【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體工藝，具體是涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法。
技術(shù)介紹
1、相關(guān)技術(shù)中，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝中，無定形碳工藝中形成的碳副產(chǎn)物會(huì)很容易吸附及滲入陶瓷靜電加熱盤內(nèi)部，導(dǎo)致加熱盤的靜電吸附力發(fā)生變化，會(huì)極大影響整個(gè)工藝過程，造成晶圓邊緣未很好地被靜電加熱盤吸附住，工藝膜層鍍到晶圓背面。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中如何去除靜電加熱盤表面碳副產(chǎn)物的問題。
2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案為：提供一種半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，包括：包括：
3、進(jìn)行第一清潔階段，其中，控制溫度在第一溫度范圍內(nèi)，向所述反應(yīng)腔室通入第一清潔氣體，所述第一清潔氣體至少包括含氟氣體和第一載氣；
4、進(jìn)行第二清潔階段，其中，控制溫度在第二溫度范圍內(nèi)，向所述反應(yīng)腔室通入第二清潔氣體，所述第二清潔氣體至少包括第二載氣、以及氧化性氣體或還原性氣體。
5、在一實(shí)施例中，在所述第一清潔階段，所述第一溫度范圍是200℃～450℃。
6、在一實(shí)施例中，所述含氟氣體包括三氟化氮、全氟丁二烯、八氟環(huán)丁烷、二氟乙炔和六氟化硫中的至少一種。
7、在一實(shí)施例中，所述含氟氣體的流量是1000sccm～2000sccm。
8、在一實(shí)施例中，所述第一載氣和所述第二載氣均包括氮?dú)狻鍤夂秃庵械闹辽僖环N。
9、在一實(shí)施例中，所述第一載氣的流量和所述第二載氣的流
10、在一實(shí)施例中，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氧氣、臭氧、二氧化碳、水蒸氣、氯氣、氟氣、二氧化氮、一氧化二氮和過氧化氫中的至少一種；所述功能氣體的流量是200sccm～5000sccm。
11、在一實(shí)施例中，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氫氣；所述功能氣體的流量是200sccm～5000sccm。
12、在一實(shí)施例中，在所述第二清潔階段，所述第二溫度范圍是500℃～700℃。
13、在一實(shí)施例中，所述氧化性氣體包括氧氣、二氧化碳、水蒸氣、氯氣、氟氣、臭氧、二氧化氮、一氧化二氮和過氧化氫中的至少一種。
14、在一實(shí)施例中，所述氧化性氣體的流量是200sccm～5000sccm。
15、在一實(shí)施例中，所述還原性氣體包括氫氣。
16、在一實(shí)施例中，所述還原性氣體的流量是200sccm～5000sccm。
17、在一實(shí)施例中，所述第二載氣包括氮?dú)狻鍤夂秃庵械闹辽僖环N。
18、在一實(shí)施例中，所述第二載氣的流量是2500sccm～3500sccm。
19、在一實(shí)施例中，所述第一清潔階段的第一清潔時(shí)間是10分鐘至300分鐘，所述第二清潔階段的第二清潔時(shí)間是10分鐘至300分鐘。
20、在一實(shí)施例中，所述第一清潔階段的射頻功率是500w～6000w，所述第二清潔階段的射頻功率是500w～6000w。
21、在一實(shí)施例中，在所述第一清潔階段之前、在所述第一清潔階段和所述第二清潔階段之間和在所述第二清潔階段之后，還包括：
22、向所述反應(yīng)腔室通入第三清潔氣體，所述第三清潔氣體包括氬氣、氮?dú)夂秃庵械闹辽僖环N，所述第三清潔氣體的流量是3000sccm～6000sccm。
23、本申請的有益效果：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，半導(dǎo)體設(shè)備包括反應(yīng)腔室和位于反應(yīng)腔室中的靜電加熱盤，清潔方法用于清潔靜電加熱盤，該方法包括：進(jìn)行第一清潔階段，其中，控制溫度在第一溫度范圍內(nèi)，向反應(yīng)腔室通入第一清潔氣體，第一清潔氣體至少包括含氟氣體和第一載氣；進(jìn)行第二清潔階段，其中，控制溫度在第二溫度范圍內(nèi)，向反應(yīng)腔室通入第二清潔氣體，第二清潔氣體至少包括第二載氣、以及氧化性氣體或還原性氣體。本申請通過不同階段、不同溫度條件下，對等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝中靜電加熱盤上產(chǎn)生的碳副產(chǎn)物進(jìn)行有效清除，保證了工藝過程中靜電加熱盤對晶圓的有效吸附；同時(shí)提高了靜電加熱盤的使用壽命。
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1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，在所述第一清潔階段，所述第一溫度范圍是200℃～450℃。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述含氟氣體包括三氟化氮、全氟丁二烯、八氟環(huán)丁烷、二氟乙炔和六氟化硫中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述含氟氣體的流量是1000sccm～2000sccm。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一載氣和所述第二載氣均包括氮?dú)狻鍤夂秃庵械闹辽僖环N。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一載氣的流量和所述第二載氣的流量均是2500sccm～3500sccm。
7.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氧氣、臭氧、二氧化碳、水蒸氣、氯氣、氟氣、二氧化氮、一氧化二氮和過氧化氫中的至少一種；所述功能氣體的流量是200sccm～5000s
8.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氫氣；所述功能氣體的流量是200sccm～5000sccm。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，在所述第二清潔階段，所述第二溫度范圍是500℃～700℃。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述氧化性氣體包括氧氣、二氧化碳、水蒸氣、氯氣、氟氣、臭氧、二氧化氮、一氧化二氮和過氧化氫中的至少一種。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述氧化性氣體的流量是200sccm～5000sccm。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述還原性氣體包括氫氣。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述還原性氣體的流量是200sccm～5000sccm。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔階段的第一清潔時(shí)間是10分鐘至300分鐘，所述第二清潔階段的第二清潔時(shí)間是10分鐘至300分鐘。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔階段的射頻功率是500W～6000W，所述第二清潔階段的射頻功率是500W～6000W。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，在所述第一清潔階段之前、在所述第一清潔階段和所述第二清潔階段之間和在所述第二清潔階段之后，還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，在所述第一清潔階段，所述第一溫度范圍是200℃～450℃。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述含氟氣體包括三氟化氮、全氟丁二烯、八氟環(huán)丁烷、二氟乙炔和六氟化硫中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述含氟氣體的流量是1000sccm～2000sccm。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一載氣和所述第二載氣均包括氮?dú)狻鍤夂秃庵械闹辽僖环N。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一載氣的流量和所述第二載氣的流量均是2500sccm～3500sccm。
7.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氧氣、臭氧、二氧化碳、水蒸氣、氯氣、氟氣、二氧化氮、一氧化二氮和過氧化氫中的至少一種；所述功能氣體的流量是200sccm～5000sccm。
8.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括功能氣體，所述功能氣體包括氫氣；所述功能氣體的流量是200sccm～5000sc...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高力，張子涵，
申請(專利權(quán))人：江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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