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【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體,尤其涉及一種數據讀取電路。
技術介紹
1、動態隨機存取內存(dram)芯片的數據讀取過程涉及多個階段,包括命令傳輸與解碼、行激活與列選擇、數據感測與輸出以及數據傳遞和預充電。在單個dram芯片中,數據總線的寬度通常為16位,可以同時傳輸多個數據位,主機通過地址線向雙倍速率同步動態隨機存儲器(ddr)發送具體的行地址,ddr內存內部的行解碼器對該地址進行解碼,隨后該行的所有存儲單元會被用于后續的讀寫操作,緊接著行激活后,主機發送列地址到ddr內存,ddr內存可以在一個時鐘周期內傳輸兩次數據,使得數據傳輸較傳統的單數據內存提高兩倍,與行地址一樣,列地址的選擇也會被內部的解碼器解碼,精確的選中特定的列,列地址的發送同時伴隨著讀取命令,指示內存開始讀取數據,隨著列地址的不斷切換,可以選擇同一行中的不同數據進行讀取。
2、這種基于列地址的數據選擇電路由于地址信號的后3位解碼出8比特數據,因此解碼出的8比特數據在選擇1條數據線進行信號輸出時,需要考慮信號的匹配難度以及芯片中的電路面積。
技術實現思路
1、本申請提供一種數據讀取電路和方法,通過第一并聯轉串聯電路將數據從并行轉為串行,并通過第二并聯轉串聯電路將串行數據壓縮成單個數據位的數據,減少了一半數據線的使用,極大地減小了電路的設計面積;同時基于列地址的數據選擇電路使數據讀取更簡便快捷,極大提高了工作效率。
2、本專利技術的其他目的和優點可以從本專利技術所揭露的技術特征中得到進一步的了解。
...【技術保護點】
1.一種數據讀取電路,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,在一個時序周期內,按序將所述存儲陣列的并行數據輸出為串行數據,包括:
3.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述命令控制電路,包括將輸入的外部讀命令輸出為讀信號以及多個觸發時序不同的讀命令的讀命令電路;
4.根據權利要求3所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述控制信號生成電路生成兩組具有相同觸發時序的對信號。
5.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述第一并聯轉串聯電路包括邏輯選擇電路以及CMOS電路,所述邏輯選擇電路兩個為一組,依照所述儲存陣列并行數據的個數設置多組;
6.根據權利要求3或5所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述控制信號個數為兩個。
7.根據權利要求5所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述第一并聯轉串聯電路還包括多個緩存單元,所述緩存單元參照控制信號的時序,在所述控制信號結束觸發時,對所述并聯轉串聯電路輸出的串行數據進行緩存;
8.根據權利要求1所
9.根據權利要求8所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述解碼電路生成四個解碼信號。
10.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述第二并聯轉串聯電路包括,
...【技術特征摘要】
1.一種數據讀取電路,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,在一個時序周期內,按序將所述存儲陣列的并行數據輸出為串行數據,包括:
3.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述命令控制電路,包括將輸入的外部讀命令輸出為讀信號以及多個觸發時序不同的讀命令的讀命令電路;
4.根據權利要求3所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述控制信號生成電路生成兩組具有相同觸發時序的對信號。
5.根據權利要求1所述的一種數據讀取電路,其特征在于,所述第一并聯轉串聯電路包括邏輯選擇電路以及cmos電路,所述邏輯選擇電路兩個為一組,依照所述儲存...
【專利技術屬性】
技術研發人員:徐璐,
申請(專利權)人:浙江力積存儲科技有限公司,
類型:發明
國別省市:
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