【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、由于gan?hemt(high?electron?mobility?transistor，高電子遷移率晶體管)功率器件與硅基驅(qū)動(dòng)電路存在兼容性問題，為了進(jìn)一步降低寄生參數(shù)，需發(fā)展gan集成電路。對(duì)于發(fā)展成熟的硅基集成電路，基于增強(qiáng)型的nmos和pmos器件可以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)功耗、高工作頻率的cmos集成電路；但由于p型gan?hemt器件存在激活率低、高摻雜下器件損傷大等問題，未實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型pmos器件。因此現(xiàn)階段，多基于耗盡型(d-mode)hemt器件和增強(qiáng)型(e-mode)hemt器件實(shí)現(xiàn)直接耦合的集成電路。但是，由于耗盡型hemt器件和增強(qiáng)型hemt器件的結(jié)構(gòu)存在較大差別，常規(guī)實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型hemt器件的工藝無法與耗盡型hemt器件的工藝兼容，不利于集成。
2、因此，如何使得耗盡型器件和增強(qiáng)型器件集成是目前亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，使得耗盡型器件和增強(qiáng)型器件集成。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：
3、基底，包括耗盡型器件區(qū)和增強(qiáng)型器件區(qū)；
4、第二柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上；
5、鈍化層，形成于所述耗盡型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)；
6、第一柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述耗盡型器件區(qū)的所
7、第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬，所述第一源極金屬和所述第一漏極金屬形成于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，所述第二源極金屬和所述第二漏極金屬形成于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上。
8、可選地，所述基底還包括增強(qiáng)型功率器件區(qū)，所述半導(dǎo)體器件還包括：
9、第三柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層還形成于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底和所述第三柵極結(jié)構(gòu)上；
10、第三源極金屬和第三漏極金屬，形成于所述第三柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上。
11、可選地，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一金屬柵極層，所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均包括自下向上的氮化物柵極層和第二金屬柵極層。
12、可選地，所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均還包括第三金屬柵極層，所述第三金屬柵極層形成于所述第一金屬柵極層和所述第二金屬柵極層上。
13、可選地，所述半導(dǎo)體器件還包括：
14、至少一層場板，形成于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述鈍化層上。
15、可選地，所述基底包括襯底以及自下向上形成于所述襯底上的緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層。
16、本專利技術(shù)還提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：
17、提供一基底，所述基底包括耗盡型器件區(qū)和增強(qiáng)型器件區(qū)；
18、形成第二柵極結(jié)構(gòu)、鈍化層和第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)形成于所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上；所述鈍化層形成于所述耗盡型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)；所述第一柵極結(jié)構(gòu)形成于所述耗盡型器件區(qū)的所述鈍化層上，所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述基底之間的所述鈍化層作為柵介質(zhì)層；
19、形成第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬，所述第一源極金屬和所述第一漏極金屬形成于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，所述第二源極金屬和所述第二漏極金屬形成于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上。
20、可選地，所述基底還包括增強(qiáng)型功率器件區(qū)，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：
21、形成第三柵極結(jié)構(gòu)于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層還形成于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底和所述第三柵極結(jié)構(gòu)上；
22、形成第三源極金屬和第三漏極金屬于所述第三柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上。
23、可選地，形成第二柵極結(jié)構(gòu)、鈍化層、第一柵極結(jié)構(gòu)和第三柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：
24、形成氮化物柵極層和第二金屬柵極層堆疊于所述增強(qiáng)型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底上；
25、形成鈍化層于所述耗盡型器件區(qū)、所述增強(qiáng)型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層覆蓋所述氮化物柵極層和所述第二金屬柵極層；
26、形成第一金屬柵極層于所述耗盡型器件區(qū)的所述鈍化層上，使得所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括所述第一金屬柵極層，所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均包括所述氮化物柵極層和所述第二金屬柵極層。
27、可選地，形成第二柵極結(jié)構(gòu)、第一柵極結(jié)構(gòu)和第三柵極結(jié)構(gòu)的步驟還包括：
28、形成第三金屬柵極層于所述第一金屬柵極層和所述第二金屬柵極層上，使得所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均還包括所述第三金屬柵極層。
29、可選地，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：
30、形成至少一層場板于所述增強(qiáng)型功率器件區(qū)的所述鈍化層上。
31、可選地，所述基底包括襯底以及自下向上形成于所述襯底上的緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層。
32、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的技術(shù)方案具有以下有益效果：
33、1、本專利技術(shù)的半導(dǎo)體器件，由于包括：基底，包括耗盡型器件區(qū)和增強(qiáng)型器件區(qū)；第二柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上；鈍化層，形成于所述耗盡型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)；第一柵極結(jié)構(gòu)，形成于所述耗盡型器件區(qū)的所述鈍化層上，所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述基底之間的所述鈍化層作為柵介質(zhì)層；第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬，所述第一源極金屬和所述第一漏極金屬形成于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，所述第二源極金屬和所述第二漏極金屬形成于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，使得耗盡型器件和增強(qiáng)型器件能夠集成。
34、2、本專利技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，由于包括：提供一基底，所述基底包括耗盡型器件區(qū)和增強(qiáng)型器件區(qū)；形成第二柵極結(jié)構(gòu)、鈍化層和第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)形成于所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上；所述鈍化層形成于所述耗盡型器件區(qū)和所述增強(qiáng)型器件區(qū)的所述基底上，所述鈍化層覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)；所述第一柵極結(jié)構(gòu)形成于所述耗盡型器件區(qū)的所述鈍化層上，所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述基底之間的所述鈍化層作為柵介質(zhì)層；形成第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬，所述第一源極金屬和所述第一漏極金屬形成于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，所述第二源極金屬和所述第二漏極金屬形成于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述基底上，使得耗盡型器件和增強(qiáng)型器件能夠集成。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底還包括增強(qiáng)型功率器件區(qū)，所述半導(dǎo)體器件還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一金屬柵極層，所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均包括自下向上的氮化物柵極層和第二金屬柵極層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均還包括第三金屬柵極層，所述第三金屬柵極層形成于所述第一金屬柵極層和所述第二金屬柵極層上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底包括襯底以及自下向上形成于所述襯底上的緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層。
7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述基底還包括增強(qiáng)型功率器件區(qū)，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成第二柵極結(jié)構(gòu)、第一柵極結(jié)構(gòu)和第三柵極結(jié)構(gòu)的步驟還包括：
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：
12.如權(quán)利要求7～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述基底包括襯底以及自下向上形成于所述襯底上的緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底還包括增強(qiáng)型功率器件區(qū)，所述半導(dǎo)體器件還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一金屬柵極層，所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均包括自下向上的氮化物柵極層和第二金屬柵極層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述第三柵極結(jié)構(gòu)均還包括第三金屬柵極層，所述第三金屬柵極層形成于所述第一金屬柵極層和所述第二金屬柵極層上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底包括襯底以及自下向上形成于所述襯底上的緩沖層、...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：信亞杰，雷嘉成，郭德霄，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海新微半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。