【技術實現步驟摘要】
本公開涉及一種包括熔斷器存儲電路的半導體集成電路。
技術介紹
1、眾所周知，微調是一種用于在制造后調整各種半導體器件的特性和改變其配置的技術。微調可以連續地(以模擬方式)或離散地(以數字方式)執行。最近，數字微調因其成本優勢而成為首選。
2、成本優勢的原因是小型化使得更容易使用面積有效的數字電路，并且消除了對諸如激光微調等額外測試流程的需要。
3、此外，由于微調值是固定的，通過切換功能和消除由于冗余電路的開/關而導致的缺陷產品來提高合格率也是首選數字微調的因素。
4、以下方法稱為數字微調方法。
5、·非易失性存儲器(eeprom、閃存、feram、mram、pram等)
6、·熔斷器(多晶硅熔斷或金屬線熔斷)
7、·反熔斷器(齊納擊穿或柵極氧化膜擊穿)
8、熔斷器存儲電路通常包括諸如多晶硅或金屬線等熔斷器元件，以及與熔斷器元件串聯連接的晶體管。通過切斷/導通熔斷器元件，在熔斷器存儲電路中保持(或保持)一位的信息。在編程(微調)過程中，在晶體管和熔斷器元件之間施加高電源電壓。在這種狀態下，通過接通晶體管，大電流流過熔斷器元件，這使得可以切斷熔斷器元件。
9、現有技術文件
10、【專利文件】
11、專利文獻1：日本專利申請公開號2005-85980
12、專利文獻2：國際公開wo2023/276733
技術實現思路
1、【本公開要解決的問題】
3、然而，由于劇烈的應用或隨時間的退化，晶體管在導通模式下發生故障的可能性并非為零。如果晶體管在導通模式下擊穿，則大電流將流過熔斷器元件，破壞熔斷器存儲電路中存儲的值。在應用電路中，當在晶體管和熔斷器元件之間施加與編程期間一樣高的電源電壓時，這個問題尤其會發生。
4、本公開是在這種情況下做出的，實施例的一個示例性目的是提供一種半導體集成電路，其熔斷器存儲電路的可靠性有所提高。
5、【解決問題的手段】
6、根據本公開實施例的半導體集成電路包括：電源引腳，被配置為接收外部電源電壓；包括熔斷器元件的熔斷器存儲電路；以及電源電路，具有連接到熔斷器存儲電路的輸出，被配置為接收外部電源電壓，該電源電路可響應于控制信號在(i)第一狀態和(ii)第二狀態之間切換，其中，在第一狀態下，能夠切斷熔斷器元件的第一電壓電平的內部電源電壓被提供給熔斷器存儲電路的電源線，在第二狀態下，不能切斷熔斷器元件的低于第一電壓電平的第二電壓電平的內部電源電壓被提供給熔斷器存儲電路的電源線。
7、此外，上述組件的任意組合，以及方法、裝置、系統等之間的組件和表示的相互替代也是本專利技術或本公開的有效方面。此外，本章節中的描述(解決問題的手段)沒有描述本專利技術的所有必要特征，因此，所描述特征的子組合也可以構成本公開。
8、【本公開的效果】
9、根據本專利技術的一方面，可以提高熔斷器存儲電路的可靠性。
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1.一種半導體集成電路，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其中所述第一電壓電平基本上等于所述外部電源電壓。
3.根據權利要求2所述的半導體集成電路，其中所述電源電路包括：
4.根據權利要求3所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓電路包括：
5.根據權利要求4所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓電路是源極跟隨器電路或發射極跟隨器電路。
6.根據權利要求5所述的半導體集成電路，其中所述電源控制電路包括：
7.根據權利要求6所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓元件是場效應晶體管，所述場效應晶體管的柵極和漏極相連。
8.根據權利要求5所述的半導體集成電路，其中所述電源控制電路包括：
9.根據權利要求4所述的半導體集成電路，其中電壓控制電路包括線性調節器。
10.根據權利要求4至9中任一項所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓電路還包括第二晶體管，所述第二晶體管在所述電源引腳和所述熔斷器存儲電路的所述電源線之間與所述第一晶體管串聯連接，并且被配置為在所述第一狀態下斷
11.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其中所述電源電路包括可變電壓電路，所述可變電壓電路被配置為在所述第一狀態下在所述熔斷器存儲電路的所述電源線中產生所述第一電壓電平的所述內部電源電壓，并且在所述第二狀態下在所述熔斷器存儲電路的所述電源線中產生所述第二電壓電平的所述內部電源電壓。
12.根據權利要求11所述的半導體集成電路，其中所述可變電壓電路包括：
13.根據權利要求11所述的半導體集成電路，其中所述可變電壓電路包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體集成電路，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體集成電路，其中所述第一電壓電平基本上等于所述外部電源電壓。
3.根據權利要求2所述的半導體集成電路，其中所述電源電路包括：
4.根據權利要求3所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓電路包括：
5.根據權利要求4所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓電路是源極跟隨器電路或發射極跟隨器電路。
6.根據權利要求5所述的半導體集成電路，其中所述電源控制電路包括：
7.根據權利要求6所述的半導體集成電路，其中所述恒定電壓元件是場效應晶體管，所述場效應晶體管的柵極和漏極相連。
8.根據權利要求5所述的半導體集成電路，其中所述電源控制電路包括：
9.根據權利要求4所述的半導體集成電路，其中電壓...
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