【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)主要涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，特別涉及一種集成溫度檢測的分析物傳感器。
技術(shù)介紹
1、正常人身體中的胰腺可自動監(jiān)測人體血液中的葡萄糖含量，并自動分泌所需的胰島素/胰高血糖素。而糖尿病患者胰腺的功能出現(xiàn)異常狀況，無法正常分泌人體所需胰島素。因此糖尿病是人體胰腺功能出現(xiàn)異常而導(dǎo)致的代謝類疾病，糖尿病為終身疾病。目前醫(yī)療技術(shù)尚無法根治糖尿病，只能通過穩(wěn)定血糖來控制糖尿病及其并發(fā)癥的發(fā)生和發(fā)展。
2、糖尿病患者在向體內(nèi)注射胰島素之前需要檢測血糖。目前多數(shù)的檢測手段可以對血糖連續(xù)檢測，并將血糖數(shù)據(jù)實(shí)時發(fā)送至遠(yuǎn)程設(shè)備，便于用戶查看，這種檢測方法稱為連續(xù)葡萄糖檢測(continuous?glucose?monitoring，cgm)法。該方法需要檢測裝置貼在皮膚表面，將其攜帶的探頭刺入皮下的組織液完成檢測。根據(jù)檢測的血糖值，采用相關(guān)算法，如pid算法，mpc算法，計(jì)算需要向患者體內(nèi)輸注的胰島素量，胰島素輸注過量可能會導(dǎo)致患者低血糖，而胰島素輸注不足也可能會使患者血糖維持在高水平，引發(fā)高血糖癥，因此胰島素輸注量的準(zhǔn)確性對維持患者的血糖穩(wěn)定至關(guān)重要，而輸注的胰島素量與檢測的患者體內(nèi)的血糖值直接相關(guān)，因此，血糖測量值的準(zhǔn)確性對維持患者的血糖穩(wěn)定至關(guān)重要。
3、由于溫度的變化對傳感器膜的滲透性，活性酶的活性都有影響，因此一般認(rèn)為溫度對傳感器的靈敏度也有影響，傳感器在出廠或校準(zhǔn)時的溫度與實(shí)際使用時，即在用戶體內(nèi)時的溫度很可能是不一樣的，因此，為了確保血糖測量值的準(zhǔn)確性，有必要考慮測量時溫度的影響。
4、目前，現(xiàn)有技
5、因此，現(xiàn)有技術(shù)亟需一種能直接檢測傳感器操作溫度，同時提高血糖檢測準(zhǔn)確度和可靠性的分析物傳感器。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)實(shí)施例公開了一種集成溫度檢測的分析物傳感器，溫度傳感器設(shè)置在基底體內(nèi)部分的表面，可以直接測量分析物傳感器在體內(nèi)檢測時的溫度，無需對檢測的溫度進(jìn)行進(jìn)一步校準(zhǔn)，省略溫度處理過程，提高檢測的溫度的可靠性，根據(jù)檢測的體內(nèi)溫度，可以直接校準(zhǔn)分析物數(shù)值，提高分析物檢測的準(zhǔn)確性；同時，基底包括多層次基底，電極和溫度傳感器可以設(shè)置在不同的次基底上，可以將每層次基底上的電極或溫度傳感器設(shè)置更大面積，面積更大的電極或溫度傳感器與體液接觸更充分，信號更穩(wěn)定，提高分析物檢測和溫度檢測可靠性。
2、本專利技術(shù)公開了一種分析物傳感器，包括：基底，包括體內(nèi)部分和體外部分，基底至少兩層次基底；至少兩個電極，設(shè)置于體內(nèi)部分的表面，用于刺入皮下獲取分析物參數(shù)信息；引腳，設(shè)置于體外部分的表面，分別與對應(yīng)的電極通過導(dǎo)線電連接；和溫度傳感器，設(shè)置于體內(nèi)部分的表面，用于直接檢測患者的體內(nèi)溫度，其中，溫度傳感器與至少兩個電極的至少一個電極設(shè)置于不同次基底表面。
3、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器與至少一個電極設(shè)置于同一所基底表面。
4、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器與至少一個電極并列設(shè)置于同一次基底表面。
5、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫溫度傳感器與至少一個電極沿體內(nèi)部分的近端向遠(yuǎn)端依次設(shè)置于同一次基底表面。
6、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，至少兩個電極至少包括工作電極和對電極。
7、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，工作電極與溫度傳感器處于刺入皮下的同一深度。
8、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，工作電極與溫度傳感器并列設(shè)置于同一次基底表面。
9、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，工作電極與溫度傳感器設(shè)置于不同次基底的不同面。
10、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，工作電極與溫度傳感器設(shè)置在相鄰的不同層次基底的不同面。
11、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，工作電極與溫度傳感器設(shè)置在間隔的不同層次基底的不同面。
12、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，至少一層基底包括多層次基底，工作電極與溫度傳感器設(shè)置在不同層次基底的不同面。
13、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，至少兩層次基底預(yù)制完成后粘貼成整體。
14、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器嵌入工作電極或?qū)﹄姌O。
15、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，度傳感器為金屬薄膜熱電阻、碳薄膜電阻，金屬氧化物薄膜熱電阻、合金薄膜熱電阻中的一種。
16、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器為薄膜鉑熱電阻。
17、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器包括聚酰亞胺保護(hù)層。
18、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，在基底表面的至少一個區(qū)域后設(shè)置至少一層絕緣材料，絕緣材料避開引腳區(qū)域、電極和溫度傳感器的中心導(dǎo)電區(qū)域。
19、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，在至少一層基底表面設(shè)置至少一層保護(hù)層，保護(hù)層至少覆蓋電極和/或溫度傳感器的邊沿。
20、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，導(dǎo)線設(shè)置在基底的表面。
21、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，導(dǎo)線設(shè)置在基底的內(nèi)層。
22、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器和至少兩個電極設(shè)置在至少兩層次基底的相同面。
23、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，溫度傳感器和至少一個電極設(shè)置在至少兩層次基底的不同面。
24、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的技術(shù)方案具備以下優(yōu)點(diǎn)：
25、本專利技術(shù)公開的集成溫度檢測的分析物傳感器，溫度傳感器設(shè)置在基底體內(nèi)部分的表面，可以直接測量分析物傳感器在體內(nèi)檢測時的溫度，無需對檢測的溫度進(jìn)行進(jìn)一步校準(zhǔn)，省略溫度處理過程，提高檢測的溫度的可靠性；根據(jù)檢測的體內(nèi)溫度，可以直接校準(zhǔn)分析物數(shù)值，提高分析物檢測的準(zhǔn)確性；同時，基底包括多層次基底，電極和溫度傳感器可以設(shè)置在不同的次基底上，可以將每層次基底上的電極或溫度傳感器設(shè)置更大面積，面積更大的電極或溫度傳感器與體液接觸更充分，信號更穩(wěn)定，提高分析物檢測和溫度檢測可靠性。
26、進(jìn)一步的，至少兩個電極和溫度傳感器布置在不同層的次基底上，一方面，可以增大電極之間以及電極和溫度傳感器之間的距離，減小電極之間以及電極和溫度傳感器之間的信號竄擾，提高分析物檢測和溫度檢測可靠性。
27、進(jìn)一步的，不同層的次基底可以先預(yù)制完成，即在每一層次基底上先預(yù)制好電極、導(dǎo)線和引腳，再粘貼組合成一個整體，形成完整的傳感器，不同于常規(guī)的層層涂覆工藝，可以避免因基底材料固化不充分，導(dǎo)致脆裂而造成絕緣失效，并進(jìn)一步導(dǎo)致導(dǎo)線或者電極之間的電信號出現(xiàn)串?dāng)_，檢測信號出現(xiàn)噪音，提高了傳感器的檢測可靠性。
28、進(jìn)一步的，溫度傳感器和至少一個電極可以并列或本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種分析物傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極設(shè)置于同一所述次基底表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極并列設(shè)置于同一所述次基底表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極沿所述體內(nèi)部分的近端向遠(yuǎn)端依次設(shè)置于同一所述次基底表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的分析物傳感器，其特征在于，所述至少兩個電極至少包括工作電極和對電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器處于刺入皮下的同一深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器并列設(shè)置于同一所述次基底表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置于同一所述次基底的不同面。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置在相鄰的不同層所述次基底的不同面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置在間隔的不同層所述次基底的不同面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的分析物傳感器，其特征在于，所述至少兩層次基底預(yù)制完成后粘貼成整體。
13.根據(jù)權(quán)利要求6任一項(xiàng)所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器嵌入所述工作電極或所述對電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器為金屬薄膜熱電阻、碳薄膜電阻，金屬氧化物薄膜熱電阻、合金薄膜熱電阻中的一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器為薄膜鉑熱電阻。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器包括聚酰亞胺保護(hù)層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，在所述基底表面的至少一個區(qū)域后設(shè)置至少一層絕緣材料，所述絕緣材料避開引腳區(qū)域、所述至少兩個電極區(qū)域和所述溫度傳感器中心導(dǎo)電區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，在所述至少一層基底表面設(shè)置至少一層保護(hù)層，所述保護(hù)層至少覆蓋所述電極和/或所述溫度傳感器的邊沿。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)線設(shè)置在所述基底的表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)線設(shè)置在所述基底的內(nèi)層。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器和所述至少兩個電極設(shè)置在所述至少兩層次基底的相同面。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器和所述至少一個電極設(shè)置在所述至少兩層次基底的不同面。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種分析物傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極設(shè)置于同一所述次基底表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極并列設(shè)置于同一所述次基底表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分析物傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器與所述至少一個電極沿所述體內(nèi)部分的近端向遠(yuǎn)端依次設(shè)置于同一所述次基底表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的分析物傳感器，其特征在于，所述至少兩個電極至少包括工作電極和對電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器處于刺入皮下的同一深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器并列設(shè)置于同一所述次基底表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置于同一所述次基底的不同面。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置于不同所述次基底的不同面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置在相鄰的不同層所述次基底的不同面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分析物傳感器，其特征在于，所述工作電極與所述溫度傳感器設(shè)置在間隔的不同層所述次基底的不同面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的分...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊翠軍，
申請(專利權(quán))人：上海移宇科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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