【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及印刷電路板的，涉及一種具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法及其產(chǎn)品。
技術(shù)介紹
1、隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展，以及輕薄短小、高性能便攜式電子類產(chǎn)品的不斷更新，作為電子元器件支撐的印刷電路板(pcb)也越來(lái)越向著高密度、多層化、易封裝、小型化方向發(fā)展。將大量無(wú)源器件電阻銅箔埋置在pcb中，能夠有效地改善pcb的電氣性能、提高pcb的可靠性能、促進(jìn)pcb向高密度化方向發(fā)展、節(jié)省電路面板空間、降低生產(chǎn)成本，因此被廣泛應(yīng)用在軍工、5g通訊、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域。但是電阻銅箔在下游應(yīng)用中被蝕刻成較細(xì)的線路，電阻層方阻值均勻性是客戶最關(guān)心的關(guān)鍵指標(biāo)，因此，提高電阻銅箔方阻值均勻性是銅箔企業(yè)需要突破的難點(diǎn)。
2、申請(qǐng)公布號(hào)為cn?110473681?a的中國(guó)專利文獻(xiàn)中公開(kāi)了一種鎳磷層埋置電阻化學(xué)精細(xì)調(diào)阻方法，通過(guò)首先測(cè)量調(diào)阻前的初始電阻r1，通過(guò)控制所述電阻在腐蝕劑中的浸泡時(shí)間t得到目標(biāo)電阻r2，通過(guò)控制時(shí)間能夠有效精細(xì)地控制電阻變化情況，提升電阻控制精度。但該技術(shù)方案僅適用于鍍有鎳磷合金層的埋置電阻，通用性差；同時(shí)需要額外配置腐蝕劑，成本高。
3、申請(qǐng)公布號(hào)為cn?114582579?a的中國(guó)專利文獻(xiàn)中提供了一種可調(diào)異性鎳陽(yáng)極制備均勻性鎳磷合金電阻膜的方法，通過(guò)對(duì)鎳陽(yáng)極板設(shè)置以矩陣排布垂直于鎳陽(yáng)極板的鎳棒，通過(guò)調(diào)節(jié)鎳棒長(zhǎng)度來(lái)調(diào)節(jié)陽(yáng)極的距離，并通過(guò)調(diào)節(jié)鎳棒的密集程度來(lái)提高鎳磷合金電阻膜的均勻性。雖然方阻值的均勻性有改善，但是方阻不均勻性依然很大，且這種方法實(shí)現(xiàn)過(guò)程復(fù)雜，只適合在實(shí)驗(yàn)室中執(zhí)行，很難運(yùn)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本專利技術(shù)公開(kāi)了一種具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，僅通過(guò)對(duì)制備工藝中工藝參數(shù)的精確調(diào)控即可使制備的電阻銅箔方阻值更加均勻，操作簡(jiǎn)單、成本低，制備得到的電阻銅箔的方阻值差值小于1.5ω/□。
2、具體技術(shù)方案如下：
3、一種具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，包括：
4、(1)對(duì)生箔表面進(jìn)行酸洗處理；
5、(2)將步驟(1)處理后的生箔進(jìn)行粗固化處理；
6、所述粗化1，粗化槽的入口陽(yáng)極板處電流密度為31.85～36.79a/dm2，出口陽(yáng)極板處電流密度為13.95～14.94a/dm2；
7、所述粗化2，粗化槽的入口陽(yáng)極板處入口處電流密度為17.9～21.85a/dm2，出口陽(yáng)極板處電流密度為14.94～15.92a/dm2；
8、所述固化1，固化槽的入口陽(yáng)極板處電流密度和出口陽(yáng)極板處電流密度獨(dú)立地選自20.86～22.84a/dm2；
9、所述固化2，固化槽的入口陽(yáng)極板處電流密度和出口陽(yáng)極板處電流密度獨(dú)立地選自13.62～14.90a/dm2；
10、(3)在步驟(2)處理后的生箔表面電鍍電阻層，得到具有高方阻值均勻性的電阻銅箔；
11、控制電鍍電阻層槽入口陽(yáng)極板處電流密度和出口陽(yáng)極板處電流密度獨(dú)立地選自12.34～13.83a/dm2，生產(chǎn)車速為2～5m/min。
12、本專利技術(shù)的制備工藝通過(guò)對(duì)粗固化處理工藝的電流密度、電鍍電阻層的電流密度和生產(chǎn)車速進(jìn)行精確調(diào)控，從以上三個(gè)方面入手調(diào)節(jié)電阻銅箔方阻值的均勻性。
13、步驟(1)中：
14、所述生箔，毛面粗糙度mrz＜3.5μm；篩選山形結(jié)構(gòu)均勻、山形數(shù)量多且密集的生箔，生箔山形均勻性佳，在后續(xù)工藝中有利于提升電阻層方阻值均勻性。
15、優(yōu)選的，生箔厚度為18μm。
16、所述酸洗處理采用酸性溶液，選自硫酸水溶液、鹽酸水溶液中的一種或多種。
17、酸洗處理的目的是去除生箔由于長(zhǎng)時(shí)間放置在表面形成的氧化層，避免氧化層對(duì)粗固化處理生成銅瘤結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。
18、優(yōu)選的，酸洗處理在溫度為25℃的15wt％的硫酸水溶液中進(jìn)行，生產(chǎn)車速為2～5m/min。
19、步驟(2)中：
20、在進(jìn)行粗固化處理時(shí)，搭配合適粗固化電流密度，可以使銅瘤結(jié)構(gòu)尺寸更加均勻。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過(guò)第一道大電流密度粗化后，在銅箔表面鍍上銅瘤體，再進(jìn)行一道固化，可以使銅瘤體向銅箔毛面深鍍并變得致密；然后在經(jīng)過(guò)前面強(qiáng)粗強(qiáng)固的基礎(chǔ)再進(jìn)行弱粗化，可以使銅瘤體進(jìn)一步生長(zhǎng)，最后進(jìn)行弱固化，包圍和加固粗化后的銅瘤體。通過(guò)設(shè)計(jì)合適的粗固化電流使山形上銅瘤的數(shù)量較多，尺寸更大更圓，避免后續(xù)電鍍電阻層出現(xiàn)尖端效應(yīng)，導(dǎo)致電阻層電鍍不均勻問(wèn)題。
21、本專利技術(shù)中不僅采用了粗化1-固化1-粗化2-固化2的粗固化方式，還進(jìn)一步對(duì)每步粗化工藝時(shí)，粗化槽的入口陽(yáng)極板處的電流密度和出口陽(yáng)極板處的電流密度分別進(jìn)行了精確調(diào)控。從而保證了最終制備的電鍍銅箔方阻值更加均勻。
22、優(yōu)選的：
23、所述粗化1采用的鍍液中，銅離子濃度為15～18g/l，硫酸濃度為90～110g/l，鍍液溫度為20～30℃；
24、所述粗化2采用的鍍液中，銅離子濃度為15～18g/l，硫酸濃度為90～110g/l，鍍液溫度為20～30℃。
25、所述固化1采用的鍍液中，銅離子濃度為35～45g/l，硫酸濃度為90～100g/l，鍍液溫度20～50℃；
26、所述固化2采用的鍍液中，銅離子濃度為35～45g/l，硫酸濃度為90～100g/l，鍍液溫度20～50℃。
27、步驟(3)中，以步驟(2)處理后的生箔作為陰極進(jìn)行電鍍電阻層，采用的鍍液中包括金屬鹽、次磷酸根與緩沖劑。
28、優(yōu)選的，所述金屬鹽選自鎳鹽和/或鉻鹽；
29、金屬鹽中若含有鎳鹽，鍍液中鎳離子濃度為18～24g/l；
30、金屬鹽中若含有鉻鹽，鍍液中鉻離子濃度為5～10g/l。
31、進(jìn)一步優(yōu)選，所述金屬鹽選自鎳鹽和鉻鹽。
32、優(yōu)選的，鍍液中次磷酸根離子濃度為5～8g/l。
33、優(yōu)選的，所述緩沖劑選自醋酸鈉和/或硼酸，鍍液中緩沖劑的濃度為16～20g/l。
34、優(yōu)選的，所述鍍液的ph值為1～3，鍍液溫度為50～70℃。
35、本專利技術(shù)還公開(kāi)了根據(jù)上述方法制備的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔。
36、為進(jìn)一步測(cè)試本專利技術(shù)制備的電阻銅箔的方阻值，需要將制備的電阻銅箔進(jìn)行裁剪，如裁至10cm×10cm，再將電阻銅箔的電阻層與環(huán)氧樹(shù)脂基體進(jìn)行高溫壓合，最后采用堿性蝕刻液蝕刻銅層，并使用四探針?lè)綁K電阻測(cè)試儀對(duì)蝕刻完暴露的電阻層各點(diǎn)進(jìn)行方阻測(cè)試。
37、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：
38、本專利技術(shù)公開(kāi)了一種制備具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的方法，在已有的生產(chǎn)路線基礎(chǔ)上，僅通過(guò)對(duì)制備工藝中粗固化電流、電鍍電阻層電流和生產(chǎn)車速三個(gè)工藝參數(shù)的精確調(diào)控即可使電阻銅箔方阻值更加均勻，操作簡(jiǎn)單、成本低；制備得到的電阻銅箔的方阻值差值小于1.5ω/□。
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1.一種具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(1)中：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，以步驟(2)處理后的銅箔作為陰極進(jìn)行電鍍電阻層，采用的鍍液中包括金屬鹽、次磷酸根與緩沖劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，所述金屬鹽選自鎳鹽和/或鉻鹽；
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，鍍液中次磷酸根離子濃度為5～8g/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提升電阻銅箔方阻值均勻性的方法，其特征在于，所述緩沖劑選自醋酸鈉和/或硼酸，鍍液中緩沖劑的濃度為16～20g/L。
9.根據(jù)
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的方法制備的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(1)中：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高方阻值均勻性的電阻銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，以步驟(2)處理后的銅箔作為陰極進(jìn)行電鍍電阻層，采用的鍍液中包括金屬鹽、次磷酸根與緩沖劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王麗，杜孟孟，張司佳，羅輝，陳盈州，潘建鋒，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：浙江花園新能源股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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