一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)及其測試芯片制造技術(shù)

本技術(shù)涉及一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其中，掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括至少兩個檢測單元；檢測單元設(shè)置有目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，且檢測單元之間相互獨立；檢測單元，用于基于目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對目標(biāo)圖層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中檢測項進行檢測。本技術(shù)針對JDV種后段各層需要檢查的重要檢測項，為每個檢測項設(shè)計了對應(yīng)的檢測單元，并實現(xiàn)了在一個掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)中可以檢查多個目標(biāo)圖層、多個檢測項，極大地簡化了做后段JDV檢測地流程，降低時間成本，提高效率。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及芯片測試領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)及其測試芯片。

技術(shù)介紹

1、jdv(job?deck?view，掩膜圖形數(shù)據(jù))是版圖數(shù)據(jù)傳到半導(dǎo)體制造廠后，通過制造廠返回的圖形數(shù)據(jù)，jdv檢查是將此圖形與gds(graphic?data?system，原始圖形數(shù)據(jù))對比，進行圖形數(shù)據(jù)的檢測。jdv檢查主要有如下幾項內(nèi)容：層是否遺漏或者使用錯誤；檢查層的布爾運算是否正確；圖形的尺寸和變化趨勢是否與gds一致等，例如對于半導(dǎo)體工藝流程中beol(back?end?of?line，后段)的金屬布線層來說，圖形需要檢查的項有寬度，間距等，對于通孔層來說，需要檢查的項有尺寸，距離，包圍距離等。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，jdv檢查首先需要確定要檢查的層和項，然后根據(jù)不同項挑選對應(yīng)結(jié)構(gòu)做檢查清單，在芯片gds中再提取出結(jié)構(gòu)的坐標(biāo)，來確定結(jié)構(gòu)在jdv中的位置。由于需要看圖形的變化趨勢，所以檢查每個項時通常需要多個結(jié)構(gòu)來減小誤差，制作檢查清單的過程比較麻煩也比較耗時。jdv檢查的過程中，檢查每個項都需要對多個結(jié)構(gòu)進行定位和對比，這個過程會重復(fù)進行相似的步驟，耗時較多，降低jdv檢查的效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種能夠提高jdv檢查效率的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)及其測試芯片。

2、本申請實施例提供了一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括至少兩個檢測單元；所述檢測單元設(shè)置有目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，且所述檢測單元之間相互獨立；所述檢測單元，用于基于目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對目標(biāo)圖層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中所述檢測項進行檢測。

3、在其中一個實施例中，所述檢測單元包括第一檢測單元和/或第二檢測單元；所述目標(biāo)圖層包括金屬布線層和/或通孔層；

4、所述第一檢測單元，設(shè)置有金屬布線層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，用于基于金屬布線層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對金屬布線層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中對應(yīng)的檢測項進行檢測；

5、所述第二檢測單元，設(shè)置有通孔層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，用于基于通孔層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對通孔層的掩膜圖形數(shù)據(jù)對應(yīng)的檢測項進行檢測。

6、在其中一個實施例中，所述金屬布線層的檢測項包括掩膜極性、方向、寬度、線與線間距離、端對線距離、端對端距離和中心距離。

7、在其中一個實施例中，所述通孔層的檢測項包括掩膜極性、尺寸、距離、中心距離、包圍距離和偏移。

8、在其中一個實施例中，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括七種第一檢測單元，分別用于對所述金屬布線層的端對端距離檢測項、端對線距離檢測項、中心距離檢測項、線與線間距離檢測項、寬度檢測項、掩膜極性檢測項、方向檢測項進行檢測處理。

9、在其中一個實施例中，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括六種第二檢測單元，分別用于對所述通孔層的偏移檢測項、包圍距離檢測項、距離檢測項、尺寸檢測項、中心距離檢測項、掩膜極性檢測項進行檢測處理。

10、在其中一個實施例中，所述檢測單元包括多個組，每個組中的原始圖形數(shù)據(jù)：設(shè)置一項數(shù)據(jù)作為檢測項，其余數(shù)據(jù)都保持相同；所述多個組的檢測項數(shù)據(jù)設(shè)計變化趨勢，用于對掩膜圖形數(shù)據(jù)的所述檢測項進行檢測。

11、本申請實施例還提供了一種測試芯片，設(shè)置有上述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)。

12、本技術(shù)的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，包括至少兩個檢測單元；檢測單元設(shè)置有目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，且檢測單元之間相互獨立；檢測單元，用于基于目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對目標(biāo)圖層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中檢測項進行檢測。本技術(shù)針對jdv種后段各層需要檢查的重要檢測項，為每個檢測項設(shè)計了對應(yīng)的檢測單元，并實現(xiàn)了在一個掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)中可以檢查多個目標(biāo)圖層、多個檢測項，極大地簡化了做后段jdv檢測地流程，降低時間成本，提高效率。

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【技術(shù)保護點】

1.一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括至少兩個檢測單元；所述檢測單元設(shè)置有目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，且所述檢測單元之間相互獨立；所述檢測單元，用于基于目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對目標(biāo)圖層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中所述檢測項進行檢測。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測單元包括第一檢測單元和/或第二檢測單元；所述目標(biāo)圖層包括金屬布線層和/或通孔層；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬布線層的檢測項包括掩膜極性、方向、寬度、線與線間距離、端對線距離、端對端距離和中心距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔層的檢測項包括掩膜極性、尺寸、距離、中心距離、包圍距離和偏移。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括七種第一檢測單元，分別用于對所述金屬布線層的端對端距離檢測項、端對線距離檢測項、中心距離檢測項、線與線間距離檢測項、寬度檢測項、掩膜極性檢測項、方向檢測項進行檢測處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括六種第二檢測單元，分別用于對所述通孔層的偏移檢測項、包圍距離檢測項、距離檢測項、尺寸檢測項、中心距離檢測項、掩膜極性檢測項進行檢測處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測單元包括多個組，每個組中的原始圖形數(shù)據(jù)：設(shè)置一項數(shù)據(jù)作為檢測項，其余數(shù)據(jù)都保持相同；所述多個組的檢測項數(shù)據(jù)設(shè)計變化趨勢，用于對掩膜圖形數(shù)據(jù)的所述檢測項進行檢測。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，用于對所述通孔層的距離檢測項或中心距離檢測項進行檢測處理的第二檢測單元，還能對所述通孔層的中心距離檢測項或距離檢測項進行檢測處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一檢測單元和所述第二檢測單元按照自定義的預(yù)設(shè)順序進行排列。

10.一種測試芯片，其特征在于，設(shè)置有權(quán)利要求1至7任意一項所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括至少兩個檢測單元；所述檢測單元設(shè)置有目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，且所述檢測單元之間相互獨立；所述檢測單元，用于基于目標(biāo)圖層的檢測項的原始圖形數(shù)據(jù)，對目標(biāo)圖層的掩膜圖形數(shù)據(jù)中所述檢測項進行檢測。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測單元包括第一檢測單元和/或第二檢測單元；所述目標(biāo)圖層包括金屬布線層和/或通孔層；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬布線層的檢測項包括掩膜極性、方向、寬度、線與線間距離、端對線距離、端對端距離和中心距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔層的檢測項包括掩膜極性、尺寸、距離、中心距離、包圍距離和偏移。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掩膜圖形數(shù)據(jù)檢測結(jié)構(gòu)包括七種第一檢測單元，分別用于對所述金屬布線層的端對端距離檢測項、端對線距離檢測項、中心距離檢測項、線與線間距離檢測項、寬度檢測...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：岳棟，翟志昊，魯海洋，方益，
申請(專利權(quán))人：杭州廣立微電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：