【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及局部放電檢測，尤其涉及一種特高頻局部放電內置式傳感器、裝配方法和測試方法。
技術介紹
1、局部放電是高壓電力設備絕緣性能退化的重要指標之一。傳統的局部放電檢測方法存在檢測靈敏度低、易受外界干擾等問題。隨著電力系統對設備可靠性要求的提高，對局部放電檢測技術提出了更高的要求。特高頻局部放電傳感器作為檢測系統的關鍵部件，能夠接收高壓設備中由局部放電激發的300mhz至3000mhz頻率的電磁波，并將其轉換為電信號進行記錄和處理。
2、然而，現有技術中的內置式傳感器在安裝過程中對安全性要求極高，且在高壓場強下，部分傳感器可能產生局部放電，影響檢測的準確性和設備的安全性。此外，現有傳感器的工頻接地回路阻抗較大，抗脈沖電流沖擊能力有限，存在運維人員人身安全的隱患。
技術實現思路
1、本專利技術目的是提供一種特高頻局部放電內置式傳感器、裝配方法和測試方法，用于解決局部放電傳感器安裝結構復雜和抗脈沖電流沖擊有限的問題。
2、本專利技術解決技術問題采用如下技術方案：
3、一種特高頻局部放電內置式傳感器，包括：相連的采集組件和接收組件，所述采集組件設置在gis內部，所述接收組件設置在gis上并延伸至外部；
4、所述采集組件包括：接線盒和設置在接線盒內的檢測構件，其中，所述接線盒與所述接收組件貼合連接。
5、優選的，所述接收組件包括：蓋板、天線、固定環和絕緣子，其中，所述接線盒設置在所述蓋板一側面上，所述絕緣子設置在所述蓋板上相對
6、優選的，所述接線盒包括：自上而下依次連接的上蓋、盒體和盒墊，所述上蓋蓋設在所述盒體上，所述盒墊設置在所述蓋板上相對所述絕緣子另一側面上，所述盒體設置在所述盒墊上，所述檢測構件設置在所述盒體內并與所述天線連接。
7、優選的，所述檢測構件包括：特高頻傳感器、過電壓保護器和連接接頭；所述特高頻傳感器設置在所述盒體內并穿過所述盒體與所述天線連接，所述連接接頭與所述特高頻傳感器連接，所述過電壓保護器設置在所述連接接頭一側并與所述連接接頭相連。
8、優選的，所述檢測構件還包括：防水接頭和防水堵頭，所述防水接頭一端設置在所述盒體內并與所述連接接頭連接，另一端設置在所述盒體外，所述防水堵頭與所述防水接頭連接并設置在所述盒體外。
9、優選的，所述盒體側面上設置有用于與所述防水接頭連接的防水孔。
10、優選的，所述盒體側面上設置有泄壓堵頭和泄壓孔，所述泄壓孔設置在所述防水接頭相鄰側面上。
11、優選的，所述蓋板為圓盤結構，所述蓋板圓周上均勻設置有密封孔。
12、一種特高頻局部放電內置式傳感器的裝配方法，包括以下步驟：
13、步驟s1，清潔采集組件和接收組件；
14、步驟s2，安裝接收組件，將密封圈四周均勻涂抹硅脂，放入蓋板中，并將絕緣子套入蓋板中，將另一個密封圈放入絕緣子的凹槽中；
15、步驟s3，安裝天線，將天線安裝在絕緣子內，并在絕緣子上通過螺栓安裝固定環；
16、步驟s4，安裝特高頻傳感器，將特高頻傳感器旋扭在蓋板中間，與蓋板面無縫隙連接；
17、步驟s5，安裝接線盒，將接線盒主體對準螺絲孔位固定在盒墊上方，接線盒兩端用接地線連接；
18、步驟s6，安裝連接接頭和過電壓保護器，并固定上蓋在盒體上；
19、步驟s7，組裝完畢后二次清潔。
20、一種特高頻局部放電內置式傳感器的測試方法，在磁場發生器getm小室內，測試特高頻局部放電內置式傳感器在各個頻率范圍檢測信號的強度，將特高頻局部放電內置式傳感器安裝在getm上的法蘭上，并連接到示波器上，示波器連接電腦測量得到特高頻局部放電內置式傳感器在各個頻段范圍的信號強度；
21、所述特高頻局部放電內置式傳感器的測試等效高度大于10mm，性能為良好；低于10mm，性能不達標。
22、本專利技術通過采集組件和接收組件的固定連接，傳感器安裝在gis內并密封連接，用于采集gis內部局部放電信號，能夠捕捉到更微小的局部放電事件，提高了檢測的靈敏度、準確性和可靠性；采用無源式設計，避免了可能對變電站二次系統運行產生干擾的問題，確保了傳感器的安全性和穩定性，顯著提高了傳感器的抗電流沖擊能力，降低了運維人員在操作過程中的安全風險。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，包括：相連的采集組件和接收組件，所述采集組件設置在GIS內部，所述接收組件設置在GIS上并延伸至外部；
2.根據權利要求1所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述接收組件包括：蓋板、天線、固定環和絕緣子，其中，所述接線盒設置在所述蓋板一側面上，所述絕緣子設置在所述蓋板上相對所述接線盒另一側中心處，并通過所述固定環連接，所述天線設置在所述絕緣子中心處。
3.根據權利要求2所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述接線盒包括：自上而下依次連接的上蓋、盒體和盒墊，所述上蓋蓋設在所述盒體上，所述盒墊設置在所述蓋板上相對所述絕緣子另一側面上，所述盒體設置在所述盒墊上，所述檢測構件設置在所述盒體內并與所述天線連接。
4.根據權利要求3所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述檢測構件包括：特高頻傳感器、過電壓保護器和連接接頭；所述特高頻傳感器設置在所述盒體內并穿過所述盒體與所述天線連接，所述連接接頭與所述特高頻傳感器連接，所述過電壓保護器設置在所述連接接頭一側并與所述連接接頭相連。<...
【技術特征摘要】
1.一種特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，包括：相連的采集組件和接收組件，所述采集組件設置在gis內部，所述接收組件設置在gis上并延伸至外部；
2.根據權利要求1所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述接收組件包括：蓋板、天線、固定環和絕緣子，其中，所述接線盒設置在所述蓋板一側面上，所述絕緣子設置在所述蓋板上相對所述接線盒另一側中心處，并通過所述固定環連接，所述天線設置在所述絕緣子中心處。
3.根據權利要求2所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述接線盒包括：自上而下依次連接的上蓋、盒體和盒墊，所述上蓋蓋設在所述盒體上，所述盒墊設置在所述蓋板上相對所述絕緣子另一側面上，所述盒體設置在所述盒墊上，所述檢測構件設置在所述盒體內并與所述天線連接。
4.根據權利要求3所述的特高頻局部放電內置式傳感器，其特征在于，所述檢測構件包括：特高頻傳感器、過電壓保護器和連接接頭；所述特高頻傳感器設置在所述盒體內并穿過所述盒體與所述天線連接，所述連接接頭與所述特高頻傳感器連接，所述過電壓保護器設置在所述連接接頭一側并與所述連接接頭相連。
5.根據權利要求3...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙洪義，沈道義，胡勇，夏善德，干元鋒，曹鑫泳，
申請(專利權)人：上海格魯布科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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