【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及了電磁屏蔽玻璃的制備領(lǐng)域，具體涉及了一種電磁屏蔽鍍膜層、電磁屏蔽玻鍍膜璃及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、隨著電子、計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，多種多樣的電氣和電子設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)方面，而且還在繼續(xù)迅速地?cái)U(kuò)大。這導(dǎo)致人們身邊充滿了各類人造電磁輻射，電磁干擾現(xiàn)象也隨之增大并日趨嚴(yán)重，它不僅在通信領(lǐng)域中對(duì)信號(hào)的產(chǎn)生、傳播和接收造成了極大的影響，而且給人類社會(huì)的生產(chǎn)與生活帶來(lái)了不容忽視的危害。為了解決電子系統(tǒng)與電子設(shè)備間的電磁干擾，防止電磁信息泄漏，防護(hù)電磁輻射污染；有效保障儀器設(shè)備正常工作，保障機(jī)密信息的安全，保障工作人員身體健康，電磁屏蔽產(chǎn)品的應(yīng)用逐漸廣泛。
2、當(dāng)前，電磁屏蔽玻璃主要分為三類：夾金屬絲網(wǎng)電磁屏蔽玻璃、鍍膜電磁屏蔽玻璃、以及夾金屬絲網(wǎng)和鍍膜電磁屏蔽玻璃的復(fù)合產(chǎn)品，它們是利用屏蔽材料的導(dǎo)電性和磁性將電磁波反射或吸收，達(dá)到電磁屏蔽的目的。其主要作用是形成電磁隔離，對(duì)屏蔽體內(nèi)的空間進(jìn)行電磁防護(hù)，電磁波到達(dá)屏蔽體，但是電磁波的屏蔽效應(yīng)有限，還會(huì)存在不能滿足一些特殊領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)電磁屏蔽玻璃存在電磁屏蔽效果有限，不能滿足特殊領(lǐng)域的應(yīng)用需求的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電磁屏蔽鍍膜層、電磁屏蔽鍍膜玻璃及其制備方法，電磁屏蔽鍍膜層包括三層銀基導(dǎo)電膜層，通過(guò)限定每層銀基導(dǎo)電膜層材料以及厚度，能夠控制電磁屏蔽鍍膜層的面電阻降到1.0ω/sq以下，表現(xiàn)出突出的電磁屏蔽效能。
2、同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)電磁屏
3、本申請(qǐng)?zhí)峁┑碾姶牌帘五兡げＡг黾恿宋ú牧贤繉樱?jīng)過(guò)吸波材料層和屏蔽材料層的組合應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)電磁波的反射率低和透過(guò)率低，可有效提升電磁屏蔽玻璃的電磁阻擋和吸收效果，電磁屏蔽效能相比僅使用電磁屏蔽鍍膜層的玻璃可提升70％以上，最大電磁反射衰減可達(dá)到30db以上，實(shí)現(xiàn)了電磁屏蔽玻璃的功能全面性，提高屏蔽效能，取得了意想不到的技術(shù)效果。
4、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案為：
5、一種電磁屏蔽鍍膜層，自玻璃基片向外依次疊設(shè)三層銀基導(dǎo)電膜層，每層銀基導(dǎo)電膜層從內(nèi)向外依次疊設(shè)有sin層、第一azo層、ag層和第二azo層；
6、其中，sin層的厚度為30～40nm；第一azo層和第二azo層的厚度分別為5～10nm；ag層的厚度為10～15nm。
7、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N包括三層銀基導(dǎo)電膜層的電磁屏蔽鍍膜層，每層銀基導(dǎo)電膜層從內(nèi)向外依次疊設(shè)有sin層、第一azo層、ag層和第二azo層；其中，sin層的厚度為30～40nm；第一azo層和第二azo層的厚度分別為5～10nm；ag層的厚度為10～15nm。通過(guò)限定每層銀基導(dǎo)電膜層材料以及厚度，能夠控制電磁屏蔽鍍膜層的面電阻降到1.0ω/sq以下，表現(xiàn)出突出的電磁屏蔽效能，相比ito導(dǎo)電膜，電磁屏蔽效能可提高60％以上，取得了意想不到的效果。
8、進(jìn)一步的，最外層銀基導(dǎo)電膜層的第二azo層外疊設(shè)有第二sin層，所述第二sin層的厚度為30～40nm。增加第二sin層可以進(jìn)一步的對(duì)鍍膜形成保護(hù)，提升玻璃電磁屏蔽質(zhì)量。
9、本專利技術(shù)的另一目的是為了提供一種包括上述鍍膜層的玻璃。
10、一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，包括第一玻璃基片，在所述第一玻璃基片上涂設(shè)有上述的電磁屏蔽鍍膜層。
11、優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、上述的電磁屏蔽鍍膜層、第一粘結(jié)層和第二玻璃基片。增加一層玻璃基片，實(shí)為增加了保護(hù)層，提升玻璃質(zhì)量。
12、一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如上述的電磁屏蔽鍍膜層。
13、優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如上述的電磁屏蔽鍍膜層、第二粘結(jié)層和第三玻璃基片。
14、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電磁屏蔽鍍膜玻璃，增加了吸波材料涂層，先通過(guò)吸波材料涂層對(duì)入射電磁波進(jìn)行吸收，吸收后有部分電磁波透過(guò)吸波層到達(dá)屏蔽材料層后進(jìn)行反射、吸收損耗，被屏蔽材料反射的電磁波，再次經(jīng)過(guò)吸波材料層的吸收。經(jīng)過(guò)吸波材料層和屏蔽材料層的組合應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)電磁波的反射率低和透過(guò)率低，可有效提升電磁屏蔽玻璃的電磁阻擋和吸收效果，從而實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽玻璃的功能全面性，提高屏蔽效能，取得了意想不到的技術(shù)效果。
15、進(jìn)一步的，吸波材料涂層按重量份計(jì)包括以下原料混合制備得到的，環(huán)氧樹脂50～60份；乙二醇單丁醚10～15份；聚醚硅氧烷化合物5～10份；鐵氧體粉末20～30份。本專利技術(shù)提供了一種吸波材料涂層的配方，按照該配方進(jìn)行吸波材料的制備，可以使得電磁屏蔽玻璃的電磁波吸收功能達(dá)到較高的效果。
16、進(jìn)一步的，所述吸波材料涂層的厚度為20～40μm。研究發(fā)現(xiàn)，吸波材料涂層的厚度是影響電池屏蔽鍍膜玻璃性能的關(guān)鍵性因素，厚度過(guò)小或過(guò)大，都會(huì)使得玻璃的電磁屏蔽效能和最大電磁反射衰減明顯降低。優(yōu)選地，所述吸波材料涂層的厚度為30～40μm。
17、進(jìn)一步的，所述吸波材料涂層采用絲印印刷的方式涂覆在所述第一玻璃基片上的；其中，絲印過(guò)程中烘干的溫度不高于180℃。研究發(fā)現(xiàn)，吸波材料采用絲印印刷的方式進(jìn)行涂層，性能效果體現(xiàn)更佳，過(guò)高的烘干溫度會(huì)降低玻璃性能。
18、進(jìn)一步的，絲印過(guò)程中，絲網(wǎng)目數(shù)：120目～200目，烘干溫度：150～180℃，烘干時(shí)間：10min～20min。
19、優(yōu)選地，絲印過(guò)程中，烘干溫度為170～180℃。
20、進(jìn)一步的，制備過(guò)程中，完成合片后，加熱輥壓處理時(shí)，爐溫低于200℃，出爐玻璃表面溫度低于70℃。研究發(fā)現(xiàn)，電磁屏蔽玻璃的制備過(guò)程中，加熱輥壓中的爐溫以及出爐玻璃表面的溫度與最終玻璃性能有著密切的聯(lián)系，溫度過(guò)高會(huì)降低玻璃的性能。優(yōu)選地，加熱輥壓處理過(guò)程中爐溫為150～200℃，出爐玻璃表面溫度為60～70℃。更優(yōu)選地，加熱輥壓處理過(guò)程中爐溫為180℃～200℃，出爐玻璃表面溫度為60～65℃。
21、進(jìn)一步的，所述第一玻璃基片、所述第二玻璃基片和所述第三玻璃基片的厚度分別為3～19mm。
22、本專利技術(shù)的又一目的是為了提供上述玻璃的制備方法。
23、一種上述的電磁屏蔽鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟：
24、s1、將吸波材料混合均勻，采用絲印印刷的方式在所述第一玻璃基片上印刷形成吸波材料涂層；通過(guò)真空磁控濺射的方式，在第二玻璃基片上鍍電磁屏蔽鍍膜層；
25、s2、將所有的玻璃基片通過(guò)粘結(jié)層進(jìn)行夾層合片加工；
26、s3、將合片利用夾層輥壓設(shè)備進(jìn)行加熱輥壓處理；
27、s4、將輥壓后的產(chǎn)品送入高壓釜中進(jìn)行高溫高壓處理，得到電磁屏蔽鍍膜玻璃。
28、本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N電磁屏蔽鍍膜玻璃的制備方法，操作簡(jiǎn)單，便于推廣應(yīng)用。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種電磁屏蔽鍍膜層，其特征在于，自玻璃基片向外依次疊設(shè)三層銀基導(dǎo)電膜層，每層銀基導(dǎo)電膜層從內(nèi)向外依次疊設(shè)有SiN層、第一AZO層、Ag層和第二AZO層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽鍍膜層，其特征在于，最外層銀基導(dǎo)電膜層的第二AZO層外疊設(shè)有第二SiN層，所述第二SiN層的厚度為30～40nm。
3.一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，包括第一玻璃基片，在所述第一玻璃基片上涂設(shè)有如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層；優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層、第一粘結(jié)層和第二玻璃基片。
4.一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層；優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層、第二粘結(jié)層和第三玻璃基片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，吸波材料涂層按重量份計(jì)包括以下原料混合制備得到的，環(huán)氧樹脂50～60份；乙二醇
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，所述吸波材料涂層的厚度為20～40μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，所述吸波材料涂層采用絲印印刷的方式涂覆在所述第一玻璃基片上的；其中，絲印過(guò)程中烘干的溫度不高于180℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求4-7任意一項(xiàng)所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，制備過(guò)程中，完成合片后，加熱輥壓處理時(shí)，爐溫低于200℃，出爐玻璃表面溫度低于70℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求4-7任意一項(xiàng)所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一玻璃基片、所述第二玻璃基片和所述第三玻璃基片的厚度分別為3～19mm。
10.一種如權(quán)利要求4-9任意一項(xiàng)所述的電磁屏蔽鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電磁屏蔽鍍膜層，其特征在于，自玻璃基片向外依次疊設(shè)三層銀基導(dǎo)電膜層，每層銀基導(dǎo)電膜層從內(nèi)向外依次疊設(shè)有sin層、第一azo層、ag層和第二azo層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽鍍膜層，其特征在于，最外層銀基導(dǎo)電膜層的第二azo層外疊設(shè)有第二sin層，所述第二sin層的厚度為30～40nm。
3.一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，包括第一玻璃基片，在所述第一玻璃基片上涂設(shè)有如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層；優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層、第一粘結(jié)層和第二玻璃基片。
4.一種電磁屏蔽鍍膜玻璃，其特征在于，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層；優(yōu)選地，包括依次疊設(shè)的第一玻璃基片、吸波材料涂層、第一粘結(jié)層、第二玻璃基片、如權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽鍍膜層、第二粘結(jié)層和第三玻璃基片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜治強(qiáng)，王琦，張開志，呂宜超，范太勇，譚永帥，廖傳根，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：四川南玻節(jié)能玻璃有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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