉積法或熱氧化法形成所述第三氧化層。
15、可選地，所述刻蝕所述多晶硅層的第二部分以及所述ono層，形成ono柵極結構，包括：
16、干法刻蝕所述多晶硅層的第二部分，得到控制柵；
17、干法刻蝕所述ono層至裸露襯底，形成包括刻蝕后的ono層和控制柵的ono柵極結構。
18、可選地，所述刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構，包括：
19、刻蝕所述硬掩模，暴露位于非邏輯柵極結構的形成區域的所述多晶硅層的第一部分；
20、在刻蝕后的硬掩模的掩蔽下，刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構。
21、可選地，所述基底通過以下工藝流程制備：
22、提供襯底；所述襯底為硅襯底；
23、在所述襯底上形成由依次堆疊的第一氧化層、第一氮化層和第二氧化層組成的ono層；
24、刻蝕位于邏輯區域的ono層，以暴露所述襯底；
25、在所述邏輯區域的襯底表面形成柵氧化層；
26、在所述柵氧化層和所述ono層背離所述襯底的一側生長多晶硅層，得到基底；所述多晶硅層包括位于所述邏輯區域的多晶硅層的第一部分和位于所述sonos區域的多晶硅層的第二部分。
27、可選地，所述刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構之后，所述方法還包括：
28、去除所述硬掩模；
29、通過離子注入，形成輕摻雜漏區和源漏注入區。
30、可選地，所述ono層中，所述第一氧化層的厚度范圍為所述第一氮化層的厚度范圍為所述第二氧化層的厚度范圍為
31、
32、可選地，所述去除硬掩模，包括：
33、使用磷酸溶液進行濕法刻蝕以去除硬掩模。
34、第二方面，本申請實施例提供了一種eflash存儲單元，所述eflash存儲單元包括邏輯器件和sonos結構，制造過程中應用第一方面中任一實施方式所述的eflash存儲單元的制造方法。
35、相較于現有技術，本申請具有以下有益效果：
36、本申請實施例提供了一種eflash存儲單元的制造方法，所述eflash存儲單元包括邏輯器件和sonos結構，該方法包括：首先，提供基底；基底包括邏輯區域和sonos區域，邏輯區域的基底包括依次堆疊的襯底、柵氧化層以及多晶硅層的第一部分，sonos區域的基底包括依次堆疊的襯底、由第一氧化層、第一氮化層和第二氧化層疊加而成的ono層以及多晶硅層的第二部分；繼而，形成硬掩模；硬掩模暴露位于非邏輯柵極結構的形成區域的多晶硅層的第二部分；而后，刻蝕多晶硅層的第二部分以及ono層，形成ono柵極結構；然后，在多晶硅層的第一部分以及ono柵極結構的側壁形成氧化層側墻；最后，刻蝕多晶硅層的第一部分以及柵氧化層，形成邏輯柵極結構。由此，在制造eflash存儲單元的過程中，在形成ono柵極結構之后，通過氧化層側墻對ono層的側壁進行了保護，既保證了對邏輯器件的邏輯柵極結構的刻蝕精度，又可以避免在后續去除硬掩模的過程中，由于ono層與硬掩模具有相同的成分，而導致去除硬掩模的過程中ono層受到橫向刻蝕而產生缺陷，從而減少了eflash存儲單元的制造過程中ono層受到的損傷，提升了eflash存儲單元的可靠性。此外，對一次形成的多晶硅層進行兩次刻蝕，分別形成ono柵極結構和邏輯柵極結構，減少了多晶硅層生長次數，可以提高生產效率，降低制造成本。
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1.一種eflash存儲單元的制造方法，其特征在于，所述eflash存儲單元包括邏輯器件和SONOS結構，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層的第一部分以及所述ONO柵極結構的側壁形成氧化層側墻，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過化學氣相沉積法或熱氧化法形成所述第三氧化層。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述多晶硅層的第二部分以及所述ONO層，形成ONO柵極結構，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構，包括：
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底通過以下工藝流程制備：
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯柵極結構之后，所述方法還包括：
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述ONO層中，所述第一氧化層的厚度范圍為所述第一氮化層的厚度范圍為所述第二氧化層的厚度范圍為
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除硬掩模，包括：
10.一種存儲單元，其特征在于，所述存儲單元應用權利要求1～9中任一項所述的eflash存儲單元的制造方法所制造。
...【技術特征摘要】
1.一種eflash存儲單元的制造方法，其特征在于，所述eflash存儲單元包括邏輯器件和sonos結構，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層的第一部分以及所述ono柵極結構的側壁形成氧化層側墻，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過化學氣相沉積法或熱氧化法形成所述第三氧化層。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述多晶硅層的第二部分以及所述ono層，形成ono柵極結構，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述多晶硅層的第一部分以及所述柵氧化層，形成邏輯...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賈宬，盤華秋，王志剛，
申請(專利權)人：珠海創飛芯科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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